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曹晓生

作品数:9 被引量:40H指数:1
供职机构:西安科技大学电气与控制工程学院更多>>
发文基金:国家科技部专项基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇开关
  • 7篇耗尽型
  • 7篇变换器
  • 5篇电路
  • 5篇开关电路
  • 4篇驱动电路
  • 4篇组合开关
  • 4篇开关器件
  • 3篇电源
  • 3篇元件
  • 3篇元件参数
  • 3篇脉冲宽度调制
  • 3篇开关变换器
  • 3篇开关电源
  • 3篇开关功率变换...
  • 3篇功率变换
  • 3篇功率变换器
  • 3篇高频化
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电压

机构

  • 9篇西安科技大学

作者

  • 9篇曹晓生
  • 9篇刘树林
  • 7篇杨波
  • 6篇王媛媛
  • 1篇马一博
  • 1篇张允武

传媒

  • 1篇中国电机工程...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2010
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种耗尽型器件栅源电压正偏的组合开关电路
本实用新型是一种耗尽型器件栅源电压正偏的组合开关电路。它至少由一个P沟道增强型开关器件、一个N沟道增强型开关器件和一个耗尽型开关器件组成。其中P沟道增强型开关器件的漏极与N沟道增强型开关器件的漏极相接,耗尽型开关器件的开...
刘树林张允武曹晓生杨波
文献传递
一种能可靠关断的增强-耗尽型器件组合开关电路
本发明公开了一种能可靠关断的增强-耗尽型器件组合开关电路。它主要由耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型器件Q2、分压限压电阻R1和R2组成。它采用增强型器件与耗尽型器件串联的形式构成一个组合开关,并通过控制增强器件来实...
刘树林曹晓生杨波王媛媛
文献传递
一种能可靠关断的增强-耗尽型器件组合开关电路
本发明公开了一种能可靠关断的增强-耗尽型器件组合开关电路。它主要由耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型器件Q2、分压限压电阻R1和R2组成。它采用增强型器件与耗尽型器件串联的形式构成一个组合开关,并通过控制增强器件来实...
刘树林曹晓生杨波王媛媛
一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路
本实用新型公开了一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路。它主要由一个P沟道增强型开关器件、一个N沟道增强型开关器件和接在该两个开关器件栅极上的电阻组成,并且P沟道增强型开关器件的漏极与N沟道增强型开关器件的漏极相接。该两...
刘树林曹晓生杨波王媛媛
文献传递
一种能可靠关断的增强-耗尽型器件组合开关电路
本实用新型公开了一种能可靠关断的增强-耗尽型器件组合开关电路。它主要由耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型器件Q2、分压限压电阻R1和R2组成。它采用增强型器件与耗尽型器件串联的形式构成一个组合开关,并通过控制增强器件...
刘树林曹晓生杨波王媛媛
文献传递
一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路
本发明公开了一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路。它主要由一个P沟道增强型开关器件、一个N沟道增强型开关器件和接在该两个开关器件栅极上的电阻组成,并且P沟道增强型开关器件的漏极与N沟道增强型开关器件的漏极相接。该两个开...
刘树林曹晓生杨波王媛媛
文献传递
RCD钳位反激变换器的回馈能耗分析及设计考虑被引量:40
2010年
对RCD钳位反激变换器的能量传输过程进行深入分析,指出为避免反馈电压Uf在整个开关管关断期间向RCD钳位电路提供能量而增大能耗,钳位电容电压UC必须大于Uf;推导得出反馈电压产生的回馈能量Wf的解析表达式,并指出Wf随着UC的增加而减小,且RCD钳位电路的总能耗等于Wf与变压器漏感储能Wlk之和。令Wlk与Wf相等,得出钳位电容的临界钳位电压UCK=2.6 Uf,并指出当UC大于UCK时,回馈电压产生的能量将小于Wlk,并以此作为确定钳位电容电压UC的依据,得出RCD钳位电路元件参数的设计方法。给出实例,通过仿真和实验结果,验证了理论分析的正确性和设计方法的可行性。
刘树林曹晓生马一博
关键词:反激变换器
一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路
本发明公开了一种可快速关断耗尽型开关器件的驱动电路。它主要由一个P沟道增强型开关器件、一个N沟道增强型开关器件和接在该两个开关器件栅极上的电阻组成,并且P沟道增强型开关器件的漏极与N沟道增强型开关器件的漏极相接。该两个开...
刘树林曹晓生杨波王媛媛
GaN组合开关电路及其驱动技术研究
N HEMT具有电子迁移率高、耐高温高压和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点.针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型...
祁俐俐刘树林权颖曹晓生
关键词:组合开关驱动电路负电压关断特性
共1页<1>
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