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曾雄辉: 作品数：104 被引量：104H指数：6; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>; 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

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透射电子显微镜物镜光阑: 本发明提供了透射电子显微镜物镜光阑，包括光阑板、与光阑板连接的螺纹杆，以及和螺纹杆连接的手柄，所述物镜光阑沿着光阑板的轴线具有一系列C形开孔。本发明的优点在于：光阑C形开孔中心的挡板可以阻挡透射电子束参与透射电镜高分辨成...; 牛牧童吴东昌张锦平黄凯张燚董晓鸣曾雄辉徐科; 文献传递

Pr^(3+),Tm^(3+)共注入氮化铝薄膜的光谱特性: 2016年; 采用离子注入的方法在氮化铝薄膜中实现Pr3+和Tm3+元素的单掺杂和共掺杂。以Raman光谱为主要表征手段,对离子注入过程中薄膜内部的应力变化进行研究;以阴极荧光为主要表征手段,对其低温和室温下的发光特性进行研究。Raman光谱的结果显示,离子注入过程使得薄膜内部应力下降,而退火过程使得薄膜内部应力升高。阴极荧光光谱结果显示,Al N∶Pr3+主要跃迁峰位于528 nm;Al N∶Tm3+主要跃迁峰位位于467 nm;Al N∶Pr3+,Tm3+主要跃迁峰位位于528 nm和467 nm。Al N∶Tm3+的低温光谱显示,与1I6和1D2两个能态相关的跃迁峰相对强度会随着温度出现急剧变化,由此表明在Tm3+之间存在与温度相关的相互作用。; 阳明明王晓丹曾雄辉郭昀张纪才徐科; 关键词：氮化铝薄膜光谱特性

材料界面的原位加工测试装置: 本发明提供材料界面的原位加工测试装置，属于半导体测试技术领域。测试装置包括一第一真空腔室、一第二真空腔室、一真空管、一光路耦合装置和一传递装置；第一真空腔室与第二真空腔室通过真空管相连；真空管包括一真空阀门，用于控制第一...; 徐耿钊刘争晖钟海舰樊英民曾雄辉王建峰周桃飞邱永鑫徐科; 文献传递

半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法: 本发明提供半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法，属于半导体测试领域。装置包括样品台、原子力显微镜导电探针、电压源、压电激振陶瓷、光学显微镜系统、单色仪、光电探测器和锁相放大器，电压源、压电激振陶瓷均与原子力显微镜...; 刘争晖徐耿钊钟海舰樊英民曾雄辉周桃飞邱永鑫王建峰徐科; 文献传递

金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法: 本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga...; 曾雄辉徐科王建峰任国强包峰黄凯张锦平; 文献传递

常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究被引量：5: 2001年; 介绍了以SnO2 为主 ,掺入Al2 O3 ,MgO ,InO ,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制 ,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件。; 王岚何敬文刘雅言王秀艳丁金英殷文春曾雄辉; 关键词：氧化锡气敏元件气敏机理半导体材料

掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法: 一种掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法，其特点是在钇铝石榴石晶体生长配方中掺入三价铈的化合物：Ce(OH) 3，或Ce2 (C2O4</...; 曾雄辉徐军赵广军李红军何晓明庞辉勇介明印王静雅张连翰杭寅; 文献传递

纯LaAlO_3和Ce^(3+)∶LaAlO_3单晶的吸收谱和透过谱研究被引量：4: 2004年; 本文采用中频感应提拉法成功生长了LaAlO3 和Ce3 + ∶LaAlO3 晶体。沿生长方向即a轴方向切割、抛光后得到实验样品。测试了氢气退火前后纯LaAlO3 和Ce3 + ∶LaAlO3 从 190nm到 2 5 0 0nm的吸收谱和透过谱。测试结果表明 :纯LaAlO3 晶体在 196～ 2 2 0nm处出现宽带吸收 ,氢气退火后此一波段的吸收系数明显降低 ;未退火的Ce∶LaAlO3晶体在 196～ 2 0 9nm ,2 4 6nm ,314nm出现明显的吸收波段 ,氢气退火后其吸收谱发生显著变化 ,在 198,2 0 6 ,2 14 ,2 4 6和 314nm处出现对应于Ce3 + 的 4f- 5d的跃迁吸收 ;Ce∶LaAlO3 晶体较之纯LaAlO3 晶体在红外区的透过率要高 ;氢气退火后 ,Ce∶LaAlO3 晶体和纯LaAlO3; 曾雄辉赵广军杭寅张连翰王静雅徐军; 关键词：LAALO3 提拉法吸收光谱透过率

Eu,Mg共掺GaN薄膜的结构和发光性能研究被引量：7: 2020年; 通过离子注入,将Eu和Mg共掺杂到金属有机化学气相沉积方法生长的GaN薄膜中,Mg的注入剂量保持为5×10^(13)cm^(-2),Eu的剂量依次为1×10^(14),5×10^(14)和1×10^(15)cm^(-2)。采用X射线衍射(XRD)、Raman散射和光致发光研究了样品的结构和发光特性。X射线衍射和Raman散射揭示了GaN:Eu样品和GaN:Eu,Mg样品内部的应力随Eu注入剂量变化展现出相同的变化趋势,在Eu注入剂量从1×10^(14)cm^(-2)提高到5×10^(14)cm^(-2)后会导致GaN晶格收缩,产生张应力;当Eu注入剂量从5×10^(14)cm^(-2)提高到1×10^(15)cm^(-2),会导致晶格膨胀,产生压应力。光致发光测试结果表明,GaN:Eu,Mg样品中Mg的存在能够减少Eu周围的本征缺陷,抑制黄光发射,增强GaN基质与Eu^(3+)之间的能量传递,导致与Eu相关的发射峰强度整体增强,且Mg的存在并不改变Eu相关的发光峰峰位,也没有引入新的发光峰。随着Eu/Mg剂量比的增加,发光强度增强倍数呈现先增加后减小的趋势,且在Eu/Mg剂量比为10∶1时,此时Eu发光得到最大程度的增强,为GaN:Eu发光强度的6.6倍。; 李祥马海王晓丹陈飞飞曾雄辉; 关键词：光电子学离子注入光致发光

扫描透射电子显微镜中提高原子序数衬度像质量的方法: 本发明提供了一种扫描透射电子显微镜中提高原子序数衬度像质量的方法，包括如下步骤：在扫描透射模式下旋转样品得到样品的会聚束衍射图；将多通道高角环形暗场探测器放入光路中，改变衍射图的大小，使衍射斑点从环形探测器的中心圆孔中穿...; 吴东昌牛牧童张锦平黄凯张燚董晓鸣曾雄辉徐科; 文献传递