您的位置： 专家智库 > >

曾鸿祥

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：国立台湾大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇散射
  • 2篇X射线
  • 2篇X射线散射
  • 2篇GE/SI
  • 1篇电特性
  • 1篇射线
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇粗糙度

机构

  • 2篇南京大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇国立台湾大学

作者

  • 2篇蒋树声
  • 2篇吴小山
  • 2篇吴忠华
  • 2篇曾鸿祥
  • 2篇丁永凡
  • 2篇谭伟石
  • 1篇黄秀清
  • 1篇杨立

传媒

  • 1篇北京同步辐射...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
低温生长的Ge／Si超晶格界面结构的X射线散射研究
2002年
低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。
吴小山谭伟石蒋树声吴忠华丁永凡曾鸿祥
关键词：X射线粗糙度光电特性
低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究
＜正＞纳米结构的 Ge/Si 超晶格或 SiGe 合金由于其优异的光电特性近年来受到人们的青睐。高温下（500-700℃）用 Stranski-Krastanov 方法生长的三维 Ge 团簇结构（或纳米结构,3D-Ge ...
吴小山谭伟石杨立黄秀清蒋树声吴忠华丁永凡曾鸿祥
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0