公共文化服务平台

共 2 条记录，以下是 1-2

全选清除导出

排序方式：

直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜被引量：2: 2006年; ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势。在相对成本低廉的S i衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题。目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破。本文利用直流溅射,先在S i衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层。再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜。通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响。随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升。可见缓冲层的引入对ZnO/S i薄膜的质量和发光强度有很大的贡献。; 姚然朱俊杰段理朱拉拉傅竹西; 关键词：氧化锌 MOCVD 缓冲层

RF预处理对ZnO/Si生长的影响: 2006年; 氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙的宽禁带半导体材料，其室温下的禁带宽度3．36eV，由于其具有紫外发光的特性，近来受到研究者的广泛关注。由于ZnO在高效率光散发设备和其它光学方面有应用前景，所以要进行高质量的ZnO薄膜制备的研究。由于晶格失配，ZnO／Si的异质结质量不高，现在主要应用过渡层或表面处理的方法进行改善。本文用MOCVD设备生长ZnO／Si薄膜，所用载气为N2，反应源为CO2和DEZ，衬底为Si（111）单晶外延片。除了对衬底进行常规的化学清洗以外，在生长前进行Ar RF的预处理，是氩离子对硅表面进行一定的破坏，处理能量从0-110W进行了梯度变化，再以同样的生长条件进行原位生长。对于样品我们分别作了XRD、PL、AFM测量，发现Ar RF预处理对薄膜结晶有很大影响，未作处理的样品一般呈多晶态，而处理后的样品在一定能量范围内晶格取向有显著提高，但随预处理能量达到一定限值后取向性被破坏，XRD测试图如1、2、3。预处理对于发光也有很大的影响，在一定能量范围内发光强度只随处理能量加大缓慢衰减，但在高能量状态下，发光明显减弱，峰位也随之变化。可见氩离子轰击硅表面形成了缺陷，这些缺陷在生长中顺延在ZnO部分，并且这些缺陷是发光淬灭中心，随能量的增加而增加。PL测试图如4。通过AFM分析样品的粗糙度，发现预处理对表面粗糙度有减低的作用，随着处理能量的增加，表面粗糙度下降。; 姚然朱俊杰钟声朱拉拉傅竹西; 关键词：ZNO MOCVD 预处理

全选清除导出

共1页<1>

朱拉拉

合作作者

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户反馈

朱拉拉

合作作者

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户登录

用户反馈