李佐宜
- 作品数：211 被引量：406H指数：10
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- AlN压电薄膜材料研究进展被引量：9
- 2002年
- AlN压电薄膜材料具有许多优异的物理化学性质,本文对该薄膜材料的发展,结构特征,制备方法进行了综述,并对其应用前景进行了展望。
- 许小红武海顺张富强段静芳李佐宜
- 磁光盘平面温度传感器的抗干扰设计被引量：1
- 1996年
- 磁光盘的温度特性测量中，盘面温度的测量可采用平面温度传感器来感温。在磁光盘测试现场存在磁场干扰的情况下，还需考虑传感器的抗干扰设计。本文提示了能消除电磁干扰的传感器图形的最小磁链设计方法以及采用补偿器的方法和相应的传感器驱动电路，并举出实例说明这些措施有效地消除了传感器的电磁干扰。
- 谭立国彭红玲李佐宜
- 关键词：磁光盘传感器电磁干扰
- (Ni_(0.81)Fe_(0.19))_(0.66)Cr_(0.34)/Ni_(0.81)Fe_(0.19)薄膜的各向异性磁电阻效应及尺寸效应被引量：4
- 2002年
- 研究了以非磁性（Ｎｉ０．８１Ｆｅ０．１９）０．６６ＣＲ０．３４薄膜作为过诞层的坡莫合金Ｎｉ０．８１Ｆｅ０．１９薄膜的磁电阻效应和饱和磁场，分析退火处理对样品饱和磁场的影响和经刻蚀后的磁电阻效应膜线的尺寸效应，并建立一个统计模型定性分析了其性能变化的机理，计算结果符合实验．
- 彭子龙李佐宜胡强杨晓非
- 关键词：过渡层尺寸效应
- 相位延迟对磁光盘静态检测影响的研究被引量：3
- 2000年
- 本文运用琼斯矩阵分析了相位延迟对磁光盘读出特性的影响。分析表明 ,相位延迟导致磁光盘读出信号下降 ;采用复合补偿法可克服相位延迟 ,提高磁光有效信号读出。
- 王可谭立国李佐宜
- 关键词：琼斯矩阵相位延迟磁光盘
- 双层耦合膜的磁光克尔效应研究被引量：3
- 1993年
- 稀土-过渡族金属(RE-TM)非晶垂直磁化膜用于磁光记录材料已被广泛研究。为了提高材料的读出性能,提高分辨率,降低误码率,希望材料有较大的磁光克尔旋转角θ_k。本文采用磁光双层膜耦合结构,将信息的记录和读出分别由记录层(Storage Layer)薄膜和读出层(Readout Layer)薄膜完成,将磁光克尔旋转角θ_k由单层膜的小于0.30°,提高到双层膜的0.38°,较好地解决了这一问题。
- 刘兴阶许忠朱平李佐宜
- 关键词：磁光克尔效应交换耦合
- 多孔氧化铝模板上TbFeCo薄膜的制备及磁性能被引量：2
- 2008年
- 利用两步阳极氧化方法在玻璃基板上成功制造孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,实验结果表明,孔洞大小范围在10-50nm,孔洞大小可通过氧化电压和氧化温度进行调节,随氧化电压和温度降低而减小。多孔氧化铝底层对其上溅射生长的TbFeCo磁性能有重要影响,多孔氧化铝基底对TbFeCo的畴壁运动有较强的钉扎作用,增大其矫顽力,矫顽力随孔洞的直径增大而减小,从15nm时的4.5×10^5A/m下降到40nm时的2.8×10^5A/m,并逐步趋近无AAO膜板时TbFeCo的矫顽力。同时多孔氧化铝基底的引入,使TbFeCo薄膜的矫顽力机制从以磁晶各向异性为主改变为以形状各向异性为主。
- 鄢俊兵李佐宜晋芳董凯锋林更琪
- 关键词：多孔阳极氧化铝TBFECOSEM磁性能
- 退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响
- 1996年
- 用RF磁控溅射法，在纯Ar气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ba铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜c轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在700℃氧气中退火可获得良好c轴垂直膜面的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ms=296emu／cm3，Hc=308761A／m。退火温度过低或过高，都不利于形成c轴垂直膜面的择优取向。
- 刘兴阶刘卫忠林更琪缪向水李佐宜
- 关键词：铁氧体射频磁控溅射退火钡铁氧体
- 非晶稀土-过渡金属磁光薄膜热稳定性研究
- 1998年
- 采用射频磁控溅射方法制备非晶 Dy Fe Co磁光薄膜。样品的克尔回线、转矩曲线的测试显示 ,薄膜具有优良的磁和磁光性能。退火研究表明 ,随着退火时间的增加 ,矫顽力下降 ,垂直磁各向异性能减少 ,但克尔角变化不明显 ,其内在机制与薄膜中的微缺陷和应力的弛豫过程有关。
- 熊锐李佐宜卢正启林更其胡作启杨晓非邱进军
- 关键词：磁光薄膜退火热稳定性
- 磁光盘的介质膜材料AlN、AlSiN薄膜的电子显微分析
- 1994年
- 本文研究了磁光盘介质薄膜──ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的电子显微结构．通过透射电镜分析了ＡｌＮ薄膜的多晶结构和Ｃ轴垂直取向；通过Ｘ射线衍射分析、透射电镜分析和Ｘ射线光电子能谱分析，确定了ＡｌＳｉＮ薄膜并不是多晶ＡｌＮ和ＳｉＮ薄膜的简单组合，而是形成了稳定的非晶特征结构．且ＡｌＳｉＮ薄膜由于其非晶结构而比ＡｌＮ薄膜的磁光克尔效应增强效果更优越．
- 缪向水李佐宜
- 关键词：磁光盘磁介质
- 溅射工艺条件对TbFeCo/Pt薄膜磁性能的影响被引量：1
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,系统研究了溅射工艺参数对TbFeCo薄膜磁性能的影响。振动样品磁强计测量结果表明:Tb含量在补偿成分点附近,采用较低的溅射氩气压与Pt底层,有利于提高TbFeCo薄膜的磁性能;当Tb含量为0.24,溅射功率为300W,溅射气压为0.53Pa,薄膜厚度为140nm时,TbFeCo/Pt薄膜矫顽力达到476kA/m,饱和磁化强度为151kA/m,剩磁矩形比超过0.8,该薄膜有望用作高密度光磁混合记录介质。
- 程伟明李佐宜胡珊杨晓非董凯锋林更琪
- 关键词：射频磁控溅射矫顽力饱和磁化强度
