您的位置: 专家智库 > >

李德杰

作品数:100 被引量:146H指数:7
供职机构:清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划面向21世纪教育振兴行动计划更多>>
相关领域:电子电信理学动力工程及工程热物理交通运输工程更多>>

文献类型

  • 61篇期刊文章
  • 31篇专利
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 53篇电子电信
  • 15篇理学
  • 4篇动力工程及工...
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 39篇显示器
  • 27篇平板显示
  • 25篇显示器件
  • 19篇平板显示器
  • 18篇平板显示器件
  • 18篇场发射显示
  • 15篇场发射
  • 15篇场发射显示器
  • 12篇电子发射
  • 11篇溅射
  • 9篇调制器
  • 9篇真空电子
  • 8篇光纤
  • 7篇调制
  • 7篇场发射阵列
  • 6篇电子传导
  • 6篇纳米
  • 6篇场发射阴极
  • 6篇超高真空
  • 5篇电极

机构

  • 100篇清华大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇大连铁道学院
  • 1篇黑龙江大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 100篇李德杰
  • 9篇杜秉初
  • 7篇屈晓声
  • 6篇袁璟
  • 6篇王健
  • 5篇周炳琨
  • 5篇张克潜
  • 4篇张志坚
  • 4篇胡思正
  • 4篇郭奕理
  • 4篇吴伯瑜
  • 4篇张军
  • 4篇张汉一
  • 3篇陈戈林
  • 3篇黄绮
  • 3篇黄静华
  • 3篇王健华
  • 3篇王健
  • 3篇罗淑云
  • 3篇彭吉虎

传媒

  • 10篇真空科学与技...
  • 7篇微细加工技术
  • 5篇高技术通讯
  • 5篇真空电子技术
  • 4篇太阳能学报
  • 3篇通信学报
  • 3篇电子学报
  • 3篇光学学报
  • 3篇真空科学与技...
  • 2篇中国激光
  • 2篇功能材料
  • 2篇半导体光电
  • 2篇中国真空学会...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇光子学报
  • 1篇现代电信科技
  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 7篇2009
  • 5篇2008
  • 3篇2007
  • 7篇2006
  • 3篇2005
  • 5篇2004
  • 4篇2003
  • 14篇2002
  • 6篇2001
  • 12篇2000
  • 3篇1999
  • 4篇1998
  • 5篇1997
  • 5篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 4篇1993
100 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
直流工作的介质层组分渐变薄膜场发射阴极
直流工作的介质层组分渐变薄膜场发射阴极,涉及一种直流驱动方式工作的平面型场发射阴极的结构设计。本发明由玻璃基板、下电极、介质层和上电极组成,所述的介质层是由低电子亲和势材料逐步变化到高电子亲和势材料的组分渐变介质构成的。...
李德杰万媛卜东生
文献传递
宽频带行波型电光调制器阶跃倒相电极系统的设计被引量:1
1993年
用Fourier级数方法,建立了集成光学行波型电光调制器阶跃倒相电极系统所需满足的方程组。用数值计算法求解方程组得出计算结果表明,用此法设计M=5,7,13分段的电光调制器的带宽与半波电压比值(BVR)分别增加26.8%,63.2%和94.8%,它们的调制系数频率响应平坦度在±O.3dB以内。
吴伯瑜张京邵晓风李德杰彭吉虎
关键词:集成光学元件光调制器
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱光调制器被引量:1
1992年
利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中具有广泛的应用前景。本文以光通信为主要应用背景,论述了量子阱调制器的开关比和调制电压、插入损耗、调制带宽、频率啁啾等各项技术指标,指出了量子阱调制器存在的工作波长范围窄和饱和吸收等主要问题并讨论了可能的解决途径,最后讨论了量子阱调制器在光电子集成,主要是半导体激光器和量子阱调制器单片集成方面的应用、发展情况和存在问题。
司伟民李德杰王健华彭吉虎张克潜
关键词:半导体光调制器
场发射显示器件中真空获得和维持工艺的改进被引量:2
2002年
真空的获得和维持是目前FED研究工作中存在的主要困难之一。本文研究了在现有的传统封接排气以及消气工艺的实验条件下 ,进行了多种工艺改进 :设计了一种新型的三层FED器件结构 ,在这种结构中 ,实现了蒸散型消气剂和非蒸散型消气剂的共同使用 ;并采用了气体保护 ,以及电子轰击去气等有效措施 ,实现了FED器件内部持久的高真空度 ,为FED阴极高稳定。
张军袁璟杜秉初李德杰
关键词:场发射显示器件场发射显示排气
一种在玻璃衬底上制备碳纳米管的方法
一种在玻璃衬底上制备碳纳米管的方法,属于碳纳米管生长技术领域,特别涉及碳纳米管场发射阴极的制备。本发明以玻璃作衬底,先在玻璃衬底上沉积一层II主族金属或稀土金属的氟化物薄膜,再在其上沉积铁、钴、镍、钯或这些材料组成的合金...
李德杰任延来朱丹
文献传递
以硅基材料为介质层的低辐射玻璃
低辐射玻璃是一种可以透过阳光中的大部分可见光,反射阳光中的部分近红外线,并具有很低的远红外线辐射系数的玻璃,节能效果非常明显。在世界上发达国家,大部分建筑都采用这种低辐射玻璃。在我国,低辐射玻璃的应用还不十分广泛,主要原...
李德杰
文献传递
InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究被引量:2
1996年
通过吸收光电流谱的测量.观察到用国产MBE设备生长的与InP衬底晶格匹配的In-GaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性.报道了可用于波导型调制器制作的MQW样品材料的X射线双晶衍射结果,并用计算机模拟出与实测十分相似的曲线,得到了可靠的量子阱结构参数,证明样品材料具有优良的外延质量.利用等效无限深阱模型进行的理论计算表明,应考虑样品p-i-n结内建电场的影响,才能使算出的吸收边红移与实验值符合.
俞谦王健华李德杰王玉田庄岩姜炜黄绮周钧铭
关键词:INGAAS多量子阱量子尺寸效应
微扰模型分析长周期光纤光栅薄膜传感器被引量:1
2007年
提出了一种新的基于三层阶跃折射率光纤的微扰模型,分析长周期光纤光栅(Long Period Fiber Grating,LPFG)薄膜传感器,并从β2稳定性定理出发推导出适用于薄膜传感器的微扰公式.该模型不仅能够清晰反映薄膜参量与包层模传播常量变化量之间的关系,而且在计算量和计算难度远低于四层波导模型情况下获得与严格求解结果相当的计算准确度.考虑数值计算本身引入的计算误差,该模型能够满足定性和半定量理论分析需要.最后通过长周期光纤光栅液态水膜的挥发实验对该模型进行了初步验证.
殷海波张敏刘阳廖延彪李德杰
关键词:长周期光纤光栅薄膜传感器微扰理论
平板显示技术的发展种种被引量:1
1999年
人类社会的信息化对显示技术提出了越来越高的要求,既要显示的多样化,又要实现图像画面的高保真度,从微型显示直至超大屏幕技术都成了社会的需求。随着我国数字电视即将开播,我们感到一股HDTV及其显示器热正迎面而来。图1PALC原理结构图作为独立的显示器件,...
李德杰
关键词:平板显示器件PDPSEDOEL
基于钼二维表面光栅的高温太阳能选择性吸收表面设计被引量:1
2011年
采用严格耦合波分析方法设计了基于二维表面光栅的高温太阳能选择性吸收表面。首先根据高温太阳能选择性表面的要求,选择金属钼(Mo)作为二维表面光栅的基底材料。通过优化钼二维表面光栅的几何结构,实现对太阳能的选择性吸收。结果表明:采用等效复折射率渐变的金字塔形光栅,适当减少光栅周期,提高深宽比,可有效提高Mo二维表面光栅的太阳吸收比,同时保持较低的高温热发射比。经过结构优化的Mo表面光栅,法向吸收比α_n=0.936,法向发射比ε_n=0.0692(500℃),0.1765(1000℃),有望用于高温太阳能选择性吸收表面。
王健陈子君李德杰殷志强
共10页<12345678910>
聚类工具0