李忠
- 作品数：8 被引量：152H指数：3
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学一般工业技术理学更多>>
- 碳纳米管的性质及应用被引量：11
- 2005年
- 纳米管作为一种新兴的一维纳米材料,具有其独特的物理、化学性质和广阔的应用前景.介绍了碳纳米管的基本性质以及其在纳米电子学、信息领域、纳米机电系统、材料增强、能源等各个领域中应用的最新研究进展.
- 李玲李忠
- 关键词：碳纳米管一维纳米材料纳米电子学纳米机电系统化学性质
- 氮化Si基ZnO/Ga_2O_3制备GaN薄膜被引量：1
- 2004年
- 利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成GaN薄膜。XRD测量结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用SEM观测了其表面形貌,PL测量结果发现了位于351nm处的室温光致发光峰。
- 高海永庄惠照薛成山王书运董志华李忠
- 关键词：GAN薄膜射频磁控溅射氮化
- 氮化镓薄膜的研究进展被引量：12
- 2003年
- 主要讨论了III V族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题,并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景。
- 李忠魏芹芹杨利薛成山
- 关键词：氮化镓薄膜掺杂衬底缓冲层
- 退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响
- 2004年
- 获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光。
- 李忠赵显李玉国薛成山
- 关键词：蓝光发射
- 电泳法制备ZnO/SiO_2复合薄膜
- 2006年
- 用电泳法在硅衬底上沉积了ZnO/SiO2复合薄膜,然后在650℃和950℃退火热处理30 min。测试结果表明,样品经650℃退火后,复合薄膜ZnO和SiO2微晶颗粒集结成块状,结晶程度较高,颗粒尺寸较大,不连续的散落在硅衬底上。经950℃退火后,其中ZnO和SiO2发生反应生成少量的ZnSiO4微晶颗粒,使复合薄膜在室温下的绿色发光强度有所增加。
- 李忠石礼伟薛成山李玉国
- 关键词：电子技术电泳法光致发光
- 一维GaN纳米材料生长方法被引量：3
- 2004年
- 介绍了国际上近年来合成一维GaN纳米材料的研究情况,分析了模板限制生长法、基于VLS机制的催化反应生长法、氧化辅助生长法和两步模式生长法合成GaN纳米线的工艺特点,展望了GaN纳米线研究重点和方向。
- 李忠杨利薛成山
- 关键词：纳米材料氮化镓纳米线
- 激发波长和电化学腐蚀对注碳外延硅荧光特性的影响
- 2004年
- 电化学腐蚀是蓝光发射的前提,但不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大,随着电化学腐蚀条件的加强,蓝光峰将被红光峰代替。激发光波长亦可影响蓝光发射,如260nm的激发光将引起在360nm光激发下所获得的431nm蓝光峰的蓝移。
- 王强李忠李玉国石礼伟郭兴龙
- 关键词：激发波长电化学腐蚀蓝光发射荧光特性
- 论光纤通信技术的现状及发展被引量：125
- 2003年
- 在概述光纤通信发展过程的基础之上 ,全面介绍了光纤通信技术的现状 ,指出光纤通信技术的发展趋势是实现高速率、大容量、性能价格比合理的全光网络 .此外 ,对我国光纤通信技术的现状及发展也作了一定程度的阐述 .
- 辛化梅李忠
- 关键词：密集波分复用光纤通信全光网络掺铒光纤放大器光交换
