杨兆柱
- 作品数：15 被引量：16H指数：3
- 供职机构：山东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 氨化Si基Ga_2O_3/In制备GaN薄膜被引量：2
- 2007年
- 研究了Ga2O3/In膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好。
- 王福学薛成山庄惠照张晓凯艾玉杰孙丽丽杨兆柱李红
- 关键词：GAN氨化磁控溅射
- Mg_3N_2 粉末的合成和光致发光性质研究(英文)
- 2007年
- Mg粉在800℃氨气流中氨化60min,可得到高质量的Mg3N2粉末。XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.99657nm。SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌。PL测试表明,在激发波长为490nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545nm的绿光发光峰。
- 薛成山艾玉杰孙莉莉孙传伟庄惠照王福学杨兆柱秦丽霞陈金华李红
- 关键词：氮化光致发光
- 钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线(英文)被引量：4
- 2009年
- 利用磁控溅射技术通过氨化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明:制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60nm,其最大长度可达10μm左右。室温下光致发光谱测试发现363nm处的较强紫外发光峰。另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制。
- 薛成山李红庄惠照陈金华杨兆柱秦丽霞王英王邹平
- 关键词：氮化物溅射
- 氮化铟粉末的热稳定性(英文)
- 2007年
- 用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究。结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;但当温度超过500℃时,InN很容易被氧化;当温度增加到600℃时,InN被完全氧化成In_2O_3。
- 王福学薛成山庄惠照艾玉杰孙丽丽杨兆柱张晓凯
- 关键词：热稳定性INNIN2O3
- 磁控溅射和氨化法生长GaN纳米棒及其特性被引量：1
- 2008年
- 使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃,氨化时间为15min。该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉。实验后分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了结构、表面形态和成分测试。通过XRD和XPS测试分析,合成的纳米棒具有六方纤锌矿GaN结构;通过SEM、TEM和HRTEM观察分析得出合成的纳米棒为单晶GaN纳米棒。简单讨论了GaN纳米棒的生长机制。
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- 关键词：氮化镓溅射纳米棒单晶
- 氮化铟粉末在N_2气中的热稳定性(英文)被引量：1
- 2007年
- 用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在N_2气中的热稳定性进行了分析。结果表明:当温度超过600℃时,一部分InN粉末被氧化;但当温度增加到800℃时,一部分InN粉末分解成In和N_2;一部分InN粉末转变成In_2O_3粉末。
- 王福学薛成山庄惠照张晓凯艾玉杰孙丽丽杨兆柱
- 关键词：热稳定性N2IN2O3
- 氨化Si基Ga_2O_3/Co薄膜制备GaN纳米线被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Co薄膜，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米线的尺寸在50-200nm之间。
- 秦丽霞薛成山庄惠照陈金华李红杨兆柱
- 关键词：磁控溅射GAN纳米线CO
- 磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒被引量：1
- 2008年
- 使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒。采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形态,结构和成分。研究结果表明,合成的样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒。最后讨论了GaN纳米棒的生长机理。
- 陈金华薛成山庄惠照秦丽霞李红杨兆柱
- 关键词：纳米棒GAN溅射
- 硅基钒应变层制备氮化镓及氧化镓一维纳米结构的研究
- 随着现代科学技术的发展，人们要求材料具有更优越的物理性能，且器件的尺寸越来越微型化，这些都促使现代凝聚态物理和材料科学的研究在低维材料方面产生了极大的兴趣。低维材料的研究目的主要有三个方面：(1)对发生在三维材料中的一些...
- 杨兆柱
- 关键词：应变层氮化镓氧化镓一维纳米结构
- 文献传递
- GaN纳米棒的催化合成及其发光特性(英文)被引量：4
- 2008年
- 使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm,长度约10μm.光致发光谱在368.6nm处有一强的紫外发光峰,说明纳米棒具有良好的发光特性.讨论了GaN纳米棒的生长机制.
- 陈金华薛成山庄惠照李红秦丽霞杨兆柱
- 关键词：GAN纳米棒单晶发光
