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杨凯

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:电子科技大学物理电子学院更多>>
发文基金:四川省青年科技基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇二极管
  • 1篇有机半导体
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光二极...
  • 1篇迁移率模型
  • 1篇解析模型
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇半导体

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇孙久勋
  • 2篇杨凯
  • 2篇王平

传媒

  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇电子元器件应...

年份

  • 2篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
有机发光二极管中空间限制电流的解析模型
2011年
文中指出了J-V的解析方程不是漂移方程和泊松方程的严格解,通过分析Pasveer文章中迁移率跟载流子浓度和电场强度的关系,发现载流子浓度的依赖关系是没有必要的。同时对目前流行的Poole-Frenkel模型进行近似化处理,得到了依赖于电场强度的迁移率关系,并在这个近似化处理后的依赖关系的基础上漂移方程和泊松方程能够被严格地解出来,通过把电流-电压方程(关系)的解析模型应用于半导体聚合物,很好地描述了伏安实验数据。
杨凯孙久勋王平
关键词:有机发光二极管迁移率
有机二极管基于通用迁移率模型的解析电流电压关系被引量:1
2011年
提出一种有机半导体二极管电流电压关系的解析表达式.该表达式是基于Pasveer等人[Phys.Rev.Lett.94,206601(2005)]的迁移率模型建立的,其中考虑了影响有机半导体载流子输运最重要的因素,包括温度、载流子浓度和电场强度.将Pasveer等人迁移率公式中的栽流子浓度和电场强度用常数迁移率下严格解计算的平均值代入,然后将得到的迁移率取代Mott-Gurney电流电压关系中的常数迁移率从而得到解析电流电压表达式.将新解析表达式应用于三种材料制作的有机二极管,计算结果与实验数据符合很好,表明解析表达式是合理的.
王平孙久勋杨凯
关键词:有机半导体迁移率二极管
共1页<1>
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