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杨凯

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇相变材料
  • 1篇磨损
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇AFM

机构

  • 1篇江苏大学

作者

  • 1篇程广贵
  • 1篇王晓东
  • 1篇杨凯

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2020
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
机械-化学耦合作用下GeSbTe相变材料的微观损伤行为
2020年
为了研究机械磨损、化学腐蚀对锗锑碲(GeSbTe)相变材料微观损伤行为的影响,利用原子力显微镜(AFM)及SiO2探针对GeSbTe表面在不同工况下产生的微观损伤进行了研究。实验结果表明:在大气环境下,GeSbTe表面经过单次面磨损(面扫描)会形成一个方形磨坑。该磨坑在NaOH碱性溶液中会发生腐蚀,同时磨坑深度随腐蚀时间增加而增加。在NaOH溶液中对GeSbTe表面进行单次面磨损同样产生方形磨坑,并且该磨坑深度也随腐蚀时间的增加而增加。由大气环境下不同法向载荷磨损对比实验可知,腐蚀前的机械作用会促进后续腐蚀损伤。GeSbTe表面自然氧化层的腐蚀实验表明GeSbTe表面自然氧化层在NaOH溶液中的腐蚀可忽略,并且对GeSbTe次表层起掩膜作用。由于NaOH溶液中SiO2探针与GeSbTe表面存在润滑及双电层作用,致使面磨损损伤较轻微,即对表面自然氧化层的损伤小,导致后续腐蚀损伤轻微。本研究结果有助于理解GeSbTe的化学机械抛光(CMP)机理。
杨凯王晓东程广贵
关键词：化学腐蚀
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