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文献类型

  • 4篇期刊文章
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  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 4篇功耗
  • 3篇电容
  • 3篇电容型
  • 3篇芯片
  • 3篇LDO
  • 2篇上电复位
  • 2篇上电复位电路
  • 2篇零功耗
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  • 2篇LDO设计
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  • 1篇低压差
  • 1篇低压差线性稳...
  • 1篇电压转换
  • 1篇电压转换器
  • 1篇电源
  • 1篇电源芯片

机构

  • 7篇华中科技大学

作者

  • 7篇杨诗洋
  • 6篇邹雪城
  • 5篇陈晓飞
  • 3篇雷鑑铭
  • 3篇邹志革
  • 3篇李思臻
  • 2篇谢静菁
  • 2篇郑朝霞
  • 2篇余国义
  • 2篇刘占领
  • 2篇余少敏
  • 2篇刘政林
  • 1篇洪毅
  • 1篇吴俊
  • 1篇鲁力

传媒

  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇微电子学

年份

  • 1篇2010
  • 6篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种静态零功耗上电复位电路
本发明公开了一种静态零功耗上电复位电路,包括电压检测电路、脉冲锁存电路、缓冲输出电路以及清零复位电路。其中电压检测电路的一个输入端连接电源,另一个输入端连接输出缓冲电路的使能控制输出端,电压检测电路的输出端连接脉冲锁存电...
刘政林邹雪城陈晓飞杨诗洋郑朝霞余少敏李思臻谢静菁刘占领
文献传递
一种静态零功耗上电复位电路
本发明公开了一种静态零功耗上电复位电路,包括电压检测电路、脉冲锁存电路、缓冲输出电路以及清零复位电路。其中电压检测电路的一个输入端连接电源,另一个输入端连接输出缓冲电路的使能控制输出端,电压检测电路的输出端连接脉冲锁存电...
刘政林邹雪城陈晓飞杨诗洋郑朝霞余少敏李思臻谢静菁刘占领
文献传递
基于阻尼系数控制频率补偿的无电容型LDO设计被引量:2
2009年
基于级间密勒补偿技术,产生一个低频主极点,并通过阻尼系数控制(DFC)单元调节两个次主极点略高于单位增益频率(UGF),使得无电容型LDO开环传递函数中在UGF内只有一个极点,从而保证环路稳定性,同时又优化了系统的动态响应.基于该结构,采用HHNEC0.25μm CMOS工艺,设计了一个1.8V100mA的适合SoC应用的无电容型LDO.其电压降为50mV,在50μA到100mA的负载电流范围内,开环传递函数相位裕度高于55度,瞬态电压过冲值低于140mV,负载电流在最大值与最小值之间阶跃变化时,最大恢复时间为3μs,系统静态电流为40μA.
邹志革杨诗洋邹雪城雷鑑铭陈晓飞余国义
关键词:频率补偿稳定性
无电容型LDO的研究现状与进展被引量:11
2009年
无电容型低压差线性稳压器(LDO)除具有低噪声和高精度的特点外,还具有便于SoC系统集成和低应用成本的优点。与传统LDO相比,无电容型LDO无法利用输出电容的ESR补偿零点,也无法使输出电容在负载电流瞬态变化时为其提供充放电电流,从而在稳定性和瞬态特性上遇到巨大挑战。分析讨论了无电容型LDO的设计挑战;回顾了无电容型LDO在提高稳定性和改善瞬态特性上的最新研究成果。
邹志革邹雪城雷鑑铭杨诗洋陈晓飞余国义
关键词:低压差线性稳压器集成稳压器
基于混合宏模型的无电容型LDO设计
2009年
模拟集成电路的"自顶向下"设计方法能大大提高电路设计效率。提出了一种"混合宏模型",能高效、简便地完成模拟集成电路的建模,进而指导器件级电路设计。基于"混合宏模型"的设计方法,完成了一款基于HHNEC 0.25μm标准CMOS工艺的无电容型LDO设计。
邹志革邹雪城雷鑑铭杨诗洋陈晓飞
关键词:模拟集成电路
一种改进的高精度低功耗过温保护电路被引量:16
2009年
为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,文中提出一种改进的高精度、低功耗,具有迟滞功能,结构简单的过温保护电路.基于JAZZBCD0.5μm工艺库模型,采用Cadence的Spectre仿真器进行模拟验证,结果表明:当温度超过140℃时,电路输出信号发生翻转,控制芯片停止工作;当温度降至118℃时,恢复芯片工作.在电源电压VDD工作范围2.9~6V内,过温保护阈值变化量为0.275℃,迟滞阈值变化量为0.225℃.典型工作状态下,电路的静态电流为46μA.因此该电路适用于各种电源管理芯片.
吴俊邹雪城李思臻鲁力杨诗洋洪毅
关键词:过温保护BCD工艺
低1/f噪声LDO的研究与设计
在便携设备及工业自动化系统中,往往需要多颗电源芯片提供电能并进行功耗管理,其中LDO和DC-DC是应用最广泛的两种电压转换器。   LDO 由来已久,早在三极管时代,就已经有使用NPN 达林顿管作调整管的形式。   ...
杨诗洋
关键词:便携设备功耗管理电压转换器晶体管电源芯片
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