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武慧珍

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院微电子学系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇浅结
  • 2篇超浅结
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇微分
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇PN结

机构

  • 2篇复旦大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇茹国平
  • 2篇李炳宗
  • 2篇屈新萍
  • 2篇武慧珍
  • 2篇蒋玉龙
  • 1篇张永刚
  • 1篇黄魏

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇复旦学报（自...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结
2006年
采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.
武慧珍茹国平张永刚金成国水野文二蒋玉龙屈新萍李炳宗
关键词：超浅结
反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结被引量：1
2007年
用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级.
武慧珍茹国平黄魏蒋玉龙屈新萍李炳宗
关键词：超浅结载流子浓度载流子迁移率
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