段启亮
- 作品数：13 被引量：27H指数：2
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：河南省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学化学工程更多>>
- 利用SiO2颗粒形成薄膜太阳电池的陷光结构
- 以正硅酸乙酯(TEOS)、氨水、酒精、去离子水为原料,采用乳胶-凝胶法,在普通玻璃衬底上制备出最大粒径在400纳米左右的SiO2颗粒层,形成薄膜太阳电池的陷光结构。在相同的沉积条件下,分别在带有该颗粒层的玻璃和普通玻璃上...
- 段启亮王海燕卢景霄陈永生
- 关键词：薄膜太阳电池
- 文献传递
- 一种增强薄膜太阳电池中硅膜的光吸收的新方法
- 以正硅酸乙酯（TEOS）、氨水、酒精（EtOH）、去离子水为原料,采用乳胶-凝胶法,在普通玻璃衬底的上表面制备出一层最大粒径在400nm左右的SiO2颗粒,利用这层颗粒对入射光的散射作用,增强Si薄膜对入射光的吸收。在相...
- 段启亮王海燕杨仕娥卢景霄陈永生
- 关键词：薄膜太阳电池光吸收SIO2颗粒
- 温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响被引量：4
- 2005年
- 为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。
- 靳锐敏卢景霄扬仕娥王海燕李瑞冯团辉段启亮
- 关键词：无机非金属材料PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜
- 磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究被引量：17
- 2005年
- 用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。
- 张丽伟卢景霄段启亮王海燕李瑞靳锐敏王红娟张宇翔
- 关键词：无机非金属材料AZO薄膜磁控溅射法退火温度
- 多孔硅中氧、碳、氮行为的研究
- 本文用化学腐蚀法在多晶硅片上制作多孔硅,通过不同的热处理过程,对多孔硅的表面微结构的SEM测量,分析了其表面结构特点。通过SEM、X—EDS、Raman及XPS研究了氧在多孔硅层中的主要热行为。论述了在多孔硅用于太阳能电...
- 王海燕段启亮卢景霄孙晓峰陈泳生冯团辉李瑞
- 关键词：氧沉淀
- 文献传递
- 快速热退火前后ZnO及ZnO/Al薄膜性质的研究被引量：2
- 2005年
- 鉴于直流反应溅射制ZAO膜对反应条件敏感,研究发现,经快速热退火(RTA)处理能放宽对反应条件的要求.实验中ZnO及 ZnO/Al薄膜用直流反应磁控溅射法制备.选用金属Zn及金属合金Zn/Al靶.经快速热退火(RTA)后,通过XRD,UV-VIS-NIR分光光度计、四探针测方电阻等,研究了经不同温度RTA后ZnO及ZnO/Al薄膜的结晶状况、方电阻、电阻率、可见光透过率等的变化.对传统热退火和RTA进行了比较:经RTA 600℃后电阻率减小5～9个数量级,达1×10-3Ω·cm.
- 王海燕卢景霄段启亮陈永生靳瑞敏张宇翔杨仕娥
- 关键词：无机非金属材料直流反应磁控溅射
- 利用SiO<,2>颗粒形成薄膜太阳电池的陷光结构
- 以正硅酸乙酯(TEOS)、氨水、酒精、去离子水为原料,采用乳胶-凝胶法,在普通玻璃衬底上制备出最大粒径在400纳米左右的SiO<,2>颗粒层,形成薄膜太阳电池的陷光结构.在相同的沉积条件下,分别在带有该颗粒层的玻璃和普通...
- 段启亮王海燕卢景霄陈永生
- 关键词：薄膜太阳电池陷光结构
- 文献传递
- N^+注入ZnO薄膜表面性质的变化被引量：1
- 2005年
- 用直流反应磁控溅射法制备ZnO薄膜,将N+注入ZnO薄膜经快速热退火(RTA)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR分光光度计等比较了N+注入后ZnO薄膜的电阻率、导电类型、表面形貌和可见光透过率等的变化。经不同条件处理后的ZnO薄膜均具有相同的择优取向(002)。经RTA后颗粒普遍增大;N+注入后经RTA颗粒增大明显,最大有1μm。N+注入后,使ZnO膜的导电类型由原来的n型转变为弱p型。
- 王海燕段启亮陈泳生靳瑞敏杨仕娥卢景霄
- 关键词：无机非金属材料直流反应磁控溅射N^+注入P型掺杂
- 多孔硅形成机理的逆结晶学模型(英文)被引量：2
- 2005年
- 本文概述了多孔硅形成机理和现有模型。通过观察和分析多晶多孔硅化学腐蚀机理提出了一个新模型:多孔硅形成机理的逆结晶学模型。这个模型指出多晶多孔硅均匀形貌具有自选择性,而此自选择性受结晶学原理控制。此模型的提出对研究晶体生长有用。
- 王海燕卢景霄郜晓勇孙晓峰段启亮
- 关键词：多孔硅结晶学晶体生长硅化多晶形貌
- 多孔硅中氧、碳、氮行为的研究
- 本文用化学腐蚀法在多晶硅片上制作多孔硅,通过不同的热处理过程,对多孔硅的表面微结构的SEM测量,分析了其表面结构特点.通过SEM、X-EDS、Raman及XPS研究了氧在多孔硅层中的主要热行为.论述了在多孔硅用于太阳能电...
- 王海燕段启亮卢景霄孙晓峰陈泳生冯团辉李瑞
- 关键词：氧沉淀多孔硅太阳能电池
- 文献传递
