毕大炜
- 作品数：30 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响被引量：1
- 2013年
- 本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了三维器件仿真模拟,仿真结果与实验结果符合得很好.
- 宁冰旭胡志远张正选毕大炜黄辉祥戴若凡张彦伟邹世昌
- 关键词：SOI
- 表面粗糙化来提高SiO2中纳米硅的拉曼强度
- 2011年
- 本文采用表面粗糙化的方法,在拉曼背散射配置下观察到SiO2中注入硅离子形成纳米硅的拉曼散射特征峰.运用声子限制模型对纳米硅的特征峰进行曲线拟合,得到纳米硅的平均晶粒尺寸是2.6nm.这个结果与透射电子显微镜直接观测的纳米硅尺寸非常符合.以上研究表明,表面粗糙化是一个非常有效的方法来提高拉曼散射强度,从而方便地研究纳米硅的拉曼特征,不会对纳米硅的物理性质发生影响.
- 张有为毕大炜公祥南边惠万里唐东升
- 关键词：纳米硅拉曼散射
- 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固被引量：2
- 2011年
- 本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力。
- 王茹张正选俞文杰毕大炜陈明刘张李宁冰旭
- 关键词：绝缘体上硅注氧隔离总剂量辐照纳米晶
- 利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文)
- 研究采用硅离子注入及高温退火的方法对 SOI 材料进行抗辐射加固．通过对比发现,制作在加固 SOI 衬底上的 NMOS 器件和 CMOS 反相器在总剂量辐射下性能恶化程度大大降低．陷阱电荷和界面电荷的分析解释了加固机理．...
- 俞文杰张正选贺威田浩陈明王茹毕大炜
- 关键词：总剂量辐射离子注入
- 文献传递
- Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较
- 2010年
- 本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估。
- 毕大炜张正选张帅
- 关键词：SIMOX总剂量辐射效应
- 浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展
- 本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论,主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出:总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷,引起浮栅上电荷的变化。
- 刘张李张正选毕大炜张帅田浩俞文杰陈明王茹
- 关键词：控制电路总剂量辐射效应
- 文献传递
- 微环电光调制器及其制备方法
- 本发明提供一种微环电光调制器及其制备方法，微环电光调制器包括从下至上的硅衬底、埋氧层、辐射加固层、硅层及氧化硅层；本发明将掺杂离子注入埋氧层中形成辐射加固层，以在辐射加固层中产生大量电子陷阱，从而可俘获电子，以补偿由于高...
- 周悦毕大炜吴龙生武爱民
- 文献传递
- 深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
- 2012年
- 研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的关态泄漏电流.这个电流与沟道长度存在一定的关系,沟道长度越短,泄漏电流越大.首次发现辐照会增强这个电流的沟道长度调制效应,从而使得器件进一步退化.
- 胡志远刘张李邵华张正选宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
- 关键词：总剂量效应
- 一种高速低功耗抗双节点翻转锁存器
- 本实用新型涉及一种高速低功耗抗双节点翻转锁存器，包括第一传输门、第二传输门、第三传输门、第四传输门、自恢复模块、钟控反相器和钟控MCE；所述第一传输门、第二传输门、第三传输门、第四传输门的输入端均与输入数据端相连，所述自...
- 陈卓张正选毕大炜胡志远
- 一种双栅SOI器件结构及其制作方法
- 本发明提供一种双栅SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底及形成于SOI衬底中并通过浅沟槽隔离结构隔离的MOS晶体管；所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极、栅极接触、源极接触及漏极接触；所述MOS晶体管还包括背栅...
- 胡志远张正选宁冰旭毕大炜彭超邹世昌
- 文献传递
