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潘训刚

作品数：3 被引量：6H指数：2
供职机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>
发文基金：安徽省自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇SIC薄膜
  • 1篇性能研究
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇直流磁控
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇射线衍射
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅基
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇TIO2薄膜
  • 1篇TIO_2薄...
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇EB-PVD
  • 1篇表面形貌
  • 1篇磁控

机构

  • 3篇合肥工业大学

作者

  • 3篇潘训刚
  • 2篇何晓雄
  • 1篇徐开松
  • 1篇胡冰冰
  • 1篇马志敏

传媒

  • 2篇合肥工业大学...

年份

  • 3篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
衬底对直流磁控溅射制备TiO_2薄膜结构和形貌的影响被引量：2
2012年
在气压为1Pa和2Pa的情况下,文章采用直流磁控溅射法分别在Si(100)、Al2O3陶瓷、普通载玻片3种衬底上生长TiO2薄膜;利用原子力显微镜对TiO2薄膜的表面形貌进行观察,研究了压强及衬底对薄膜表面形貌的影响。并研究表明,在Si(100)衬底上生长的TiO2薄膜,气压为2Pa时比1Pa时表面粗糙度要大;在相同溅射气压下,Si(100)衬底上得到的TiO2薄膜质量明显优于Al2O3陶瓷和普通载玻片衬底上的。
徐开松何晓雄潘训刚
关键词：TIO2薄膜磁控溅射表面形貌
电子束物理气相沉积法制备SiC薄膜及性能研究
碳化硅(SiC)是继Ge、Si、GaAs之后的第三代半导体材料的典型代表。SiC半导体材料因为具有带隙宽、热导率高、临界击穿电场高以及饱和载流子漂移速度快等特点，因此在高温、高频、抗辐射和大功率等领域具有广阔前景。电子束...
潘训刚
关键词：半导体材料碳化硅薄膜
文献传递
EB-PVD制备硅基SiC薄膜及其性能研究被引量：2
2012年
文章采用电子束蒸发物理气相沉积(EB-PVD)技术在单晶Si片上制备SiC薄膜,通过台阶仪(surfaceprofiler)、原子力显微镜(AFM)、半导体综合测试仪、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌、电学性能及其结构进行分析。结果表明:SiC薄膜越厚,表面平均粗糙度越低;退火温度越高,薄膜结晶质量越好;对SiC薄膜进行辐照的光频率越高,光电流越大。
潘训刚何晓雄胡冰冰马志敏
关键词：SIC薄膜原子力显微镜扫描电子显微镜X射线衍射
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