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王义凯

作品数:3 被引量:14H指数:1
供职机构:浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所更多>>
发文基金:浙江省科技厅科技计划项目浙江省重点科技计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电流基准
  • 2篇CMOS
  • 1篇电流
  • 1篇电压
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇体效应
  • 1篇温度
  • 1篇温度补偿
  • 1篇稳定性
  • 1篇稳压
  • 1篇稳压器
  • 1篇线形
  • 1篇高稳定
  • 1篇高稳定性
  • 1篇LDO
  • 1篇大电流

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇巩文超
  • 3篇王义凯
  • 3篇王忆
  • 3篇何乐年
  • 1篇严晓浪
  • 1篇崔传荣

传媒

  • 2篇浙江大学学报...
  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
新型高电源抑制比CMOS电流基准
2008年
为提高CMOS集成电路中电流基准的精度和稳定性,提出了一种结构简单,电源抑制比(PSRR)很高的电流基准结构——三支路电流基准.应用基尔霍夫定律(Kirchhoff’s current and voltage law,Kcl Kvl)和偏微分方程,对比分析了传统的电流基准、共源共栅电流基准以及三支路电流基准的小信号模型,求解出了这3种电路的电源抑制比公式.对比发现传统电流基准和共源共栅电流基准的节点电压正反馈限制了电流基准的性能,三支路结构由于节点电压成强负反馈,拥有更高的PSRR.三支路电流基准采用了一阶温度补偿方案,保证了温度稳定性.经CSMC0.5μm工艺仿真结果显示,三支路基准在输入电压1.5~5.0V的低频PSRR达-77.9dB,明显优于另外两种结构;在~20~120℃温度区间内输出电流稳定性达到了255×10^-6/℃,满足了大多数应用的要求.
巩文超王忆崔传荣王义凯何乐年
关键词:电流基准电源抑制比温度补偿
与温度、电压及工艺涨落无关的CMOS电流基准被引量:1
2008年
利用工作在亚阈值区的MOS管代替传统电流基准中的三极管或电阻器件,实现了一款全CMOS器件的电流基准.利用PMOS管的体效应实现进一步的温度补偿;利用共源共栅和反馈结构有效地增加了基准电流源德电源抑制比;并利用当工艺发生偏差时CMOS管阈值电压、电子(空穴)迁移率和亚阈值区MOS管漏源电流之间的关系,降低了工艺涨落对基准电流的影响.本设计采用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC公司的0.5μmCMOS混合信号模型进行仿真设计,设计的基准电流中心值为1.62μA.综合考虑温度、电压和工艺涨落对电流基准的影响,温度系数为1.58×10-4%/℃,电源抑制比为90.5 dB,工艺涨落仅造成基准电流±3.5%的变化.
王忆巩文超王义凯何乐年严晓浪
关键词:电流基准体效应
大电流、高稳定性的LDO线形稳压器被引量:13
2007年
以设计输出电流为800mA的高稳定线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)为目标,利用工作在线性区的MOS管具有压控电阻特性,构造零点跟踪电路以抵消随输出电流变化的极点,并且采用了改进型米勒补偿方案使电路系统具有60°的相位裕度,达到了大输出电流下的高稳定性要求.另外,分析了电路在转换发生时电路结构参数和负载整流特性的关系,提出了一种能在瞬间提供大电流的转换速率加强电路,达到了在负载电流从800mA到10mA跳变时,输出电压的跳变量控制在60mV以内,并且最长输出电压恢复时间在500μs以内.芯片采用CSMC公司的0.6μm CMOS数模混合信号工艺设计,并经过流片和测试,测试结果验证了设计方案.
王义凯王忆巩文超何乐年
关键词:稳定性
共1页<1>
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