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王娜婷

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学材料学院更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇直拉单晶硅
  • 1篇直拉硅
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇硅单晶
  • 1篇铜

机构

  • 1篇浙江大学
  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇王永志
  • 1篇吉川
  • 1篇张光超
  • 1篇王娜婷
  • 1篇徐进

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
铜沉淀对直拉硅单晶中洁净区形成的影响
2012年
研究普通热处理和快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜杂质对洁净区生成的影响.通过腐蚀和光学显微镜研究发现,常规高一低.高三步洁净区生成热处理样品中,第一步高温热处理前对样品铜沾污,样品中没有洁净区生成,高密度的铜沉淀布满了样品整个截面.而第二步、第三步热处理过程中引入铜杂质不影响洁净区的生成.研究表明,高温热处理过程中生成的铜沉淀不能溶解是导致洁净区不能形成的最主要原因.另外,由于不同温度下热处理,导致引入铜杂质的平衡浓度不同,会在一定程度上影响洁净区的厚度.对于快速热处理样品,可以得到相似的结果.
王永志徐进王娜婷吉川张光超
关键词：直拉单晶硅
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共1页<1>
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