王春华
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 离子注入法生长GaMnAs材料性质研究
- 磁性半导体材料由于同时具备了磁性和半导体性质,有可能应用于自旋电子学领域,实现在一种材料中完成信息的存储和处理,受到了科学家们的广泛关注.由于GaAs材料在各种电学器件,光学器件中的广泛适用性,基于它的稀磁半导体GaMn...
- 王春华
- 关键词：稀磁半导体离子注入GAMNAS磁滞回线
- 一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法
- 一种磷化铟基量子级联半导体激光器，包括：一N型磷化铟衬底；一N型铟镓砷下波导层，该下波导层制作在N型磷化铟衬底上；一35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源区，该有源区制作在下波导层上；一N型铟镓砷上波导层，该上波导层制作在有...
- 郭瑜王春华刘俊岐刘峰奇王占国
- 文献传递
- 室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质
- 2004年
- 通过室温和 35 0℃注 Mn后热退火 ,在 Ga As/ Al Ga As超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒 .利用原子力显微镜、能量散射 X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质 .通过比较这些颗粒的饱和磁化强度、剩余磁化强度、矫顽力和剩磁比 ,发现 35 0℃注 Mn的样品含有 Mn Ga和 Mn As两种磁性颗粒 ,而室温注 Mn的样品主要含有 Mn
- 王春华陈涌海王占国
- 关键词：离子注入磁性颗粒
- 室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格磁学性质研究
- 通过在不同温度下进行Mn离子注入然后进行热退火,在GaAs/AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒.采用原子力显微镜,能量散射X射线谱,X射线衍射和交变梯度磁强计研究了材料的结构和磁学性质.通过比较它们的饱和磁比...
- 王春华陈涌海王占国
- 关键词：离子注入磁性颗粒
- 文献传递
