王永谦
- 作品数：19 被引量：98H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 稳定高效非晶硅太阳电池
- 本文报道用“不间断生长/退火”PECVD技术,制备了含一定比例（～0.3）微晶成分的非晶硅膜。它具有较小的深缺陷态密度和较好的稳定性,用以制备的非晶硅单结太阳电池稳定效率达到8.02％。
- 廖显伯张世斌王永谦刁宏伟孔光临
- 文献传递
- 掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er^(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响被引量：8
- 2003年
- 对nc Si SiO2 薄膜中纳米硅 (nc Si)、Er3+ 和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究 .在 5 14 .5nm光激发下 ,nc Si SiO2 薄膜在 75 0nm和 1.5 4 μm处存在较强的发光 ,前者与薄膜中的nc Si有关 ,后者对应于Er3+ 从第一激发态4 I1 3 2 到基态4 I1 5 2 的辐射跃迁 .随薄膜中Er3+ 含量的提高 ,1.5 4 μm处的发光强度明显增强 ,75 0nm处的发光强度却降低 .H处理可以明显增强薄膜的发光强度 ,但是对不同退火温度样品 ,处理效果却有所不同 .根据以上实验结果 ,可得如下结论 :在nc Si颗粒附近的Er3+ 和其他的缺陷组成了nc Si颗粒内产生的束缚激子的非辐射复合中心 ,束缚激子通过Er3+ 的非辐射复合 ,激发Er3+ 产生 1.5 4 μm处的发光 ,同时降低了 75 0nm处的发光强度 .nc Si颗粒附近其他非辐射复合中心的存在会降低Er3+ 被激发的概率 ,引起 1.5 4 μm处的发光强度降低 .
- 陈长勇陈维德王永谦宋淑芳许振嘉
- 关键词：掺铒发光特性ER^3+纳米硅
- 掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构被引量：13
- 2000年
- 采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度 ,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系 ,不是单调地随氧含量的增加而增强 .研究了掺铒 a- Si∶ H,O薄膜和微结构 ,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系 .
- 陈维德梁建军王永谦
- 关键词：掺铒光致发光微结构
- 氢化非晶硅氧薄膜微结构被引量：2
- 2002年
- 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H）薄膜的微结构及键构型.研究表明,在0.525≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化程度的不同,大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分,即Si,SiO（:H）,SiO（:H）,SiO2（:H）和SiO2.其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si）颗粒形式存在,随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在.提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构,认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O（:H）,SiO（:H）,Si2O3（:H）和SiO2壳层所包围.随薄膜氧含量x的增加,各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变.
- 王永谦廖显伯刁宏伟陈长勇张世斌徐艳月陈维德孔光临程文超李国华
- 关键词：微结构PECVD法发光机制
- 快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响被引量：3
- 2002年
- 采用micro Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法 2 0 0℃衬底温度下生长的富硅氧化硅 (SRSO)薄膜微结构和发光的影响 .研究发现 ,在 30 0—6 0 0℃范围内退火 ,SRSO薄膜中非晶硅和SiOx∶H两相之间的相分离程度随退火温度升高趋于减小 ;而在 6 0 0—90 0℃范围内退火 ,其相分离程度随退火温度升高又趋于增大 ;同时发现SRSO薄膜发光先是随退火温度的升高显著加强 ,然后在退火温度达到和超过 6 0 0℃后迅速减弱 ;发光峰位在 30 0℃退火后蓝移 ,此后随退火温度升高逐渐红移 .对不同温度退火后的薄膜进行氢等离子体处理 ,发光强度不同程度有所增强 ,发光峰位有所移动 ,但不同温度退火样品发光增强的幅度和峰位移动的趋势不同 .分析认为退火能够引起薄膜中非晶硅颗粒尺度、颗粒表面结构状态以及氢的存在和分布等方面的变化 .结果表明不仅颗粒的尺度大小 ,而且颗粒表面的结构状态都对非晶硅颗粒能带结构和光生载流子复合机理发挥重要影响 .
- 王永谦陈维德陈长勇刁宏伟张世斌徐艳月孔光临廖显伯
- 关键词：微结构发光快速热退火
- 稳定优质氢化非晶硅薄膜的研制
- ＜正＞氢化非晶硅（a-Si:H）是近二十年来发展起来的一种新型功能材料,在新能源和信息显示等高科技领域起着日益重要的作用。然而a-Si:H存在不稳定性问题,严重限制了它的进一步发展和应用。自从 D.L. Staebler...
- 刁宏伟张世斌王永谦廖显伯孔光临
- 文献传递
- 注铒a-SiO_x∶H中Er^(3+)发光与薄膜微观结构的关系被引量：1
- 2002年
- 采用光致发光 (PL )谱和傅里叶变换红外 (FTIR)谱研究了掺铒 a- Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H〈 Er〉)薄膜在不同退火温度下光学性质和微观结构的变化 .PL 谱的测量结果表明 :薄膜在 1.5 4 μm的 Er3+发光和 75 0 nm处的可见发光随退火温度有相同的变化趋势 ,这种变化和薄膜在退火过程中微观结构的变化有着密切关系 .FTIR谱的分析表明 :a- Si Ox∶ H薄膜是一种两相结构 ,富硅相镶嵌在富氧相中 .两者的成分可近似用 a- Si Ox≈ 0 .3∶ H和 a- Si Ox≈ 1 .5∶ H表示 ,前者性质接近于氢化非晶硅 (a- Si∶ H ) ,后者性质接近于 a- Si O2 .富硅相在退火中的变化对 Er3+ 的发光强度有重要影响 .
- 陈长勇陈维德王永谦宋淑芳许振嘉郭少令
- 关键词：ER^3+光学性质
- 氢稀释和频率对非晶硅沉积速率的影响
- ＜正＞在非晶/微晶转变点附近生长的a-Si:H薄膜既具有非晶硅的高光敏性又具有微晶硅的稳定性.因此我们认为提高a-Si:H五薄膜在非晶/微晶转变点附近的沉积速率具有重要意义.
- 徐艳月张世斌刁宏伟王永谦廖显伯
- 文献传递
- 低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构被引量：2
- 2001年
- 利用两种不同激发波长进行 Ram an测量 ,研究了低碳含量 a- Si1 - x Cx∶ H (～ <2 0 at.% )薄膜的结构特征 .采用 6 47.1nm激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的穿透深度 ;而采用488nm激发时 ,激发光被样品表面强烈吸收 .探测深度的变化造成了两种激发下 Raman谱出现较大的差异 .实验结果表明样品体内存在硅团簇结构 ,样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层 .这两种空间的不均匀性造成了高能激发时 Raman谱的 TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽 .以上结果证明不同激发波长将造成Ram an测量结果的差异 .
- 王燕岳瑞峰韩和相廖显伯王永谦刁宏伟孔光临
- 非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究被引量：39
- 2002年
- 通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度 ,并保持其他的沉积参量不变 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功地制备出处于非晶 微晶相变过渡区域的硅薄膜样品 .测量了样品的室温光电导和暗电导 ,样品的光电性能优越 ,在 5 0mW·cm- 2 的白光照射下 ,光电导和暗电导的比值达到 10 6 .在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性 ,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析 .结果表明 ,在我们的样品制备条件下 ,当H2 和SiH4 的流量比R较小时 ,样品表现出典型的非晶硅薄膜的结构特性 ;随流量比R的增大 ,薄膜表现出两相结构 ,其中的微晶成分随氢稀释比的增大逐渐增多 ;用量子尺寸效应估算了两个高氢稀释样品 (R >5 0 )中微晶粒的平均尺寸大小为 2 4nm左右 ;
- 张世斌廖显伯安龙杨富华孔光临王永谦徐艳月陈长勇刁宏伟
- 关键词：非晶硅薄膜喇曼散射微结构
