王雪蓉
- 作品数：40 被引量：59H指数：4
- 供职机构：中国兵器工业集团第五三研究所更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- 化学法测定InxGa1-xN外延层中的In含量
- 2020年
- 采用熔融氢氧化钠对生长在蓝宝石衬底上的InxGa1-xN外延层进行化学腐蚀,通过深紫外光致发光光谱仪测量InxGa1-xN的激发光谱来控制其腐蚀过程,用硫酸和氨水对腐蚀InxGa1-xN后得到的的腐蚀溶液进行酸度调节,加入碘化钾、乙基紫与铟离子形成蓝色的离子缔合物,用苯将离子缔合物萃取至有机相,采用分光光度计测量腐蚀溶液在619 nm波长处的吸光度来计算外延层中的In含量。使用该方法测试6次,测试结果的标准偏差为0.25%,测量结果与卢瑟福背散射法的测量结果基本一致,说明该方法具有较高的精密度和准确度。该方法可用于InxGa1-xN外延层中的In含量的准确测量。
- 王雪蓉刘运传王倩倩周燕萍姚凯马衍东
- 关键词：分光光度法化学腐蚀化学法缔合物
- 聚乙烯炭黑含量国标测试方法的探讨被引量：1
- 2014年
- 针对GB/T 13021-1991规定的聚乙烯炭黑含量测试方法,应用质量管理(QC)程序进行了试验条件的细化及调整,确定了样品量0.5g、热解600℃下恒温30min、灼烧750℃下恒温10min、气流量70mL·min-1的最佳试验条件,提高了工程用聚乙烯管材、管件及其原材料炭黑含量测试的准确度和重复性,同时对此类测试标准的改进具有重要意义。
- 周燕萍孟祥艳王雪蓉魏莉萍刘运传
- 关键词：聚乙烯炭黑含量质量管理
- 利用光致发光法测定Al_xGa_(1-x)N外延膜中的铝元素含量被引量：5
- 2012年
- 采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子,测定了AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。结果表明,发射波长为224.3nm的HeAg激光器能够激发AlxGa1-xN半导体材料产生发光现象。CASTEP软件模拟计算得到AlxGa1-xN的弯曲因子为1.01462±0.06772eV,认为其弯曲因子在1.0eV附近,由此可以理论计算得到具有Al组分梯度的一系列AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。
- 王雪蓉魏莉萍郑会保刘运传周燕萍孟祥艳
- 关键词：光致发光
- 一种铝镓氮晶片外延层中铝元素含量的测试方法
- 本发明属于计量测试技术领域，涉及化学成分量测试技术领域。本发明涉及的铝镓氮晶片外延层中铝元素含量的试验方法，采用熔融的氢氧化钠对铝镓氮晶片外延层多次刻蚀，刻蚀掉的样品经过盐酸中和，形成铝元素的强酸性溶液，采用分光光度法测...
- 刘运传王雪蓉魏莉萍郑会保孟祥艳周燕萍李峙澂
- 文献传递
- 铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法
- 本发明属于计量测试技术领域，涉及的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法铝采用碱熔法对铟镓氮晶片外延层进行表面刻蚀，用硫酸中和刻蚀液，用硫酸或氨水进行酸度调节，采用铟—乙基紫络合显色体系，用分光光度法测定络合体系的吸光度...
- 刘运传王雪蓉孟祥艳周燕萍郑会保魏莉萍
- 文献传递
- 蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析
- 2016年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚Al_xGa_(1-x)N外延膜,通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷,通过高分辨X射线衍射试验对Al_xGa_(1-x)N外延膜进行ω/2θ扫描,结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结构,通过对对称面和非对称面的晶面间距进行修正精确计算了外延膜晶格常数,并由此对应变进行定量分析,四个不同Al组分的Al_xGa_(1-x)N外延膜样品的四方畸变值随Al含量的增大而逐渐减小,并且均小于零,在水平方向上均处于压应变状态。
- 王雪蓉刘运传孟祥艳周燕萍王康王倩倩
- 关键词：MOCVD高分辨X射线衍射晶格常数
- 酚醛树脂基复合材料的等离子烧蚀性能被引量：4
- 2016年
- 利用等离子烧蚀试验系统,对纤维增强酚醛树脂复合材料进行烧蚀试验,并对不同复合材料的烧蚀率和微观形貌进行测试和分析。等离子烧蚀试验条件为:功率60kW,热流密度25000kW/m^2,烧蚀时间8s。结果表明:碳纤维、高硅氧纤维、玻璃纤维增强酚醛树脂复合材料的等离子线烧蚀率分别为:0.180mm/s、0.666mm/s、0.613mm/s,质量烧蚀率分别为:0.167g/s、0.310g/s、0.338g/s,线烧蚀率和质量烧蚀率相对偏差都在5%以内。利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对烧蚀样品的微观形貌进行分析,对不同纤维增强酚醛树脂基复合材料的等离子烧蚀机理进行了探讨。
- 孟祥艳刘运传王康周燕萍王雪蓉王倩倩李承荣
- 关键词：热流密度烧蚀机理
- 采用光致发光法和卢瑟福背散射法测定AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量及斯托克斯移动研究
- 2014年
- 采用深紫外光致发光技术测量AIxGa1-xN半导体薄膜的禁带宽度，结合软件模拟计算AIxGa1-xN薄膜的弯曲因子b，测定了AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量，同时采用卢瑟福背散射技术测定AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量。结果显示，AIxGa1-xN薄膜的激发光谱和吸收光谱测得的禁带宽度一致，说明AIxGa1-xN薄膜中不存在斯托克斯移动，由MaterialStudio软件计算得到弯曲因子b为1．01eV，符合理论值；在卢瑟福背散射测量中，模拟谱和随机谱重合较好，能够准确测得灿元素含量。两种方法测定的AIxGa1-xN外延膜样品中的A1组分含量基本一致，光致发光法结果比背散射法结果稍大，而且Al含量越小，测量结果越吻合。
- 王雪蓉刘运传孟祥艳周燕萍王康
- 关键词：光谱学铝含量光致发光
- 一种铝镓氮晶片外延层中铝元素含量的测试方法
- 本发明属于计量测试技术领域，涉及化学成分量测试技术领域。本发明涉及的铝镓氮晶片外延层中铝元素含量的试验方法，采用熔融的氢氧化钠对铝镓氮晶片外延层多次刻蚀，刻蚀掉的样品经过盐酸中和，形成铝元素的强酸性溶液，采用分光光度法测...
- 刘运传王雪蓉魏莉萍郑会保孟祥艳周燕萍李峙澂
- 精确测定Al_xGa_(1-x)N晶体薄膜中铝含量的电子探针波谱法研究被引量：4
- 2013年
- 采用蒙特卡罗理论模拟加速电子在氮铝镓晶体薄膜中的运动轨迹,研究加速电压与高能电子所能达到样品深度的数学关系,并通过紫外可见光透射法获得晶体薄膜的光学厚度。根据理论模拟结果,选择合适于本样品的加速电压、电流与电子束直径等实验条件,电子探针波谱法测定AlxGa1-xN薄膜中铝元素含量,由两个电子探针实验室进行分析,每个实验室测量6个样品,共12个样品。从重复性测量、X射线强度、物理参数、校准用标准物质及仪器检测限等因素,对电子探针波谱法测量AlxGa1-xN薄膜材料中铝含量的测量不确定度进行分析。研究结果表明电子探针波谱法测量AlxGa1-xN晶体薄膜组分(x=0.8)的相对测量不确定度为2.7×10-2,包含因子k=2。
- 刘运传周燕萍王雪蓉孟祥艳段剑郑会保
- 关键词：蒙特卡罗法
