程丙勋
- 作品数：5 被引量：46H指数：4
- 供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术核科学技术更多>>
- 磁控溅射制备Al膜和Cu膜的结构与性能研究
- 在直接驱动惯性约束聚变/(ICF/)实验中，Al膜和Cu膜是常用的薄膜靶材，因此，制备高质量的Al膜和Cu膜，研究Al膜的结构与物理性能成为其薄膜靶的重要研究内容；基于强辐射源靶对特殊微结构靶的需求，进行了择优取向Cu薄...
- 程丙勋
- 关键词：磁控溅射CU膜沉积速率反射率晶型结构
- 文献传递
- 不同氧氩比例对氧化硅(SiO_2)薄膜的结构及性能的影响被引量：7
- 2007年
- 在不同氧氩比例气氛下,采用反应直流磁控溅射方法制备了SiO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见光谱(UV-Visible spectrum)等研究了氧氩比例的不同对SiO2薄膜的晶体结构、化学配比、表面形貌和光学性能的影响。结果显示:室温下,不同氧氩比例的SiO2薄膜都为非晶结构;随着氧分量的增加,Si2p与O1s向高结合能方向移动;在氧分量较大的气氛下,SiO2薄膜的化学失配度较小,薄膜均匀,致密,在400-1100nm有良好的光透过性。
- 何智兵吴卫东唐永建程丙勋许华
- 关键词：材料学SIO2薄膜
- 溅射功率对直流磁控溅射Ti膜结构的影响被引量：21
- 2006年
- 采用直流磁控溅射方法制备了纯Ti膜,研究了不同功率下Ti膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其应力进行了研究。研究表明:薄膜的沉积速率随溅射功率的增加而增加,当溅射功率为20 W时,原子力显微镜(AFM)图像显示Ti膜光洁、致密,均方根粗糙度最小可达0.9 nm。X射线衍射(XRD)分析表明薄膜的晶体结构为六方晶型,Ti膜应力先随溅射功率增大而增大,在60 W时达到最大值(为945.1 MPa),之后随溅射功率的增大有所减小。
- 程丙勋吴卫东何智兵许华唐永建卢铁城
- 关键词：应力直流磁控溅射直流磁控溅射
- 磁控溅射法制备金/钆柱腔的工艺研究
- 辐射不透明度是高温等离子体的重要物态参数,它表征高温材料对 X 光辐射的吸收、衰减特性,对高温物态系统的辐射能量传输起支配作用。采用金钆混合膜作腔壁,可以有效地提高腔壁材料的辐射不透明度,提高 X 射线的能量利用率。因此...
- 许华吴卫东何智兵程丙勋袁光辉陈志梅
- 文献传递
- 退火温度对溅射铝膜结构与电性能的影响被引量：9
- 2008年
- 采用直流磁控溅射方法成功地制备了Al膜,研究了退火温度对Al膜表面形貌、晶体结构、应力、择优取向及反射率的影响。研究表明:不同退火温度的薄膜晶粒排布致密而光滑,均方根粗糙度小。XRD测试表明:不同温度退火的铝膜均成多晶状态,晶体结构为面心立方,退火温度升高到400℃时,Al膜的应力最小达0.78 GPa,薄膜平均晶粒尺寸由18.3 nm增加到25.9 nm;随着退火温度的升高,(200)晶面择优取向特性变好。薄膜紫外-红外反射率随着退火温度的升高而增大。
- 程丙勋吴卫东何智兵许华唐永建卢铁城
- 关键词：退火温度反射率铝膜膜结构电性能直流磁控溅射
