程宗权
- 作品数：18 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- SMA同轴封装高速光电探测器被引量：4
- 1995年
- 采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管壳对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装，并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性和瞬态特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少了约０．４ｐＦ，上升时间ｔｒ由８５ｐｓ减至２５ｐｓ以下，半高全宽ＦＷＨＭ由２１０ｐｓ减至８５ｐｓ，等效－３ｄＢ带宽增至６ＧＨｚ以上，瞬态特性显著改善。
- 张永刚程宗权蒋惠英
- 关键词：光电探测器封装光纤通信
- InGaAsP/InP单片集成波长解复用器件被引量：1
- 1998年
- 报道了基于二维凹面光栅的单片集成波长解复用器件，器件刻蚀在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平板波导上，通过凹面光栅的色散作用实现不同波长光的分离，光的输入输出耦合由波导阵列来完成，器件的工作波长在１．５μｍ附近，通道间隔约４．３ｎｍ，本文给出了器件的设计方法、制作工艺和初步测试结果。
- 赵春华朱祖华陈抗生杨易王惠民程宗权陈兴国胡雄伟
- 关键词：集成光学器件波分复用
- PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型
- 2003年
- 研究了PIN结构GaInAsSb红外探测器的暗电流特性,建立了器件的PSPICE模型。模拟结果与实际测试结果基本符合。计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用,当反向偏压大于0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用。
- 李志怀夏冠群程宗权黄文奎伍滨和
- 关键词：GAINASSB红外控制器PSPICE
- Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究
- 1989年
- 本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。
- 张桂成程宗权
- 关键词：双异质结发光管INGAASP/INP
- 化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法
- 本发明是化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法。它使用同样的接触合金ＡｕＧｅ，可同时在平面器件的ｐ区和ｎ区得到满意的欧姆接触。使用本发明可减少蒸发光刻及热处理次数，简化工艺，提高成品率。
- 吴丁芬程宗权
- 文献传递
- GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究被引量：1
- 2005年
- 简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了A l2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀A l2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所提高。
- 刘延祥夏冠群唐绍裘李志怀程宗权
- 关键词：GAINASSB/GASB
- InP系波导和光电探测器单片集成
- 1996年
- 本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．
- 杨易陈兴国程宗权王惠民吕章德蒋惠英王晨施惠英吴学海朱祖华胡征
- 关键词：磷化铟光电探测器单片集成
- InGaAs PIN光电探测器的结构设计和性能比较
- 胡维央程宗权王惠民
- 关键词：光电探测器性能分析半导体器件
- p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用
- 1990年
- 本文研究了p-InP/Ag-zn/Mn系的接触特性和界面互扩散问题。结果表明:该系的比接触电阻与Au-zn系相当。而Ag的内扩散程度较Au低,有利于器件可靠性的改善。该系用作InGaAsP/InP边发光管的p面电极,器件的Rs(?)4—6Ω。
- 张桂成程宗权蒋惠英俞志中
- 关键词：比接触电阻
- GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其Ⅰ-Ⅴ特性的研究被引量：1
- 2004年
- 本文简单介绍了GaInAsSb/GaSb PIN探测器的结构及工作原理,重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器Ⅰ-Ⅴ反向偏软的特性的方法。
- 刘延祥夏冠群唐绍裘程宗权
- 关键词：红外探测器I-V特性禁带宽度
