管春梅
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
- 供职机构：浙江理工大学理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 四价离子M(M=Mn,Pr,Sn,Zr,Se,Te)掺杂对CeO_2氧化还原性能的影响被引量：2
- 2012年
- 于考虑了Ce-4f电子之间强关联作用PBE+U方案,采用第一性原理计算方法系统研究了掺杂Mn,Pr,Sn,Zr,Se和Te等对CeO2原子结构、电子结构和还原性能影响.针对形氧空位后掺杂离子对体系中电子转移影响,提出了两种不同制:对于Zr,Se和Te等掺杂CeO2,氧空位形能的降低主要是受到氧空位形后结构扭曲影响;而对于Mn,Pr和Sn等掺杂体系,氧空位形能受到结构扭曲和电子转移双重影响,因此,氧空位形后电子首先转移到掺杂离子上而不是通常的Ce4+上.研究发现,当四价掺杂离子到电子后最外层电子全满或半满结构时,氧空位形时所产生的电子会优先转移到掺杂离子上.
- 唐元昊张华管春梅沈静琴施思齐唐为华
- 关键词：二氧化铈第一性原理计算掺杂
