胡再勇
- 作品数：6 被引量：24H指数：3
- 供职机构：重庆大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>
- 由工业V_2O_5制取VO_2薄膜被引量：9
- 2002年
- 以工业V2 O5为原料 ,采用N2 热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2 薄膜 ,在自制的电阻 -温度测量装置上测量VO2 薄膜的电阻随温度的变化。结果表明 :VO2 薄膜具有明显电阻突变特性 ,其相变达到了 1.5～ 2 .0个数量级 ,相变温度约为 35℃ ;VO2 薄膜的主要成分是二氧化钒 ,同时含有少量其它的钒化合物。
- 杨绍利徐楚韶陈厚生胡再勇
- 关键词：V2O5VO2热分解
- V_2O_5薄膜的导电特性研究被引量：5
- 2001年
- 用攀钢工业V2 O5为原料 ,采用无机溶胶 -凝胶法制备出透明、导电的V2 O5薄膜 ,并实测了电阻率。实验制作的V2 O5薄膜电阻率对温度、湿度比较敏感 ,是一种很好的湿敏材料。薄膜烘干后电阻率减小 ,吸收水分后电阻率又增大。
- 杨绍利徐楚韶胡再勇陈光碧
- 关键词：溶胶-凝胶法电阻率五氧化二钒
- VO_2薄膜相变及其温度滞后被引量：3
- 2002年
- 以攀钢产V2O5为原料,采用无机胶体法制备电阻突变VO2薄膜,研究了VO2薄膜的电阻突变温度、突变数量级及其突变温度滞后. 结果表明,VO2薄膜相变温度为35oC,制备方法和衬底材质对VO2薄膜的电阻突变数量级有较大影响. 以普通玻璃和石英玻璃作衬底、用H2还原法,可使VO2薄膜的电阻突变达到2－3个数量级,用N2热分解法仅能达到1.5～2个数量级;普通玻璃衬底上VO2薄膜的电阻突变数量级小于石英玻璃衬底上的VO2薄膜的电阻突变数量级. VO2薄膜的电阻突变温度滞后为1～6oC,电阻突变数量级、衬底材质和制备方法对其有较大影响.
- 胡再勇徐楚韶杨绍利陈光碧
- 关键词：二氧化钒薄膜
- 二氧化钒薄膜的相变性能研究
- VO2薄膜是一种功能材料，由于其独特的性质，在很多领域内具有潜在的应用价值。近年来VO2研究有了飞速的发展，尤其是VO2薄膜制备技术得到了进一步的发展，一些新的制备技术如有机溶胶—凝胶法、脉冲激光沉淀技术、MOCVD法都...
- 胡再勇
- 关键词：溶胶凝胶法二氧化钒薄膜功能材料相变性能
- 文献传递
- 工业五氧化二钒制备V_2O_5半导体薄膜分析被引量：1
- 2002年
- 用攀钢工业V2 O5为原料采用无机溶胶 -凝胶法制备V2 O5溶胶和凝胶 ,并用此胶体在不同衬底上制备出透明的半导体V2 O5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响 ,以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜 (SEM)研究了薄膜的微观形貌 ,用XRD研究了薄膜的成份及其变化。结果表明 :胶体粘度对涂膜有较大影响 ;温度、湿份、薄膜厚度对薄膜电阻率均有较大影响 ;V2 O5薄膜由针状V2 O5颗粒组成 ,在衬底上呈均匀分布 ,且结构比较密集 ,其颗粒径向尺寸为 0 .5～ 1.0 μm ,长度方向为 3 0～ 5 0 μm。烘干处理后颗粒轮廓略有模糊、结构稀疏且尺寸有所长大 ,同时新生成了一些钒化合物。
- 杨绍利徐楚韶陈厚生胡再勇
- 关键词：V2O5溶胶-凝胶法电阻率
- 工业VO_2薄膜的电阻突变及其稳定性被引量：7
- 2002年
- 以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0～ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温度约低 33℃ ;2 )石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大 ;3)H2 还原法制备的VO2 薄膜电阻突变数量级比N2 热分解法制备的大 ;4)在自然放置条件下短时间内VO2 薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变 ,其突变数量级降低不多 ,突变温度滞后几乎没有变化 ;5 )同等条件下石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级降低较小。
- 杨绍利徐楚韶陈厚生胡再勇
- 关键词：V2O5VO2稳定性热分解法二氧化钒
