胡凡
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 射频离子束辅助溅射镀膜设备的研制被引量：1
- 2013年
- 介绍了一种用于氧化物薄膜制备的射频离子束辅助溅射镀膜设备,阐述了设备原理、组成、特点以及试验结果。通过使用射频离子源和射频中和器,解决了采用热灯丝离子源的同类设备中灯丝易被氧化的关键问题,适合于氧化物薄膜制备。
- 陈特超龙长林胡凡刘欣王慧勇
- 关键词：离子束溅射
- 扫描式磁控溅射设备及工艺研究被引量：2
- 2017年
- 介绍了一种扫描式双腔连续生产型磁控溅射镀膜设备,通过研究不同溅射压强、溅射功率密度下金属薄膜的沉积速率以及沉膜均匀性,实验结果表明在溅射压强0.3 Pa、溅射功率密度9 W/cm^2的条件下沉积TiW薄膜的沉膜速率约41.5 nm/min,均匀性低于4%;沉积Cu薄膜的沉膜速率约95.2 nm/min,均匀性低于3%,符合电子器件镀膜工艺需求。
- 范江华胡凡彭立波程文进佘鹏程毛朝斌
- 关键词：磁控溅射
- SiC外延炉加热系统的设计被引量：5
- 2017年
- 碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟。简要介绍了SiC外延生长设备中加热器的设计方法、温度控制以及温度均匀性调节方法,通过实验验证了温度均匀性及控制精度。
- 陈特超林伯奇龙长林肖慧胡凡程文静丁杰钦杨一鸣龚杰洪
- 关键词：碳化硅加热器线圈温度曲线
- 多靶磁控溅射镀膜设备及其特性被引量：2
- 2016年
- 介绍了一种多靶磁控溅射镀膜设备,阐述了镀膜室、工件台、阴极溅射靶、辅助离子源、真空系统等关键部件的设计思想。镀膜工艺结果显示,设备满足工艺要求,膜层均匀性优于±3%。
- 佘鹏程陈庆广胡凡陈特超彭立波张赛毛朝斌
- 关键词：磁控溅射离子源
