公共文化服务平台

共 7 条记录，以下是 1-7

全选清除导出

排序方式：

风光互补发电系统的优化设计(I) CAD设计方法被引量：48: 2003年; 给出了一整套利用CAD进行风光互补发电系统优化设计的方法。为了精确确定系统每小时的运行状态,采用了更精确地表征组件特性及评估实际获得的风光资源的数学模型。为了寻找出以最小设备投资成本满足用户用电要求的系统配置,首先在风力发电机容量固定不变的前提下,计算了与该容量风力发电机匹配的不同容量的PV方阵和蓄电池所组成的风/光/蓄组合的全年功率供给亏欠率LPSP,根据总的设备投资成本最小化的原则筛选出一组与该容量风力发电机对应的满足用户给定系统供电可靠性即LPSP值的风/光/蓄组合;然后通过改变风力发电机的容量,优选出多个与不同容量风力发电机对应的既能满足用户用电要求同时总的设备购置成本又是最低的风/光/蓄组合,比较它们的成本最终唯一确定出以最小投资成本满足用户用电要求的优化的系统配置。; 艾斌杨洪兴沈辉廖显伯; 关键词：风光互补发电系统 CAD方法

RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究: 使用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜.分别利用XRD SEM、高阻Hall测量和光电导谱测量了它们的结构和电学性能.结果表明,1150℃在石英衬底上生长的征多晶硅薄膜具有[...; 艾斌沈辉班群王晓晶梁宗存廖显伯; 关键词：化学气相沉积多晶硅薄膜电学性能薄膜太阳能电池; 文献传递

新型多晶硅薄膜太阳电池: 沈辉梁宗存艾斌胡芸菲班群徐雪青王晓晶邹嬉武; 在建立具有国际先进水平的颗粒硅带和多晶硅薄膜沉积设备的基础上，开展了以廉价颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜电池的应用基础研究。采用不同纯度、粒度的硅粉为原料利用SSP硅带晶化生长技术制备了不同厚度、宽度及长度的颗粒硅带；并对颗...; 关键词：; 关键词：颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池

高性能价格比多晶硅薄膜太阳电池的研究: 沈辉梁宗存艾斌胡芸菲班群徐雪青王晓晶邹嬉武; 该项目在国内首先建立了具有国际先进水平的颗粒硅带和多晶硅薄膜沉积设备的试验体系，成功地制备了质量良好的颗粒硅带，并以颗粒硅带为衬底外延生长了优质的多晶硅薄膜。在此基础上，制备的颗粒硅带多晶硅薄膜电池的转换效率可达8.25...; 关键词：; 关键词：颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池

小型户用风光互补发电系统匹配的计算机辅助设计被引量：16: 2000年; 提出了一种对小型户用风光互补发电系统匹配设计的计算方法 .考虑了影响风力发电机和太阳电池组合板发电量的各种因素 ,给出了更符合实际的计算风力发电机和太阳电池组合板各月发电量的数学公式 .利用用户所在地区的风频分布、太阳辐射等气象资料 ,计算风力发电机和太阳电池组合板各月发电量 ,以全年各月能量供需平衡进行系统的匹配计算 ,避免了人为插补或离散数据引入的误差 .编制了户用风光互补发电系统的匹配计算程序 .它可根据用户所在地区的气象资料、地理参数以及选用的风力发电机、太阳电池组件、蓄电池等的性能、价格参数 ,计算出满足用户用电要求的不同系统配置 .文章最后以内蒙古自治区苏尼特右旗典型牧户为例 ,说明了设计小型户用风光互补发电系统的一般过程 ,并且给出了上述匹配计算程序的运行结果 .; 艾斌李健刘玉琴季秉厚; 关键词：风光互补发电系统 CAD

风光互补发电系统的优化设计Ⅱ匹配设计实例被引量：59: 2003年; 根据风光互补发电系统优化设计的CAD方法编制了相应的匹配计算程序,并把该程序应用于一假定安装在香港横澜岛上的风光互补发电系统的优化设计。利用香港天文台提供的1989年全年每小时实测的太阳辐射、风速和温度数据以及全年负载用电分布等数据给出了满足两种供电可靠性要求即全年功率供给亏欠率LPSP分别等于0 1和0 01的优化了的系统配置。文章还比较并讨论了这两种优化的系统配置每小时、每日、每月和全年的性能表现。; 艾斌杨洪兴沈辉廖显伯; 关键词：风光互补发电系统优化设计 CAD方法

外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究被引量：3: 2004年; 为了澄清限制所制备的颗粒硅带上的晶体硅薄膜太阳电池效率的主要因素,对制备在颗粒硅带、经区熔(ZMR)后的颗粒硅带和单晶硅衬底上的外延晶体硅薄膜太阳电池进行了QE和Suns-Voc研究.结果表明,颗粒硅带上沉积的外延层的表面有一定的粗糙度,它不但增加了电池表面的漫反射,也使氮化硅减反射膜的结构变得疏松,最终影响了减反射膜的陷光效果;沉积在颗粒硅带上的硅活性层的晶体质量也较差,较重的晶界复合限制了少子扩散长度,使得制备在颗粒硅带上的硅薄膜太阳电池在长波方向上的光谱响应明显变坏.所制备的晶体硅薄膜太阳电池的暗特性参数值均不理想,电池性能尤其受到过高的暗饱和电流I02值和过低的并联电阻Rsh值的严重影响.高的I02值是由于结区硅活性层较差的晶体质量所导致的严重的晶界复合造成的,低的Rsh值被归结为电池经激光切割后未经钝化的裸露的PN结及电池边缘的漏电造成的.; 艾斌沈辉班群梁宗存陈如龙施正荣廖显伯; 关键词：颗粒硅带电池性能减反射膜量子效率硅衬底

全选清除导出

共1页<1>

艾斌