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蔡毅

作品数:91 被引量:382H指数:11
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划兵器基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程兵器科学与技术更多>>

文献类型

  • 61篇期刊文章
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领域

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主题

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  • 5篇晶体缺陷
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  • 5篇红外热成像

机构

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  • 3篇南京理工大学
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作者

  • 91篇蔡毅
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传媒

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年份

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  • 1篇2000
  • 5篇1999
  • 5篇1998
  • 10篇1997
  • 3篇1996
  • 4篇1995
  • 3篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1990
91 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
劳厄形貌术在碲镉汞器件研制中的应用
1997年
讨论了反射劳厄形貌术的优缺点,结合碲镉汞器件研制工作给出了实际应用的几个例子。如碲镉汞晶片结构检查,观察碲镉汞晶片表面的磨抛损伤、跟踪观察碲镉汞晶片在光刻、化学腐蚀成形。
蔡毅
关键词:碲镉汞晶体缺陷红外光学器件
用椭圆偏振测量法分析碲镉汞的组分及其均匀性被引量:1
2001年
简略介绍了椭偏仪的测量原理和测量装置。分析了Hg1-xCdxTe(MCT)的组分与椭偏仪的参数Δ和 ψ之间的关系 ,结果发现碲镉汞的组分x主要与椭偏仪的参数 ψ有关 ,而且x与 ψ的经验关系为 ψ =14.84 - 10 .2 2x。最后用椭圆偏振测量的方法分析了碲镉汞的横向和纵向组分均匀性。该方法具有非破坏性、有效、快捷的特点。
黄仕华蔡毅钱晓凡陈永安
关键词:碲镉汞半导体材料
红外偏振成像的几种技术方案被引量:20
2009年
偏振成像技术是近年来国内外成像技术研究的重点,其有重要的军事和民用应用价值。红外偏振成像技术采用的探测器和对景物光波的偏振分解、扫描方式不同,其技术方案也不相同。按照获取偏振量的不同,可以将红外偏振成像技术分为获取两个、三个、四个偏振态和凝视的偏振成像技术,分别详细介绍了每一种技术方案的组成、特点,指出了红外偏振成像技术的未来发展趋势。
徐参军赵劲松蔡毅潘顺臣
关键词:红外成像
红外系统中的扫描型和凝视型FPA被引量:21
2001年
红外探测器是红外系统的核心器件 ,第二代红外探测器就是FPA。由于红外系统的任务和FPA的特点、技术、价格等原因 ,FPA的发展既有与IC发展类似的规律 ,又有其自身发展的特殊性。通过对制冷的扫描型和凝视型FPA的分析和比较 ,认为在今后FPA的发展中 ,这两种FPA将并行发展 ,以为凝视型FPA要代替扫描型FPA的看法可能是过于简单了。
蔡毅
关键词:红外系统红外探测器
对红外热成像技术发展的几点看法被引量:77
2000年
从红外技术的地位和应用、热成像技术的划代问题、热成像整机系统和探测器、材料的关系、军用热像仪现状等方面 ,提出了对红外热成像技术今后发展的看法。
蔡毅汤锦亚
关键词:红外技术热成像红外探测器
n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究被引量:2
1998年
利用定量迁移率谱技术,通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系,获得了nHgCdTe器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋势.由定量迁移率谱得到的结果与ShubnikovdeHas测量结果以及理论计算的结果非常符合.
桂永胜褚君浩蔡毅蔡毅郑国珍
关键词:电子迁移率
高温区Hg_(1-x)Cd_xTe光导器件的温度-电阻关系被引量:2
1996年
在200~300K范围内测量了n-HgCdTe的电学参数,并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式,所得结果与红外光谱测量数据符合.利用HgCdTe光导器件的电阻-温度特性确定组分,不需要电阻的精确值。
桂永胜蔡毅郑国珍褚君浩郭少令汤定元
关键词:HGCDTE光导探测器红外探测
非制冷铁电混合式红外焦平面探测器被引量:10
2006年
介绍了国内非制冷铁电混合式红外焦平面探测器的最新研究进展,给出器件所采用的铁电材料的基本物理和电学特性参数、器件的热隔离技术和相应参数、读出电路的基本结构和性能,详细讨论了影响性能的关键参数和工艺,最后对试验结果进行了分析.
胡旭太云见袁俊蔡毅
关键词:红外焦平面探测器非制冷铁电
长波光导HgCdTe探测器的输运特性被引量:3
1996年
测量了长波光导HgCdTe线列探测器在1.2~300K的电阻率-温度(R-T)特性,结果表明:高性能和低性能探测元的R-T特性明显不同,前者有与正常HgCdTe材料R-T关系相似的变化规律,后者则与简并HgCdTe材料相似.
蔡毅郑国珍朱惜辰郭少令汤定元
关键词:HGCDTE光导探测器输运特性
HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究
2002年
通过在P HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层 ,制备出了性能较好的MIS器件 ,并通过对MIS器件C V特性的分析 ,获得了ZnS/自身钝化膜 /P HgCdTe的界面特性。所测的界面电荷密度在 10 10 ~ 10 11cm- 2 之间 ,平带电压在
张朝阳蔡毅张鹏翔
关键词:HGCDTEMIS器件C-V特性红外焦平面探测器
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