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薄伟强

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇导体
  • 3篇室温铁磁性
  • 3篇铁磁
  • 3篇铁磁性
  • 3篇稀磁半导体
  • 3篇锌盐
  • 3篇脉冲磁场
  • 3篇半导体
  • 3篇ZNO稀磁半...
  • 2篇高压反应釜
  • 2篇共掺
  • 2篇共掺杂
  • 2篇反应釜
  • 2篇掺杂
  • 1篇导电
  • 1篇导电剂
  • 1篇电极
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇氧化铈

机构

  • 4篇上海大学

作者

  • 4篇朱明原
  • 4篇薄伟强
  • 4篇金红明
  • 4篇李瑛
  • 4篇胡业旻
  • 3篇刘聪
  • 3篇姚俊
  • 3篇王世伟
  • 2篇舒佳武
  • 1篇殷利民
  • 1篇史涛涛

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种用于超级电容器的氧化铈电极的制备方法
本发明涉及一种用于超级电容器的氧化铈电极的制备方法，具有以下步骤：a）将粒径小于1μm的二氧化铈粉末、导电剂和粘结剂按一定比例进行混合搅拌，其中导电剂含量为混合物总质量的10～20wt%，粘结剂含量为混合物总质量的10～...
朱明原史涛涛聂林才殷利民薄伟强胡业旻李瑛金红明
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铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
本发明涉及脉冲磁场下铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩...
朱明原刘聪姚俊舒佳武薄伟强王世伟李瑛胡业旻金红明
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锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
本发明涉及脉冲磁场下锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩...
李瑛刘聪姚俊舒佳武薄伟强王世伟胡业旻朱明原金红明
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铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
本发明涉及脉冲磁场下铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩...
李瑛刘聪王世伟薄伟强姚俊朱明原胡业旻金红明
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