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袁丽

作品数：63 被引量：2H指数：1
供职机构：江苏理工学院更多>>
相关领域：一般工业技术文化科学金属学及工艺哲学宗教更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 10篇一般工业技术
  • 4篇文化科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇哲学宗教

主题

  • 45篇相变存储
  • 44篇相变存储器
  • 44篇存储器
  • 24篇功耗
  • 22篇晶格
  • 22篇超晶格
  • 18篇溅射
  • 17篇晶态
  • 13篇低功耗
  • 13篇晶化
  • 13篇SUB
  • 12篇纳米
  • 10篇电压
  • 10篇电压比
  • 10篇多层膜
  • 10篇多层膜结构
  • 10篇晶格结构
  • 10篇超晶格结构
  • 10篇SB
  • 9篇电阻

机构

  • 61篇江苏理工学院
  • 2篇江苏技术师范...

作者

  • 63篇袁丽
  • 60篇朱小芹
  • 58篇胡益丰
  • 52篇吴卫华
  • 47篇邹华
  • 39篇薛建忠
  • 38篇眭永兴
  • 38篇张建豪
  • 35篇吴世臣
  • 35篇郑龙
  • 26篇孙月梅
  • 11篇张剑豪
  • 10篇翟良君
  • 8篇吴小丽
  • 6篇沈大华
  • 6篇尤海鹏
  • 3篇张丹
  • 2篇周健
  • 2篇卢雅琳
  • 2篇陈奥

传媒

  • 1篇镇江高专学报
  • 1篇枣庄学院学报
  • 1篇江苏理工学院...
  • 1篇湖南中学物理

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 7篇2019
  • 17篇2018
  • 12篇2017
  • 11篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2004
共 63 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低成本高科技物理实验资源开发
2014年
新材料、新技术为开发物理实验资源提供了广阔空间。低成本、高科技物理实验不仅操作简单,运用广泛,而且作用强大。本文例举了粘滞力确定、模拟安全气囊传感器、模拟分光计三类低成本、高科技物理实验的开发实例,展现了这类实验资源的特点,及其对培养学生的动手操作能力和物理学习兴趣的重要作用。
袁丽
关键词：课程资源
一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为N<Sub>x</Sub>（Zn<Sub>15</Sub>Sb<Sub>85</Sub>）<Sub>1‑x</...
朱小芹胡益丰薛建忠吴卫华眭永兴郑龙袁丽江向荣
文献传递
用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期...
胡益丰朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴沈大华
文献传递
一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料
本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料，Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲...
朱小芹胡益丰邹华袁丽吴卫华郑龙张建豪吴世臣眭永兴
文献传递
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期...
胡益丰潘佳浩吴小丽朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴
文献传递
一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途
本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu<Sub>28</Sub>Sn<Sub>33</Sub>Se<Sub>39</Sub>，所述Cu‑S...
胡益丰尤海鹏朱小芹邹华袁丽张剑豪孙月梅薛建忠吴世臣吴卫华郑龙翟良君
氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为N<Sub>x</Sub>（Zn<Sub>15</Sub>Sb<Sub>85</Sub>）<Sub>1‑x<...
朱小芹胡益丰薛建忠吴卫华眭永兴郑龙袁丽江向荣
文献传递
一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积...
胡益丰朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴沈大华
文献传递
一种Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种Er‑Se‑Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的薄膜材料由铒、硒、锑三种元素组成，其化学通式为Er<Sub>x</Sub>(Se<Sub>y</Sub>Sb<Sub>100...
邹华胡益丰朱小芹薛建忠张建豪郑龙吴世臣袁丽孙月梅吴卫华眭永兴
文献传递
一种Sb&lt;sub&gt;70&lt;/sub&gt;Se&lt;sub&gt;30&lt;/sub&gt;/SiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种Sb<Sub>70</Sub>Se<Sub>30</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括Sb<Sub>70</Sub>S...
张丹卢雅琳朱小芹周健胡益丰邹华孙月梅张建豪袁丽吴卫华
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