您的位置： 专家智库 > >

谢孟贤

作品数：21 被引量：43H指数：4
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 20篇电子电信

主题

  • 7篇晶体管
  • 6篇电路
  • 4篇异质结
  • 4篇集成电路
  • 3篇砷化镓
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇微电子
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇英文
  • 2篇优化设计
  • 2篇锗硅
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇迁移率
  • 2篇微电子技术
  • 2篇磷化铟
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇半导体
  • 2篇HEMT
  • 2篇MIS

机构

  • 20篇电子科技大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇四川固体电路...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 21篇谢孟贤
  • 6篇刘诺
  • 4篇杨谟华
  • 3篇于奇
  • 3篇陈勇
  • 2篇杨沛锋
  • 2篇李竞春
  • 1篇肖军锋
  • 1篇严顺炳
  • 1篇谭开洲
  • 1篇刘光耀
  • 1篇肖兵
  • 1篇吴洪江
  • 1篇李儒章
  • 1篇陈清法
  • 1篇杨卫东
  • 1篇朱志炜
  • 1篇刘道广
  • 1篇张庆中
  • 1篇江泽福

传媒

  • 9篇微电子学
  • 3篇Journa...
  • 3篇电子科技大学...
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇电子学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 3篇1994
  • 2篇1992
  • 1篇1989
  • 1篇1900
共 21 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
α-Si∶H/Si异质结双极型晶体管的研制
1992年
报导了采用平面工艺制作a-Si∶H/C-Si HBT的基本工艺和测试结果。在Si-HBT的研制中,取得了H_(FE)=60、∫_r=530MHz的良好结果。
刘光耀谢孟贤李宏德
关键词：双极晶体管异质结
Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs HEMT结构参数优化提取
1997年
采用近年发展的两种电行控制模型及改进的两区v－E模型推导了“反向”器件模型，从直流I-V特性分析求解了Al0．3Ga0．7As／GaAsHEMT的结构参数．因非线性电行控制模型有效地反映了2DEG浓度ns随栅压的实际变化，所提取结构参数与文献报道基本相符．
刘诺谢孟贤石迎春
关键词：HEMT
信息时代的微电子技术被引量：1
2000年
该文围绕信息时代对微电子技术的需求 ,简要介绍了VLSI的现状和发展概况 ,并揭示了超高速VLSI和系统LSI中的若干问题 ,对微电子技术发展的其它方面也作了阐述。
谢孟贤
关键词：IT微电子技术
全文增补中
大规模集成电路(LSI)技术的发展被引量：4
2001年
该文简要介绍了LSI的现状和发展 ,阐述了超高速LSI和系统LSI中的若干问题 。
谢孟贤
关键词：大规模集成电路工艺技术
CMOS单片集成恒带宽放大模块被引量：8
1997年
基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．
杨谟华成勃于奇肖兵谢孟贤杨存宇江泽福严顺炳
关键词：CMOS单片集成电路带宽放大器
InP－MIS界面特性的研究
1994年
通过实验对ＩｎＰ－ＭＩＳ结构进行了研究分析，指出造成该结构的Ｃ－Ｖ曲线滞后现象的主要原因不是界面上ＩｎＰＯ＿４所造成陷阶，而是低温淀积ＳｉＯ＿２中的ＳｉＯＨ、ＳｉＨ等有机团所致；探索出一种新工艺技术，能做到基本消除该结构的Ｃ－Ｖ曲线的滞后现象。
陈清法谢孟贤
关键词：半导体器件磷化铟
谐振隧道二极管被引量：2
1999年
由于外延技术的快速发展与进步，作为量子耦合器件及其电路里程碑的谐振隧道量子器件（ＲＴＤ）引起了学术界的密切关注。ＲＴＤ可使电路密度增大，速度提高，且单位器件的逻辑功能高于传统的晶体管。文中分析了谐振隧道二极管的工作原理、重要物理现象，并对有关设计问题进行了讨论。
刘诺谢孟贤
关键词：砷化镓
Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制(英文)被引量：1
2001年
通过理论分析与计算机模拟 ,给出了以提高跨导为目标的 Si/ Si Ge PMOSFET优化设计方法 ,包括栅材料的选择、沟道层中 Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及 Si盖帽层厚度的优化和阈值电压的调节 ,基于此已研制出 Si/ Si Ge PMOSFET器件样品 .测试结果表明 ,当沟道长度为 2μm时 ,Si/ Si Ge PMOS器件的跨导为 45 m S/ mm(30 0 K)和 92 m S/ mm (77K) ,而相同结构的全硅器件跨导则为 33m S/ mm (30 0 K)和 39m S/ m m (77K) .
杨沛锋李竞春于奇陈勇谢孟贤杨谟华何林李开成谭开洲刘道广张静易强凡则锐
关键词：锗硅场效应晶体管优化设计PMOS器件
高电子迁移率晶体管器件模型
1996年
（Ａｌ．Ｇａ）Ａｓ－ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）具有跨导大、截止频率高、噪声低、开关速度快以及功耗低等特点。是一种比ＭＥＳＦＥＴ优越的新型器件。在器件模拟这一领域，已经发展了一维分析模型、二维数值模型或半数值模型以及针对小尺寸器件的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模型。对部分一维和二维器件模型作了综合介绍和分析。
刘诺谢孟贤
关键词：高电子迁移率晶体管砷化镓
谐振带间隧道二极管
1999年
谐振带间隧道二极管是一种双势垒量子阱极性器件，其突出特点在于其峰谷电流比谐振隧道二极管（属双势垒量子阱非极性器件）高。对其基本工作原理及结构进行了分析，介绍并讨论了这种结构在电路中的两项应用。
刘诺谢孟贤
关键词：二极管负微分电阻
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0