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赵秀平

作品数：13 被引量：28H指数：4
供职机构：哈尔滨师范大学物理与电子工程学院物理系更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 10篇半导体
  • 7篇致冷
  • 6篇晶体
  • 6篇半导体致冷
  • 3篇致冷器
  • 3篇区熔
  • 3篇垂直区熔法
  • 3篇磁场
  • 3篇大尺寸
  • 2篇制冷
  • 2篇制冷材料
  • 2篇熔炼
  • 2篇晶体材料
  • 2篇晶体生长
  • 2篇半导体致冷器
  • 2篇成品率
  • 1篇电冲击
  • 1篇电对
  • 1篇粘接
  • 1篇粘接强度

机构

  • 11篇哈尔滨师范大...
  • 3篇哈尔滨工业大...

作者

  • 13篇赵秀平
  • 8篇赵洪安
  • 8篇荣剑英
  • 6篇董兴才
  • 6篇李将录
  • 4篇刘振茂
  • 3篇李将禄
  • 2篇段福莲
  • 2篇张国威
  • 2篇夏德勇
  • 2篇权五云
  • 1篇张静捷
  • 1篇郎荣福
  • 1篇梁丽新
  • 1篇刘薇
  • 1篇李志伟
  • 1篇张晓晔

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 2篇黑龙江电子技...
  • 1篇哈尔滨师范大...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2002
  • 2篇1997
  • 1篇1995
  • 4篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1990
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在磁场中生长半导体致冷晶体的研究
1994年
本文阐述了在磁场中生长B_(i2)T_(e3)——Sb_2T_(e3)——SbS_(e3)三元半导体致冷晶体的方法与设备,实验研究了晶体的强度,在理论上初步探讨了磁场在晶体生长中起的作用。
赵秀平梁丽新董兴木荣剑英赵洪安刘振茂
关键词：磁场半导体晶体生长
半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...
赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
文献传递
p 型赝三元温差电材料的研制被引量：13
1993年
通过研究组分、掺杂和晶体生长条件对材料温差电性能的影响,采用熔炼—区熔法研制出较均匀的高性能赝三元 p 型温差电材料 Te:(Sb_2Te_3)_0.75(1-x)(Bi_2Te_3)_(0.25(1-x))(Sb_2Se_3)(?)生长出的晶锭的85%的部分,温差电优值 z=2.9～3.3×10^(-3)/K。其性能高于目前国内的赝二元材料,达到了国外的较高水平,用这种材料制作的温差电致冷器件获得了很好的致冷效果。
荣剑英赵秀平李将录董兴才赵洪安
关键词：固溶体铋碲锑硒
半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究
1994年
试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度，其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高，超过原始棒状材料的拉伸强度，它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统．
刘振茂赵秀平李志伟张国威权五云
关键词：粘接强度半导体
大尺寸P型赝三元温差电取向晶体的研制被引量：10
1997年
大尺寸Ｐ型赝三元温差电取向晶体的研制荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＰｔｙｐｅＬａｒｇｅＳｉｚｅＰｓｅｕｄｏｔｅｒｎａｒｙＴｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃＯｒｉｅｎｔｅｄＣ...
荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平
关键词：P型半导体垂直区熔法晶体
大尺寸(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)晶体的生长及性能被引量：1
1997年
大尺寸（Ｂｉ２Ｔｅ３）０．９０（Ｓｂ２Ｔｅ３）０．０５（Ｓｂ２Ｓｅ３）０．０５晶体的生长及性能荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＧｒｏｗｔｈａｎｄＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＬａｒｇｅＳｉｚｅ（Ｂｉ２Ｔ...
荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平
关键词：N型半导体垂直区熔法晶体生长
赝三元半导体致冷烧结材料致密性和强度的研究
1994年
研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处理,获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。
李将禄张静捷赵秀平刘莲
关键词：致密性制冷材料
半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...
赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
镍锡金属化半导体致冷器的电冲击试验研究被引量：2
1993年
报导了采用电冲击方法,试验比较了镍锡金属化层和普通锑铋合金金属化层用于半导体致冷器制造时产生的性能上的差别.试验结果表明,镍锡金属化层提高了致冷器的电性能和耐电、热冲击性能。
张国威赵秀平李志伟权五云刘振茂
关键词：半导体制冷器电冲击
赝三元半导体致冷材料的研究被引量：1
1993年
研究出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3半导体致冷材料,在室温附近最高优值可达到3.2×10^(-3)/K以上。讨论了晶体结构特点和生长条件对材料温差电特性的影响。
赵秀平李将禄荣剑英董兴才赵洪安
关键词：半导体制冷材料
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