赵素英
- 作品数：9 被引量：44H指数：3
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- 相关领域：理学电气工程电子电信金属学及工艺更多>>
- 标量场效应的实验证据被引量：1
- 2005年
- 在经典电动力学的框架内,普遍自由选择涉及电磁势规范变换的任意规范条件.Lorentz规范条件考虑非均匀势波动方程的推导,但这同样表明电磁势的标量导数被认为是非物理的.这些标量表达式可以有新物理场S的意义.在这种情况下,需要广义经典电动力学,预言标量场效应,通过实验来检验推广的电动力学.按照场重新阐述非均匀势波动方程后,可以看成是广义Gauss定律和Amp埁re定律,同样包含S的导数.新近的实验结果与存在的标量场预测定性结果一致.为了检测存在理论的正确,需要进一步定量检测.Tesla关于预测效应开创性研究的重要性不能言过其实.
- 汤叔楩赵素英马银峰白占国
- 关键词：场效应经典电动力学TESLA电磁势Z规范标量场
- 马氏体相变的取向关系及变体被引量：3
- 2009年
- 在发生马氏体相变时,马氏体和母相之间存在一定的晶体学位向关系,如K-S关系、Nishiyama(西山)关系.研究了K-S和Nishiyama(西山)这2种取向关系,分别给出了满足这2种关系的24种和12种马氏体变体.
- 王瑞军赵素英张礼刚胡金江
- 关键词：马氏体相变变体
- 烧结SrRuO_3多晶体的非自旋玻璃行为被引量：1
- 2004年
- 测量了烧结SrRuO3多晶样品的零场冷却和加场冷却磁化强度和交流磁化率。交流磁化率的温度曲线的峰随外加直流偏场的增大向低温方向移动。继续增大直流偏场,一个峰分裂为两个峰,其中低温下的峰继续向低温方向移动,另一个高温处的峰却向高温方向移动。在不同频率下测量零偏场下的交流磁化率,随频率增高峰值减小,但峰的位置并没有像以前报道的那样向高温方向移动。可见,烧结SrRuO3 并没有显示自旋玻璃行为,而是普通铁磁体。
- 李凤舞赵素英
- 关键词：交流磁化率自旋玻璃铁磁体
- 磁性材料磁特性的巴克豪森描述被引量：3
- 2004年
- 实验研究了磁性材料的零场冷却和加场冷却的磁化强度随温度的变化关系,以及不同温度下的磁滞回线;考虑了热涨落和自由能壁垒随温度的变化,改进了Preisach模型并对测量数据进行了拟合;数值模拟再现了测量结果的变化规律;对拟合得到的巴克豪森跳跃谱的有关参数进行了讨论.
- 赵素英李凤舞
- 关键词：磁性材料PREISACH模型磁滞回线磁化强度
- Sr1-xCaxRuO3磁性行为的Preisach模拟
- 对3d过渡元素及其化合物已有了充分的研究,但对4d族化合物的研究却很少,其中SrRuO3表现出非常有趣的ZFC/FC磁化强度的变化规律。为深入了解材料磁化的物理本质,用改进的Preisach模型对系列样品Sr1-xCax...
- 侯登录徐静赵素英白云赵晶唐贵德
- 关键词：PREISACH模型磁滞回线
- 文献传递
- N阶电阻网络等效电阻的研究被引量：33
- 2004年
- 对N阶电阻网络等效电阻进行了研究,应用虚拟电流法给出了这类问题的2个普适规律,并将所得结果与其他相关结果进行了比较.
- 谭志中赵素英
- 关键词：等效电阻网络结构
- Sr_(1-x)Ca_xRuO_3磁性行为的Preisach模拟被引量：1
- 2004年
- 对 3d过渡元素及其化合物已有了充分的研究 ,但对 4d族化合物的研究却很少 ,其中SrRuO3表现出非常有趣的ZFC/FC磁化强度的变化规律。为深入了解材料磁化的物理本质 ,用改进的Preisach模型对系列样品Sr1 -xCaxRuO3(x =0 .0 ,0 .2 ,0 .6)的各种磁性行为 ,如零场冷却(ZFC)磁化强度、加场冷却 (FC)磁化强度随温度的变化以及不同温度下的磁滞回线等实验结果进行了分析模拟。通过对实验数据拟合得到巴克豪森 (Barkhausen)跳跃谱的相关参数 。
- 侯登录徐静赵素英白云赵晶唐贵德
- 关键词：PREISACH模型磁滞回线
- 电荷禁闭和夸克禁闭的相似性与对偶性被引量：3
- 2004年
- 证明了静电场中点电荷的禁闭条件是禁闭区外部为抗电介质,或者在禁闭区外排布镜像点自由电荷系列线.通过与色电场的类比得到,夸克禁闭区外部应为抗色介质,或者排布镜像点自由色荷系列线.自然界中并不存在的常规抗电介质,一般物质密度下也不存在点状自由色荷/夸克.因此,只有镜像点自由电荷系列线才能实现电荷禁闭,只有在强子外面存在作为抗色介质的(量子)真空区才能实现色电场的夸克/色荷禁闭.计算结果显示,当强子物质的密度足够高,以致强子互相重叠、抗色介质不再存在时,夸克/色荷禁闭即可解除.
- 李双九赵素英
- 关键词：静电场夸克禁闭
- 重掺杂硅中的氧沉淀
- 2003年
- 采用X射线双晶衍射法对重掺硼、重掺锑样品中的氧沉淀行为进行了研究,分析了热处理条件、掺杂剂种类对重掺硅中氧沉淀的影响.实验结果表明:由于氧沉淀诱发缺陷间的相互作用、氧沉淀的重溶以及氧的外扩散等原因,在长时间高温热处理时,晶片表面完整性得到改善;重掺硼样品中的氧沉淀较重掺锑样品中的氧沉淀明显.实验中还观察到了氧沉淀重溶现象,进一步验证了理论分析结果.
- 王庆禄李敬林赵素英
- 关键词：硅氧沉淀重掺杂掺杂剂硅外延片半导体
