赵颖
- 作品数：804 被引量：1,035H指数：14
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- MOCVD技术柔性衬底上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜
- 陈新亮耿新华林泉倪牮闫聪博张德坤赵颖
- 1.课题来源和背景：该项目来源于天津市应用基础及前沿技术研究计划.近几年来，柔性衬底薄膜太阳电池研究得到广泛的关注，这主要是因为柔性衬底薄膜太阳电池具有成本低廉、重量轻及可卷曲的优点.其中关键的核心技术是实现柔性衬底上生...
- 关键词：
- 关键词：薄膜太阳电池
- MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究被引量：23
- 2005年
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。
- 徐步衡薛俊明赵颖张晓丹魏长春孙建刘芳芳何青侯国付任慧志张德坤耿新华
- 关键词：薄膜太阳电池MOCVD金属有机物化学气相沉积二乙基锌衬底温度MOL
- 掺杂B(CH)_3的P型a-SiC:H层及a-Si:H电池的P/I界面研究被引量：3
- 2007年
- 研究了衬底温度、反应气体流量等工艺条件对掺杂B（CH3）3（TMB）的P型氢化非晶硅碳（a-SiC：H）窗口材料性能的影响，获得了电导率达到8．97×10^-7／cm、光学带隙大于2．0eV的P型a-SiC：H窗口材料。研究了单结电池P型a-SiC：H窗口层的CH4流量与P、I层制备温度三者间的匹配关系。结果表明，随着衬底温度的提高，需要更多的CH4流量以增大P型窗口层的带隙B和电池的短路电流密度Jsc；沉积系统中，P型窗口层的温度比本征吸收层高25-50℃时，电池性能较好。研究了3种类型的P／I缓冲层对单结电池性能的影响。大量实验表明，不掺B的C缓冲层适合于低温和小CH4流量情况使用；掺B的C缓冲层＋不掺B的C缓冲层适合于高温和大CH4流量情况使用；采用不掺B的C缓冲层的电池光稳定性高于采用B、C渐变缓冲层的电池。研究还表明，采用新型TMB作为P型窗口层掺杂剂的电池比传统采用B2H6作为P型窗口层掺杂剂的电池转换效率提高约1.0％。
- 薛俊明张德坤孙建任慧志赵颖耿新华
- 关键词：光学带隙
- p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响被引量：5
- 2006年
- 本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO薄膜。研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响。霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm-3。样品的X射线衍射和场发射扫描电子显微镜的测试结果显示,在该系统下450℃时薄膜结晶性能最佳。
- 范红兵张晓丹赵颖孙建魏长春谷士彬张存善
- 关键词：ZNO衬底温度
- 薄膜太阳电池的研究现状与发展趋势被引量：13
- 2010年
- 笔者主要对目前薄膜电池研究和产业化的主流技术进行论述,包括硅基薄膜太阳电池、碲化镉与铜铟镓硒等化合物薄膜太阳电池、以及染料敏化电池等,对每种技术分别从国内外研究现状以及产业化状况进行介绍。
- 赵颖戴松元孙云冯良桓
- 关键词：硅基薄膜太阳电池铜铟镓硒薄膜太阳电池染料敏化太阳电池
- 一种兼有透明导电窗口层和电子选择性传输层双功能的共掺杂氧化锌及其制备方法
- 本发明公开了一种兼有透明导电窗口层和电子选择性传输层双功能的共掺杂氧化锌及其制备方法，其特征在于该单层共掺杂氧化锌薄膜在太阳电池承担两个功能：（1）作为光入射的透明导电窗口层；（2）作为电子的选择性传输层。其具体制备过程...
- 侯国付徐知源任慧志张晓丹赵颖
- 一种用于隧穿氧钝化接触（TOPCon）晶硅太阳电池的激光退火制备多晶硅基合金方法
- 本发明提供一种用于隧穿氧钝化接触（TOPCon）晶硅太阳电池的激光退火制备多晶硅基合金方法，其具体制备过程为：沉积非晶硅基合金薄膜；利用激光扫描非晶硅基合金薄膜，使之退火形成多晶硅基合金薄膜薄膜；将上述样品放在退火炉里，...
- 侯国付苏祥林任慧志李娟赵颖张晓丹
- 绒面ZnO透明导电薄膜被引量：4
- 2004年
- 采用孪生ZnO (Al2 O3 ∶2 % )对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜 (迁移率为 5 .5 6cm2 /V·s,载流子浓度为 4 .5 7× 10 2 0 cm-3 ,电阻率为 2 .4 6× 10 -3 Ω·cm ,可见光范围 (380～ 80 0nm)平均透过率大于 85 % )。用酸腐蚀的方法 ,可以获得绒面效果 ,而反应气压对绒面效果没有影响 ,薄膜的电学特性没有变化 ,绒面对光散射作用增强 ,导致相对于平面ZnO薄膜的透过率要低一些 (可见光范围平均透过率大于 80 % )。
- 朱锋薛玉明孙建赵颖耿新华
- 关键词：ZNO透明导电薄膜绒面直流磁控溅射电阻率
- 直流磁控溅射法制备新型窄带隙光伏材料β-FeSi2研究
- 本实验采用室温对靶直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火,在单晶Si(100)上生长β-FeSi薄膜。主要研究了退火时间、升温速率和退火温度等因素对材料结构和电学特性的影响,结果表明:退火温度和时间的控制...
- 郁操侯国付薛俊明孙健赵颖耿新华
- 关键词：直流磁控溅射
- 文献传递
- 绒面结构ZnO薄膜及其湿法刻蚀处理
- 制备出应用于Si基薄膜电池的绒面MOCVD-ZnO薄膜,并尝试相应的CH<,3>COOH湿法刻蚀表面处理。结果表明,处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有...
- 陈新亮薛俊明张德坤赵颖耿新华
- 关键词：ZNO薄膜湿法刻蚀太阳能电池表面处理微观结构
- 文献传递
