邹毅文
- 作品数:4 被引量:6H指数:1
- 供职机构:合肥工业大学更多>>
- 发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 2TF:一种协同考虑过硅通孔和热量的三维芯片布图规划算法被引量:6
- 2012年
- 三维芯片由多个平面器件层垂直堆叠而成,并通过过硅通孔(TSV,Through Silicon Via)进行层间互连,显著缩短了互连线长度、提高了芯片集成度.但三维芯片也带来了一系列问题,其中单个过硅通孔在目前的工艺尺寸下占据相对较大的芯片面积,且其相对滞后的对准技术亦降低了芯片良率,因此在三维芯片中引入过多的过硅通孔将增加芯片的制造和测试成本.垂直堆叠在使得芯片集成度急剧提高的同时也使得芯片的功耗密度在相同的面积上成倍增长,由此导致芯片发热量成倍增长.针对上述问题,本文提出了一种协同考虑过硅通孔和热量的三维芯片布图规划算法2TF,协同考虑了器件功耗、互连线功耗和过硅通孔数目.在MCNC标准电路上的实验结果表明,本文算法过硅通孔数目和芯片的峰值温度都有较大的降低.
- 王伟张欢张欢方芳陈田刘军邹毅文
- 关键词:布图规划热量
- 硅通孔数目敏感的三维电路划分
- 三维电路(3D IC)在垂直方向上进行多个晶片的堆叠,使得芯片的集成度大大提高而成为一种极具发展前景的新型芯片。三维电路的关键技术是硅通孔(TSV)层间互连技术,而单个硅通孔就目前的特征尺寸而言占据了较大的芯片面积,且相...
- 邹毅文梁华国王伟陈田张欢
- 文献传递
- 硅通孔数目敏感的三维电路划分
- 三维电路(3D IC)在垂直方向上进行多个晶片的堆叠,使得芯片的集成度大大提高而成为一种极具发展前景的新型芯片。三维电路的关键技术是硅通孔(TSV)层间互连技术,而单个硅通孔就目前的特征尺寸而言占据了较大的芯片面积,且相...
- 邹毅文梁华国王伟陈田张欢
- 关键词:模拟退火芯片集成
- 三维芯片TSV敏感的电路划分和温度敏感的布图规划研究
- 随着半导体技术的发展和应用需求的提高,传统二维芯片的发展瓶颈逐渐显现,尤其是在特征尺寸进一步缩减时带来的可靠性降低、设计复杂度增加更为突出。三维芯片(亦称三维电路)的出现为集成电路的发展提供了全新的解决方式,其由多个晶片...
- 邹毅文
- 关键词:集成电路布图规划温度敏感