郑若川
- 作品数：12 被引量：6H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓...
- 戴显英宁静吉瑶邓文洪刘颖郑若川张鹤鸣郝跃
- 文献传递
- 基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘...
- 戴显英郑若川郭静静王宗伟朱正国李金龙田茂源郝跃张鹤鸣
- Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
- 在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬...
- 李志戴显英查冬王晓晨王琳付毅初宁静杨程郑若川
- 关键词：短沟道效应阈值电压
- CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析被引量：3
- 2013年
- 采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终的模拟优化工艺参数.正交法设计的模拟优化参数与实际工艺实验参数相一致,低温生长应变SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度823K,反应室压强2 666.44Pa;高温生长弛豫SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度1 123K,反应室压强7 999.32Pa.
- 戴显英郭静静邵晨峰郑若川郝跃
- 关键词：正交法计算流体动力学锗硅
- 一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓...
- 宁静戴显英吉瑶邓文洪刘颖郑若川张鹤鸣郝跃
- 基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘...
- 戴显英郑若川郭静静王宗伟朱正国李金龙田茂源郝跃张鹤鸣
- 文献传递
- 弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真被引量：1
- 2012年
- 基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。
- 戴显英郑若川郭静静张鹤鸣郝跃邵晨峰吉瑶杨程
- 关键词：密度分布
- 应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性
- 2012年
- 在利用k·p微扰理论获得应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带E(k)-k关系的基础上,研究得到了(001),(101),(111)面应变Ge/Si_(1-x)Ge_x沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量.结果显示,应变Ge/Si_(1-x)Ge_x沿各晶向的带边有效质量随应力增大而减小,且沿[010]晶向最小;子带空穴有效质量在应力较大时变化不明显,并且在数值上与带边空穴有效质量相差不大.最后利用各向同性有效质量与文献结果进行比对,验证了结果的正确性.
- 戴显英杨程宋建军张鹤鸣郝跃郑若川
- 晶圆级单轴应变SOI研究
- 将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅，其拉曼频移差为-0.3cm...
- 戴显英付毅初杨程郑若川王琳张鹤鸣郝跃王宗伟宁静王晓晨查冬李志
- 关键词：集成电路弹塑性力学
- 机械致单轴应变SOI晶圆的制备被引量：2
- 2012年
- 提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅(SOI)的新方法,并阐述了其工艺原理.将直径为100mm(4英寸)的SOI晶圆片在曲率半径为0.75m的弧形弯曲台上进行机械弯曲,弯曲状态下的SOI晶圆片在250℃下进行了20h的热退火处理.对弯曲退火后SOI晶圆片进行了拉曼光谱表征,其拉曼频移为520.3cm-1,小于体硅的典型值,拉曼频移差达到-0.3cm-1,说明弯曲退火后的SOI晶圆片发生了单轴张应变.相应的应变量计算为0.077%,高于文献报道的0.059%.
- 戴显英王琳杨程郑若川张鹤鸣郝跃
- 关键词：绝缘层上硅弹塑性力学
