金成刚
- 作品数：59 被引量：23H指数：3
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省“青蓝工程”基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 铝共掺杂调制ZnO∶Mn纳米棒阵列的磁学和电学特性被引量：1
- 2017年
- 采用磁控溅射方法制备了锰掺杂氧化锌和铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒阵列并详细研究了它们的电学和磁学特性。微结构测试的结果表明,掺杂后的氧化锌纳米棒阵列保持了纤锌矿晶体结构,掺杂锰离子和铝离子占据了晶体中锌离子的位置实现了替位式掺杂。磁学性质测试结果表明铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒在室温下具有明显的铁磁性,饱和磁矩为0.33μB/Mn atom,是居里温度高于室温的一维稀磁半导体材料。电学性质测试结果表明铝的共掺杂可以使得锰掺杂氧化锌纳米棒的电阻率降低4个数量级,使得铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒有可能在未来自旋电子器件中作为高效自旋注入元器件得到广泛应用。
- 吴兆丰金成刚吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：氧化锌纳米棒磁学性质
- 基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法
- 本发明涉及一种基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法，包括以下步骤：（1）清洗Si衬底，将清洗后的Si衬底固定在沉积室内的基片台上；（2）将高纯Ar气体从放电室的左端通入到放电室内，实现螺旋波等离子体放电，形...
- 陈佳丽钱嘉伟金成刚吴雪梅诸葛兰剑
- 文献传递
- 一种高压高频源驱动的DBD等离子体放电装置
- 本发明涉及一种高压高频源驱动的DBD等离子体放电装置，包括高压电源、地电极、支架、进气管、多个放电管和高压电极，高压电源包括驱动电路、辅助电源以及依次电连接的整流电路、逆变电路和变压器，驱动电路与逆变电路电连接，辅助电源...
- 胡一波金成刚田润牟之豫诸葛兰剑吴雪梅
- 文献传递
- 一种抑制二次电子发射的器件
- 本发明涉及一种抑制二次电子发射的材料，包括石墨壁和碳纤维，所述碳纤维垂直均匀分布在所述石墨壁表面上。本发明电子轰击石墨壁产生二次电子，且二次电子从石墨壁表面以不同角度发射出来，经过碳纤维的多次发射与吸收，能够返回真空的数...
- 金成刚黄天源杨燕杨东谨胡一波诸葛兰剑吴雪梅
- 文献传递
- 螺旋波等离子体化学气相沉积装置
- 本实用新型涉及一种螺旋波等离子体化学气相沉积装置，包括真空放电室、与所述真空放电室相连通的真空沉积室，所述真空放电室外环绕有线圈，所述真空放电室内设置有第一进气管、右旋天线，所述右旋天线外套设有屏蔽筒，所述右旋天线的一端...
- 於俊黄天源季佩宇杨佳奇金成刚吴雪梅诸葛兰剑
- 文献传递
- 螺旋波等离子体技术快速沉积纳米晶金刚石
- 在自制的螺旋波等离子体装置(图1)，不同Ar/CH4比例条件下(表1)，实现快速沉积纳米晶金刚石薄膜，所沉积的薄膜的Raman谱图(图2)上可见明显的金刚石特征峰(D峰)。随CH4流量的提高，薄膜沉积速率也提高，在Ar ...
- 於俊金成刚黄天源诸葛兰剑吴雪梅
- 一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法
- 本发明公开了一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法，包括：在硅衬底上热生成二氧化硅层；将一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物，高温烧结成靶材，以螺旋波等离子体溅射技术，沉积至所述的二氧化硅层上。通过控制衬...
- 诸葛兰剑吴雪梅金成刚黄天源王飞韩琴杨燕
- 文献传递
- Cr掺杂SiC薄膜的制备与光致发光特性被引量：2
- 2009年
- 利用高纯SiC烧结靶上粘贴金属Cr片的复合靶用双离子束溅射沉积方法,在Si和KBr单晶衬底上制备了掺杂SiC薄膜。用傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)和喇曼光谱仪对制得的薄膜样品进行了表征,用荧光分光光度计对样品的光致发光(PL)特性进行了研究。通过FTIR分析得到对应于Si―C键的峰位没有发生明显改变而峰强随着Cr掺杂量的增加而降低,喇曼光谱分析发现Cr掺杂导致Si和C团簇的形成,说明Cr的掺杂阻碍了Si―C键的结合。将不同Cr掺杂浓度的SiC薄膜经1000℃退火处理,发现位于413、451和469nm的三个发光峰的位置基本不变,但强度有明显改变。
- 朱小健洪波金成刚吴雪梅
- 关键词：光致发光
- 采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法
- 本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H<Sub>2</Sub>气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H<Sub>2</Su...
- 於俊黄天源季佩宇杨佳奇金成刚吴雪梅诸葛兰剑
- 文献传递
- 掺杂SiC薄膜的结构及物性研究
- SiC作为一种优秀的微电子材料，以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点，在大功率、高频、耐高温、抗辐射器件及光电子集成器件方面具有重要的应用价值而备受重视。稀磁半导体在自旋电子器件潜在的应用，已...
- 金成刚
- 关键词：SIC薄膜微电子材料
- 文献传递
