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钟钢

作品数:4 被引量:8H指数:2
供职机构:长春理工大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国人民解放军总装备部靶场测试基金吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇腔面
  • 2篇面发射
  • 2篇面发射激光器
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇功率
  • 2篇发射激光器
  • 2篇垂直腔
  • 2篇垂直腔面
  • 2篇垂直腔面发射
  • 2篇垂直腔面发射...
  • 2篇高功率
  • 1篇电极
  • 1篇动态检测
  • 1篇动态检测系统
  • 1篇钝化层
  • 1篇图像
  • 1篇图像处理
  • 1篇小波
  • 1篇小波变换

机构

  • 4篇长春理工大学
  • 2篇中国人民解放...

作者

  • 4篇钟钢
  • 2篇侯立峰
  • 2篇王晓曼
  • 2篇韩冬松
  • 1篇冯源
  • 1篇郝永芹
  • 1篇景文博
  • 1篇刘鹏
  • 1篇刘树昌
  • 1篇王玉霞
  • 1篇姜晓光
  • 1篇谢浩瑞
  • 1篇赵英杰
  • 1篇王顺
  • 1篇黄博

传媒

  • 2篇吉林大学学报...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
动态检测系统中大容量高速图像同步录入技术
2009年
为满足现代靶场检测的实际需求,研究了在动态检测系统中多路图像的大容量数据同步存储录入技术,提出了在利用数字相机实现高分辨率实时动态检测时,采用实时无损存储、事后处理的方法,研究了高速图像实时存储录入设备。解决了在车载环境下,多路图像同步采集与实时录入的关键技术问题,为基于图像的现代动态检测领域研究中要解决的诸多问题推出新的技术途径。
刘树昌钟钢刘鹏王顺韩冬松
关键词:动态检测大容量图像处理
基于AlN膜钝化层的高功率垂直腔面发射激光器被引量:1
2011年
高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可以改善器件内部的温度分布,降低器件的热阻,提高器件的散热能力;采用相同的外延片与工艺实验制备了出光孔径同为200μm的AlN膜钝化层和传统的SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件;对两种不同的钝化层的器件性能进行了实验对比测试,结果表明AlN膜钝化层的高功率VCSEL器件室温下的最大输出功率可达470 mW,比同温度下SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件的最大输出功率高140 mW。AlN膜钝化层的高功率VCSEL在外界温度80℃时,仍能正常激射,具有良好的温度适应性与光电性能。
钟钢侯立峰王晓曼
关键词:激光器垂直腔面发射激光器钝化层
径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器被引量:5
2010年
为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件,对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低热阻,提高器件的散热能力。实验制备了出光孔径同为200μm的径向桥电极与常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器,并对器件的性能进行了实验对比测试。结果表明径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件的微分电阻为0.43Ω;室温下最大输出功率可达340 mW,是常规电极垂直腔面发射半导体激光器的1.7倍;器件的热阻为0.095℃/mW,在80℃时,仍能正常激射,具有良好的热特性,径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器的光电特性与温度特性要远好于常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器器件。
侯立峰钟钢赵英杰王玉霞郝永芹冯源姜晓光谢浩瑞
关键词:垂直腔面发射激光器
小波变换在靶场动态测试中的应用被引量:2
2009年
为提高靶场动态测试数据精度,提出利用小波变换对靶场动态测试信号进行消噪处理的方法,从而抑制了陀螺仪漂移率。并应用Matlab软件对实际靶场动态测试数据进行分析、处理及仿真。仿真结果证明,该方法可以很大程度提升靶场动态测试数据的精度。
王晓曼钟钢景文博黄博韩冬松
关键词:小波变换
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