陆文琪
- 作品数：54 被引量：86H指数：6
- 供职机构：大连理工大学物理与光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 用于等离子体诊断的复合探针
- 一种新型的复合探针，用于高精度的、实时的与具有空间分辨力的等离子体参数测量，属于等离子体诊断技术领域。其特征在于将朗谬尔(Langmuir)单探针与差分发射探针集成安装在同一探针管内形成一种新型的复合探针，结合朗谬尔(L...
- 邓新绿刘莉莹邓凡陆文琪张家良徐军牟宗信
- 文献传递
- 放电参数对不同频率驱动的容性耦合氩等离子体影响的研究被引量：2
- 2011年
- 研究了不同放电参数(功率、气压、频率)下容性耦合氩等离子体中电子温度以及电子密度的变化规律.电子温度和电子密度的测量由双探针诊断获得,而功率电极自偏压则由示波器测量得到.实验结果表明,不同驱动频率下,电子温度随功率上升明显降低直至达到稳定值,而随着驱动频率和气压的上升,电子与周围粒子碰撞加剧,从而导致电子温度降低.低功率时,电子密度呈现出类抛物线增长,高功率时,电子密度则线性增加.随着气压的上升,电子密度呈现先上升后略有下降的趋势.此外,当驱动频率由13.56MHz增加到60MHz时,观察到电子密度与驱动频率的成二次方的依赖关系.自偏压的测量结果表明,自偏压随着放电功率增大而增大,而当气压和驱动频率上升时,自偏压反而降低.
- 徐海朋张杰陆文琪辛煜
- 关键词：电子温度电子密度
- 40.68MHz激发的N_2容性耦合等离子体径向不均匀性研究
- 2011年
- 通过使用扫描发射光谱仪和朗缪尔双探针的测量方法研究了40.68MHz的射频驱动的N2容性耦合等离子体的不均匀性。发现在高气压和高输入功率的条件下,容性放电中的中心峰值是由驻波效应造成的,而在靠近径向边缘的峰值是由感应电场造成的,这些引起了发射光谱在电极表面超过20%的不均匀性。然而,N2容性放电的振-转动温度展示了低于10%的不均匀性,这可能是由有较大的径向弛豫时间的和高密度的亚稳态粒子的主导碰撞造成的.
- 张杰徐海朋陆文琪辛煜
- 关键词：不均匀性射频
- 碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响被引量：3
- 2006年
- 利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜。研究结果表明,碳含量对薄膜化学结构、力学性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着碳靶溅射偏压由-450 V提高到-650 V,薄膜中碳含量由19.0%增加到27.1%,sp3C-N键含量增多,薄膜生长速率由3.83 nm/min提高到5.83 nm/min,硬度在-600 V时达到最大值25.36 GPa。上述结果表明,提高碳靶溅射偏压,可以提高薄膜含碳量,得到性能较好的SiCN薄膜。
- 朴勇徐军高鹏丁万昱陆文琪马腾才
- 关键词：SICN化学结构力学性能
- 双频容性耦合等离子体研究进展
- <正>双频耦合等离子体(dual-frequency capacitively coupled plasma,DF-CCP)源的主要特点是可以在低气压放电下产生大面积、高密度的均匀等离子体,尤其是这种放电技术可以独立地控...
- 姜巍毕振华李志成常大磊杨烁徐翔李小松陆文琪徐勇朱爱民王友年
- 文献传递
- 线形同轴耦合微波等离子体诊断及硅薄膜制备被引量：3
- 2015年
- 开发了一种新型线形同轴耦合大面积微波等离子体源,针对该新型等离子体源放电空间等离子密度及分布的不明确性,利用朗缪尔单探针法研究了不同放电参数下该等离子体源等离子体密度及空间分布情况。以微波功率,氢氩总流量(氢氩流量比为3∶1)和距石英管的距离Z为3个因素设计正交实验探究了宏观放电参量对等离子体参数的影响。测试结果表明该型等离子体源的电子密度均在1010cm-3以上。其次,诊断了在距石英管Z为14 cm处,等离子体参数沿空间水平的分布情况,探究薄膜的最佳沉积区域。最后,根据等离子诊断情况进行硅薄膜的沉积,由XRD结果表明薄膜为多晶结构,拉曼光谱显示沉积硅薄膜晶化率均在92%以上,沉积速率在8 nm/min。
- 李慧吴爱民张文兰陆文琪秦福文董闯
- 关键词：等离子体诊断电子密度多晶硅薄膜XRD
- 沉积参数对碳氮化硅薄膜化学结构及光学性能的影响被引量：6
- 2006年
- 利用微波电子回旋共振（MW-ECR）等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅（SiCN）薄膜。研究结果表明：硅靶溅射功率和氮气流量对薄膜化学结构、光学、力学等性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱（FT-IR）和X射线光电子能谱（XPS）表征显示,随着硅靶溅射功率由150W增加到 350 W,薄膜中C-Si-N键含量由14.3%增加到43.6%;氮气流量的增大（2～15 sccm）易于形成更多的sp2C=N键和sp1C≡N键.在改变硅靶溅射功率和氮气流量的条件下,薄膜光学带隙最大值分别达到2.1 eV和2.8 eV。
- 朴勇梁宏军高鹏丁万昱陆文琪马腾才徐军
- 关键词：光学带隙
- 射频等离子体探针装置
- 本发明涉及到一种射频等离子体探针装置，属于等离子体科学与技术领域，用于诊断等离子体。其特征是由双探针、放大驱动电路、模数/数模转换卡和笔记本电脑构成；除置于等离子体中的双探针外，探针装置的其他组成部分远离等离子体放电系统...
- 陆文琪王友年邓新绿徐军董闯
- 文献传递
- 用计算机控制的等离子体源离子渗氮工艺及设备
- 材料表面改性领域中,用计算机控制的等离子体源离子渗氮工艺及设备,包括升温、保温、降温及离子注渗工艺过程和供电系统、供气系统、抽真空系统与主真空室所构成的设备,特征是采用自加热式加热工件,通过计算机自动控制正负脉冲对的重复...
- 邓新绿马腾才王德真王延平杨福宝陆文琪张家良阎海洋
- 文献传递
- 脉冲放电等离子体参数的高时间分辨静电探针诊断技术
- 引言目前,脉冲放电等离子体在工业生产和实验室研究中正在获得越来越多的应用。与稳态放电等离子体相比,磁控溅射沉积工艺中使用脉冲放电能够抑制弧光放电、靶中毒、阳极消失等问题,并显著提高沉积速率;刻蚀过程使用脉冲调制的射频放电...
- 张文兰陆文琪
