陈奕宇
- 作品数：8 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院国防科技创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜
- 本专利公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地控制掩膜刻蚀...
- 叶振华陈奕宇孙常鸿刘棱枫邢雯马伟平林春胡晓宁丁瑞军何力
- 文献传递
- 一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片
- 本实用新型公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本实用新型的优点是：相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极...
- 叶振华张鹏陈奕宇林春胡晓宁丁瑞军何力
- 文献传递
- 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法
- 本发明公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地...
- 叶振华陈奕宇孙常鸿刘棱枫邢雯马伟平林春胡晓宁丁瑞军何力
- 文献传递
- HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法
- 2017年
- 报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致.
- 翁彬周松敏王溪陈奕宇李浩林春
- 关键词：HGCDTE干法刻蚀
- 碲镉汞红外探测器的前沿技术综述被引量：5
- 2014年
- 红外光电探测器件在军事、民用和科学研究方面具有非常重要的应用。而碲镉汞(HgCdTe)由于自身的诸多优点在红外光电探测器的发展中起到了至关重要的作用,至今仍然是重要的战略战术应用中首选的材料体系。首先分析了针对新一代红外探测器所提出的SWaP3(Size,Weight,and Power,Performance and Price)概念,然后简略介绍了第三代红外焦平面研究背景下HgCdTe薄膜的衬底水平与材料生长情况,最后总结了大规模阵列器件、甚长波红外器件、高工作温度(High Operating Temperature,HOT)器件、超光谱探测器件、双色器件以及雪崩光电器件等前沿技术方面的研究进展。
- 叶振华陈奕宇张鹏
- 关键词：碲镉汞超光谱
- 一种用于台面探测器的新型电极结构（英文）
- 2016年
- 提出一种用于台面探测器的新型电极结构.该结构通过在台面底部两次制备电极而获得接力电极.同传统的引出电极结构相比,这种接力电极结构不仅简化了从台面底部引出电极的工艺,而且能够增加台面顶部空间从而更有利于其它工艺的进行以及工艺集成.在200 W超声处理5分钟后,接力电极的高度和形貌都未发生变化.从倒焊互连的剖面SEM照片可以看出台面底部的接力电极是个整体,并且该接力电极结构完全可以应用在台面探测器中.
- 黄玥陈奕宇马伟平刘丹陈昱叶振华丁瑞军何力
- 关键词：电极红外探测器
- 一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法
- 本发明公开了一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法，该方法是在碲镉汞的刻蚀过程中通过控制刻蚀样品台温度来控制刻蚀诱导电学反型层厚度。首先，通过测量不同温度下刻蚀碲镉汞所得到的反型层厚度进行建模，得到了反型层厚度与刻蚀...
- 叶振华陈奕宇孙常鸿刘棱枫邢雯马伟平林春胡晓宁丁瑞军何力
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- 硅基碲镉汞长波光电二极管芯片
- 本发明公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本发明的优点是:相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，...
- 叶振华张鹏陈奕宇林春胡晓宁丁瑞军何力
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