陈德媛
- 作品数：68 被引量：45H指数：4
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 退火温度对硅/氧化硅多层膜微结构的影响
- 2012年
- 采用等离子体增强化学气相淀积系统,应用原位氧化和原位掺杂技术制备出了非晶硅/二氧化硅多层膜结构。对多层膜结构进行不同温度下热退火后处理,通过傅里叶变化红外吸收光谱和拉曼散射光谱对其微结构的变化进行了表征。结果表明,原始淀积的多层膜结构中,存在大量的氢原子,以硅氢键和硅键合;随着退火温度从450℃升高到650℃,光谱中与硅氢键相关的信号逐渐减弱,说明氢原子不断解离;另一方面,硅氧键弯曲振动模式随着退火温度升高而增强;硅氧键的伸缩振动模式位置蓝移、强度增强,说明硅氧之间的配比随着退火温度升高不断接近化学配比;通过拉曼散射谱可以观测到非晶硅在高温下发生相变,形成纳米硅晶粒。
- 陈德媛冒昌银
- 关键词：拉曼散射退火
- 一维无限深势阱蕴含的量子力学概念被引量：1
- 2021年
- 量子力学是描述微观粒子运动规律的理论,是微电子等大多数工科专业的必修课之一。通过具体实例理解基本概念是有效的学习方法,以量子力学中常见的一维无限深势阱(粒子在一维运动中空间的一种特殊势场)为例,挖掘一维无限深势阱所蕴含的量子力学概念,帮助学生更好地学习量子力学。
- 邓丽城陈德媛郭艳艳
- 关键词：一维无限深势阱零点能态叠加原理
- 一种低相位噪声电感电容压控振荡器
- 本发明公开了一种低相位噪声电感电容压控振荡器，该振荡器包括谐振腔和Q值增大级；所述的谐振腔包括由电感（L）、第三电容（C3）、第一电容（Cv1）、第二电容（Cv2），第四电容（C4）顺序连接组成的一个闭环，第一电阻（R1...
- 张长春董程宏郭宇锋方玉明李卫陈德媛
- 文献传递
- 宽范围连续速率时钟数据恢复电路的设计被引量：1
- 2014年
- 采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种连续速率时钟与数据恢复（CDR）电路。该CDR电路主要由全速率鉴频鉴相器、多频带环形压控振荡器、电荷泵等模块组成。其中,全速率鉴频鉴相器不但具有很好的鉴频鉴相功能,而且结构简单,减小了功耗和面积。多频带环形压控振荡器不但调谐范围很宽,而且引入到环路中的调谐增益较低,解决了高振荡频率和低增益之间的矛盾问题。采用自举基准和运放的电荷泵减小了各种非理想因素的影响。仿真结果表明,该CDR电路版图尺寸为265μm×786μm,功能正常,且能恢复622~3 125Mb/s之间的伪随机数据;在1.8V电源电压下,输入伪随机速率为3 125Mb/s时,功耗为100.8mW,恢复出的数据和时钟的抖动峰峰值分别为5.38ps和4.81ps。
- 马庆培张长春陈德媛郭宇锋刘蕾蕾
- 关键词：鉴频鉴相器锁存器
- 发光纳米硅/二氧化硅多层膜的特性与氢气氛退火的影响被引量：7
- 2007年
- 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶硅/二氧化硅多层膜,通过两步热退火的方法获得了尺寸可控的纳米硅/二氧化硅多层结构,晶粒尺寸约为4nm,在室温下观察到了较强的光致可见发光,其发光峰位于750nm.在此基础上,发现合适的氢气氛退火能有效地提高材料的发光强度.电子顺磁共振实验表明氢气氛退火有效地降低了纳米硅中的非辐射复合中心而导致发光效率的提高.
- 夏正月韩培高韦德远陈德媛徐骏马忠元黄信凡陈坤基
- 关键词：光学性质
- 一种高动态范围红外焦平面读出电路
- 一种高动态范围红外焦平面读出电路，包括像素单元电路、比较计数电路、电荷重新分配控制电路及数字模拟转化电路，像素单元电路的输出分别连接比较计数电路和电荷重新分配控制电路，比较计数电路的一个输出连接像素单元电路，比较计数电路...
- 夏晓娟刘镇硕成建兵陈德媛吉新村
- 文献传递
- 非磁性光子晶体非互易性双通道窄带滤波器
- 本发明公开了一种非磁性光子晶体非互易性双通道窄带滤波器，它包括一个竖直输入主波导，两个水平输出波导和一个由矩形介质柱构成的微腔。设计结构通过破坏非磁性光子晶体的空间结构对称性，利用波导与微腔的奇偶模式匹配实现非互易性传输...
- 徐聪陈德媛李宜书葛士曾
- 硅基纳米多层结构的电致发光学微腔研究
- 随着信息社会对超大容量信息的处理、存储和传输要求的不断提高,硅基光电子集成已成为目前人们非常重视的研究课题,其中硅基发光器件,尤其硅基电致发光器件和硅基激光的实现已成为目前急待解决的问题。在此背景下,我们实验室已经进行了...
- 陈德媛
- 关键词：多层膜电致发光串联电阻光学微腔
- 一种高背景应用的BDI型像素单元电路
- 一种高背景应用的BDI型像素单元电路，在现有包括依次连接的输入放大器、注入管、积分/复位控制电路、采样开关电路和输出控制电路的基础上，去除用于控制积分时间的采样开关电路，在注入管与积分/复位控制电路之间增设注入开关管，通...
- 夏晓娟苏军吉新村沈玲羽刘琦陈德媛成建兵郭宇锋
- 文献传递
- 用于UHF RFID零中频接收机的混频器设计
- 2013年
- 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于超高频(UHF)射频识别(RFID)系统零中频接收机的混频器。在对传统吉尔伯特混频器的噪声指标进行深刻分析的基础上,采用动态电流注入技术,设计出了一种低噪声、高线性度的混频器。动态注入电路有选择地向跨导级注入适当电流,大大抑制了开关管中的闪烁噪声,从而提高了混频器的整体噪声性能,同时又不影响混频器的线性度。在1.8 V电源电压下,仿真显示,该混频器取得11.3dB的噪声系数、-5.58 dBm的输入1 dB压缩点、26.04 dB的转换增益。芯片仅消耗7.2 mW功耗,占用404μm*506μm芯片面积。
- 冒昌银张长春陈德媛郭宇锋方玉明李卫
- 关键词：零中频接收机混频器增益线性度
