陈海霞
- 作品数：13 被引量：21H指数：3
- 供职机构：西北师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 含纳米硅的SiO_2薄膜电致发光的数值分析被引量：1
- 2005年
- 考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致.
- 张开彪马书懿马自军陈海霞
- 关键词：电致发光
- AU/(SI/SIO_2)/P-SI薄膜中电流及电致发光机制的分析
- 2006年
- 用射频磁控溅射法制备了具有AU/(SI/SIO2)/P-SI结构的样品,利用I-V特性曲线和电致发光(EL)谱对载流子的输运及复合发光过程进行了研究,用位形坐标理论模型分析的结果表明,在SIO2薄膜中存在2个由于缺陷而形成的发光中心,AU膜中的电子和P型SI中的空穴在较高的电场下以FOWL-ER-NORDHEIM(F-N)隧穿方式进入SIO2薄膜,并通过其中的缺陷中心复合而发光。
- 张开彪马书懿马自军陈海霞
- 关键词：射频磁控溅射
- Al掺杂ZnO薄膜的微结构及光学特性研究被引量：4
- 2010年
- 采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备出不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响。结果显示,随着Al掺杂量的增加,薄膜的(002)衍射峰先增强后减弱,同时出现了(100)、(101)和(110)衍射峰,表明我们制备的AZO薄膜为多晶纤锌矿结构,适量的Al掺杂可提高ZnO薄膜的结晶质量,然而AZO薄膜的表面平整、晶粒致密均匀。薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过90%,同时随着Al掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值先增大,后减小。这与采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作出相应的理论计算所得结果的变化趋势完全一致。
- 孟军霞马书懿陈海霞陶亚明侯丽莉贾迎飞尚小荣
- 关键词：磁控溅射法AZO薄膜结构特性光学特性
- ZnO缓冲层上低温生长Al掺杂的ZnO薄膜被引量：2
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性。结果表明,随着Al掺杂量的增加,ZnO薄膜的择优取向性发生了改变,且当Al的掺杂量为0.81%(原子分数)时,(002)衍射峰与其它衍射峰强度的比值达到最大,表明适合的Al掺杂使ZnO薄膜的择优取向性得到了改善。在可见光范围内薄膜的平均透过率超过70%。通过对样品光致发光(PL)谱的研究,发现所有样品出现了3个发光峰,分别对应于以444nm(2.80eV)、483nm(2.57eV)为中心的蓝光发光峰和以521nm(2.38eV)为中心较弱的绿光峰。并对样品的发光机理进行了详细的探讨。
- 马李刚马书懿陈海霞黄新丽
- 关键词：磁控溅射法XRD光致发光
- 电子设备退化分析的新方法被引量：1
- 2006年
- 偏压浸透模型是基于对实际薄膜设备退化的分析而提出的,研究的是类似于薄膜退化过程的导体向绝缘体或半导体的转化过程,并对标准浸透模型和偏压浸透模型做一对比,进一步说明偏压浸透模型更适合于分析实际薄膜的退化．
- 马书懿陈海霞张汉谋
- Zn缓冲层对氧化锌薄膜的结构和光学特性的影响被引量：1
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有高c轴择优取向的不同Zn缓冲层厚度的ZnO(ZnO/Zn)薄膜。利用X射线衍射(XRD)法、扫描电子显微镜(SEM)技术和光致荧光(PL)发光谱(PL)等表征了ZnO/Zn薄膜的微观结构和发光特性。XRD的分析结果显示,随着缓冲层厚度的增加,(002)衍射峰的半高宽(FWHM)逐渐变小,表明薄膜的结晶质量得到改善。通过对样品PL谱的研究,发现分别位于435(2.85eV)和480nm(2.55eV)的蓝光双峰以及530nm(2.34eV)的绿光峰,且缓冲层沉积时间为10min时,样品的单色性最好。推测位于435nm的蓝光发射主要来源于电子从锌填隙缺陷能级到价带顶的跃迁所致,而绿光峰的发光机制与氧空位有关。
- 贾迎飞马书懿陈海霞陶亚明侯丽莉孟军霞尚小荣
- 关键词：ZNO薄膜缓冲层光致发光
- 温度对传感器气敏材料电阻的影响研究被引量：4
- 2009年
- 从传感器气敏材料的电阻微小变化中可得到许多有用的信息,其电阻对材料的温度非常敏感。实验中所用传感器的气敏材料是在配有加热器的铝基底上沉积SnO2薄膜,通过控制加热器上的电压来改变气敏材料的温度(温度变化范围为25～400℃),研究了温度对材料电阻的影响。通过分析电阻随温度的变化,基于晶界势垒控制模型得到了关于电阻随温度变化的新经验方程,并将此方程的计算结果与实验结果进行了比较。结果表明,此方程可很好地描述某些型号的传感器电阻对温度的依赖行为。
- 丁继军马书懿陈海霞
- 关键词：气敏材料电阻温度
- 电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度
- 2005年
- 在 p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc Si/c Si异质结二极管, 测量了异质结的 C V特性. 根据C V实验曲线, 计算出异质结的接触电势差, 再用接触电势差计算了导带的偏移量, 进而求得禁带宽度. 计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.
- 张开彪马书懿陈海霞马自军
- 关键词：纳米硅异质结C-V特性禁带宽度
- 不同缓冲层对ZnO薄膜的性能影响被引量：7
- 2010年
- 用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以SnO2、SiO2和Al2O3为缓冲层制备ZnO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计对薄膜的结构和光学性能进行了表征。XRD和SEM的分析结果表明,在SiO2和Al2O3缓冲层上生长的ZnO薄膜具有较好的c轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所有样品在可见光范围内的平均透过率超过70%;通过对薄膜光致发光谱的分析,认为422nm左右的紫峰来自于电子从晶粒边界的界面缺陷能级到价带的辐射跃迁;PL谱中蓝光和绿光的发光机制与薄膜中的本征缺陷有关。
- 侯丽莉马书懿陈海霞孟军霞贾迎飞陶亚明尚小荣
- 关键词：ZNO薄膜缓冲层晶体结构光致发光
- 镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究被引量：1
- 2005年
- 采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜.测量显示,随着正向偏压的增加,来自Au/含纳米碳粒氧化硅膜/pSi结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动.
- 马书懿马自军陈海霞张开彪
- 关键词：电致发光
