马朝柱
- 作品数：11 被引量：17H指数：2
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：甘肃省自然科学基金国家自然科学基金磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 肖特基接触单层有机太阳能电池的短路电流的数值研究
- 2010年
- 运用数值方法,系统研究了肖特基接触单层有机太阳能电池的阴极功函数、载流子迁移率和温度对短路电流的影响,得到了短路电流随阴极功函数、载流子迁移率和温度变化的定量关系,这为以后的有机太阳能电池实验研究提供理论基础.
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- 关键词：载流子迁移率有机太阳能电池短路电流
- 采用真空镀膜制备的叠层结构有机场效应晶体管的研究
- 2009年
- 本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层。测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性。对器件温度特性的研究表明,漏极电流随着温度的升高而增大。XRD分析表明,在Si/SiO2和Si/SiO2/Al两种衬底上蒸镀制备的CuPc薄膜呈多晶结构,且两种衬底上的CuPc薄膜晶粒尺度大致相等。
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- 关键词：真空镀膜叠层结构
- 有机半导体的物理掺杂理论被引量：2
- 2009年
- 基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型;研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响,并与一些报道的实验结果做了比较.研究发现无论是否掺杂,温度升高时,有机半导体中的载流子浓度都会增大,并且随温度倒数的线性减小而指数增大;对于本征有机半导体,载流子浓度随禁带宽度的增大而指数下降,随高斯分布宽度的平方指数增加;对杂质和主体不同能级关系的掺杂情形下掺杂浓度对载流子浓度的影响做了数值研究.
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- 关键词：有机半导体掺杂载流子浓度
- 有机体异质结太阳能电池的数值分析被引量：7
- 2008年
- 介绍了一种有机体异质结太阳能电池的数值模拟方法,模型使用Onsager提出的成对复合理论,并结合了完善的无机半导体理论而提出来的,其结果与实验结果符合较好,证明了模型的正确性.在此基础上分析了器件的内建电场与工作温度对器件性能的影响,以及影响器件光电流的主要因素.
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- 关键词：有机太阳能电池
- 有机太阳能电池电学模型与数值研究
- 与无机太阳能电池相比,有机太阳能电池具有易加工、制作温度低并能制作大面积的柔性器件的优点,其结构也由单一的双层结构发展到混合体异质结有机太阳能电池和叠层有机太阳能电池。实验上,人们已经做了大量的研究,而在理论研究中,虽然...
- 马朝柱
- 关键词：短路电流开路电压填充因子有机太阳能电池
- 文献传递
- 迁移率对单层有机发光器件中复合率分布的影响(英文)
- 2009年
- 以载流子运动的扩散-漂移理论为基础,利用数值方法研究了有机发光层中双极载流子注入时的电势、电场、载流子浓度和复合率分布.结果表明:当两种载流子的迁移率相同实现平衡注入,并且当空穴和电子的复合为Langevin型时,复合率的分布曲线相当理想,参与复合的空穴和电子总量远大于其他情况,由此器件的发光性能也得到更大的优化.
- 袁建挺彭应全杨青森马朝柱赵明
- 关键词：有机电致发光迁移率载流子分布
- 基于肖特基接触IV分析法的有机半导体迁移率确定方法
- 2010年
- 载流子迁移率的测量对有机半导体材料及器件的研究极为重要。在总结目前有机半导体迁移率测量方法优缺点的基础之上,本文提出了一种测量有机半导体中载流子迁移率的新方法:用真空蒸镀法制作结构为"金属-有机半导体-金属"的肖特基接触有机半导体器件,通过选取适当的理论模型进行数值计算,然后用理论计算的结果对实验测得的该器件IV特性进行数值拟合,从而得到该有机半导体材料中载流子的迁移率,以及该材料的其他输运参数,如陷阱密度、陷阱特征深度等。本文利用这种方法测量了酞菁铜(CuPc)的空穴迁移率,并得到了CuPc的陷阱密度、陷阱特征深度等参数。
- 谢宏伟李训栓王颖马朝柱汪润生李荣华宋长安彭应全
- 关键词：有机半导体迁移率酞菁铜
- 有机双层薄膜器件界面限制传导温度特性研究(英文)
- 2008年
- 通过对器件的温度特性的研究,能够使器件在合适的温度下保持稳定的工作状态.本文以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,建立了有机-有机界面限制电流传导的电荷传输的解析模型.依据此模型分析了结构为"注入电极/有机层Ⅰ/有机层Ⅱ/收集电极"的双层薄膜器件在有机界面限制电流传导状态下的电流、电场和载流子分布与工作温度的变化关系.结果表明,在给定的工作电压下,温度升高时降落在层Ⅰ的电压升高,电场增强,而降落在层Ⅱ的电压降低,电场减弱,同时器件的电流增大.
- 杨青森彭应全邢宏伟李训栓袁建挺马朝柱赵明
- 关键词：温度特性
- 阴极功函数和激子产生率对肖特基接触单层有机太阳能电池开路电压的影响研究被引量：8
- 2010年
- 运用数值方法系统研究了阴极功函数,激子产生率和温度对肖特基接触单层有机太阳能电池开路电压的影响,分析了开路电压条件下有机太阳能电池有机层内载流子和电场的分布.结果表明在阳极功函数一定时开路电压随着阴极功函数(Wc)的降低而增大,当Wc接近有机材料的最低未被占据分子轨道(LUMO)能级时开路电压不再增大而达到一个饱和值,饱和开路电压随激子产生率的提高而增大;对于给定的阳极和阴极功函数,开路电压随激子产生率的提高而增大并在激子产生率达到一定数值后趋于饱和,这个饱和开路电压等于器件的内建电压;开路电压随温度的升高而降低,其下降速率随激子产生率的增大而降低.
- 李荣华孟卫民彭应全马朝柱汪润生谢宏伟王颖叶早晨
- 关键词：开路电压温度
- 有机场效应晶体管最新实验研究进展被引量：2
- 2012年
- 介绍了近两年新报道的有机半导体材料,列举了其场效应性能参数;综述了有机场效应晶体管(OFET)在器件结构上的改进,重点阐述了基于常见有机功能层材料富勒烯及其衍生物、并五苯、聚3-己基噻吩的OFET对栅介质层及有机功能层与电极的界面的改进,讨论了器件结构改进对OFET阈值电压、开关比、载流子迁移率的影响;介绍了衬底温度、退火处理对OF-ET性能的影响。最后,针对有机场效应晶体管研究现状,指出未来研究中应注重开发高迁移率、高薄膜稳定性的有机功能材料和高介电常数、高成膜质量的有机栅介质材料,继续优化器件结构,改进制备工艺以提高器件性能。
- 谢吉鹏马朝柱杨汀姚博彭应全
- 关键词：有机半导体材料衬底温度退火处理
