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高文元

作品数:139 被引量:228H指数:8
供职机构:大连工业大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划辽宁省教育厅高等学校科学研究项目辽宁省自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程电气工程建筑科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 99篇期刊文章
  • 26篇专利
  • 12篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 46篇化学工程
  • 35篇电气工程
  • 13篇建筑科学
  • 12篇一般工业技术
  • 9篇理学
  • 5篇环境科学与工...
  • 4篇动力工程及工...
  • 2篇经济管理
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇矿业工程

主题

  • 23篇阴极
  • 22篇阴极材料
  • 21篇电池
  • 13篇陶瓷
  • 13篇燃料电池
  • 12篇电导
  • 12篇电导率
  • 12篇固体氧化物
  • 11篇氧化物
  • 11篇掺杂
  • 10篇氧化物燃料电...
  • 10篇中温固体氧化...
  • 10篇固体氧化物燃...
  • 9篇中温固体氧化...
  • 9篇保温
  • 8篇纳米
  • 8篇换热
  • 8篇换热器
  • 8篇传热
  • 7篇染料敏化

机构

  • 88篇大连工业大学
  • 39篇大连轻工业学...
  • 25篇大连海事大学
  • 13篇辽宁省新材料...
  • 5篇大连理工大学
  • 3篇大连轻工学院
  • 2篇北京化工大学
  • 2篇沈阳理工大学
  • 2篇北京中材人工...
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇沈阳高精数控...
  • 1篇玻璃有限公司

作者

  • 139篇高文元
  • 27篇刘贵山
  • 26篇郝洪顺
  • 24篇孙俊才
  • 14篇胡志强
  • 13篇李长敏
  • 13篇焦宏涛
  • 11篇马铁成
  • 10篇于洪浩
  • 9篇唐乃岭
  • 8篇张玉苍
  • 8篇隋新国
  • 8篇牛梅红
  • 6篇刘建波
  • 6篇魏蔷薇
  • 6篇荆扬扬
  • 6篇郭伟华
  • 5篇盛展武
  • 5篇屈有元
  • 5篇韩庆贺

传媒

  • 14篇中国陶瓷工业
  • 9篇大连工业大学...
  • 8篇吉林建材
  • 7篇大连轻工业学...
  • 5篇电池
  • 4篇电源技术
  • 3篇现代化工
  • 3篇陶瓷学报
  • 3篇新型建筑材料
  • 3篇中国陶瓷
  • 3篇功能材料
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇稀土
  • 2篇商场现代化
  • 2篇化学工程
  • 2篇发光学报
  • 2篇玻璃
  • 2篇中国硅酸盐学...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 10篇2015
  • 9篇2014
  • 5篇2013
  • 9篇2012
  • 4篇2011
  • 7篇2010
  • 8篇2009
  • 7篇2008
  • 4篇2007
  • 8篇2006
  • 9篇2005
  • 7篇2004
  • 5篇2003
139 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用糖滤泥制造的轻质闭孔保温材料及方法
利用糖滤泥制轻质闭孔保温材料的方法。是以糖厂废渣——糖滤泥、粘土、石英砂、碎玻璃为原料,先将石英砂和碎玻璃进行粉碎,再按比例混合进行球磨至过180目筛,脱去适当水后反复揉练,陈腐,成型,干燥,烧结,在1000~1100℃...
高文元张玉苍李长敏焦宏涛
文献传递
机械力化学合成CoTiO_3纳米晶的研究被引量:6
2004年
 利用Co2O3和TiO2采用高能球磨的机械化学合成纳米晶CoTiO3,并结合XRD和SEM研究了不同球磨时间、热处理温度和时间对形成纳米晶CoTiO3粉末的影响。结果表明:Co2O3和TiO2混合物在高能球磨过程中可以分为无定形形成期(0~2h)和CoTiO3晶粒长大期(2~6h);球磨6h后可以形成晶粒尺寸26.3nm的CoTiO3;同时混合物球磨1h后,在550℃温度处理1h,也可以形成晶粒尺寸28.7nm的CoTiO3。
高文元孙俊才
关键词:高能球磨晶粒尺寸
静电纺丝技术制备无机功能复合纳米纤维的研究进展被引量:1
2017年
目前,静电纺丝技术是唯一能够直接、连续制备聚合物纳米纤维的方法。随着功能材料的发展,单一组分的聚合物纳米纤维在功能上已经不能满足现有的应用领域。由于一些纳米无机功能粉体在光学、电学、催化等方面具有优越的性能,因此逐渐发展成在聚合物中加入纳米级无机功能粉体,采用静电纺丝技术可以得到无机复合纳米纤维,不仅满足了原有的应用性能,而且在一些特殊的领域能够表现出更加优越的性能。为此本文概述了静电纺丝技术在无机复合纳米纤维制备方面的最新研究进展,分析了静电纺丝工艺在制备无机复合纳米纤维方面存在的主要问题。最后指出了静电纺丝技术制备硅藻土复合纳米纤维所面临的问题,以及应该采取的对策。
朱慧敏高文元闫爽刘贵山郝洪顺
关键词:静电纺丝技术
分子筛催化剂波面移动床传热特性的研究
采用粉粒体传热的两区模型和微元体能量平衡理论,研究和分析了不同粒径的分子筛催化剂对波面移动床换热器中各传热系数的影响.研究结果表明:分子筛催化剂颗粒粒径的大小对壁面传热系数和总传热系数影响大,而对中央区的传热系数无影响....
高文元马铁成马春
关键词:分子筛催化剂颗粒粒径传热系数
文献传递
地产原料生产白色坯体瓷质砖的研究
对地产原料的性能进行分析研究基础上,利用正交原理优化设计出白色坯体瓷质砖的配方,并通过生产实际的运行,产品的各项指标均达到了企业标准的要求.为陶瓷墙地砖开发应用地产原料提供了一定的研究基础.
高文元马铁成蔡英骥王敬舜刘吉涛南巍张亚东卜瑞范
关键词:地产原料瓷质砖
文献传递
新型烟气余热回收波面换热装置
高文元
硅酸盐工业是耗能较多工业之一,各种窑炉又占耗能方面的主要部分。因此在当前能源紧张的情况下,开发和利用二次能源、采取节能降耗等方法不失为提高产品竞争力的一条有效途径。采用新型专利传热元件-波面板传热元件,用以回收烟气中的余...
关键词:
关键词:烟气余热回收硅酸盐工业换热器节能余热利用
TiO_2:Ho^(3+)纳米线下转换光阳极的制备及其光电性能(英文)被引量:1
2015年
采用水热法制备Ti O2纳米线前驱体,将其浸入Ho(NO3)3水溶液并取出煅烧,得到Ti O2:Ho3+下转换纳米线,用其制备染料敏化太阳能电池的光阳极,探讨其光电性能。用扫描电镜和X射线衍射分别表征Ti O2:Ho3+纳米线的形貌和结构。荧光光谱和紫外-可见吸收光谱显示Ti O2:Ho3+下转换纳米线可以将近紫外光和中紫外光转化为可以被N719染料吸收的可见光。与纯Ti O2纳米线作为光阳极的电池相比,以Ti O2:Ho3+下转换纳米线作为光阳极的电池有较好的光电转换效率,且当Ho3+掺杂量为4%时(质量分数),电池效率提高了一倍。Ti O2:Ho3+下转换纳米线拓宽光谱响应范围至近紫外光和中紫外光区,提高了电池的短路电流密度,从而电池效率提高。
李月英郝洪顺王丽君郭伟华苏青秦磊高文元刘贵山胡志强
关键词:染料敏化太阳能电池
复合掺杂氧化物La_(0.7)Sr_(0.15)Ca_(0.15)Co_(0.9)Fe_(0.1)O_(3-δ)合成与电性能被引量:5
2004年
采用共沉淀法、柠檬酸盐法、微波固相烧结法合成了La0.7Sr0.15Ca0.15Co0.9Fe0.1O3-δ(简:LSCCF)复合氧化物。借助XRD和SEM对不同制备方法合成粉料的晶体结构和粒度形貌进行了研究。实验结果表明:三种方法均可制得单一钙钛矿结构的LSCCF氧化物。柠檬酸盐法制得粉料的粒度最小,微波烧结法制备的粉料的分散性最好。在空气气氛下使用直流四极探针法研究了LSCCF烧结样品从100℃到800℃时的电导率,发现该体系材料的导电机制符合p型小极化子绝热孔隙理论,当温度小于655℃,其电导率主要受指数形式控制且随温度增大而达到最大值;当温度大于655℃,其电导率由预指数因子决定且随着温度的升高而降低,在600℃-800℃范围的电导率都超过了500s·cm-1,满足中温固体氧化物燃料电池(ITSOFCs)阴极材料的要求。不同制备方法合成粉料的粒度、分散性和晶胞参数决定了电导率的大小,其影响次序为柠檬酸盐法>微波烧结法>共沉淀法。
于洪浩高文元孙俊才
关键词:柠檬酸盐法微波烧结
一次低温快烧琉璃釉的形成和微观组织结构
为提高琉璃瓦表观质量,解决因使用低品位原料致使坯体呈色较深的问题,以广东某公司生产的T2O2熔块为主要成分,配合使用粘土,设计制备一次低温快烧琉璃瓦釉.利用XRD对不同温度下烧成试样进行测试分析,最后确定烧成温度为117...
魏蔷薇高文元隋新国
关键词:琉璃瓦低温快烧
文献传递
工艺条件对中频磁控溅射CIGS薄膜的影响
2016年
采用铜铟镓硒(CIGS)四元合金靶材,利用中频溅射电源在钠钙玻璃基底上磁控溅射CIGS薄膜。研究了溅射功率及基底温度对CIGS薄膜结构及性能的影响。采用SEM、XRD、UV-Vis及四探针方阻测试仪对CIGS薄膜结构及性能进行了表征。结果表明,随着功率的升高,薄膜晶界明显,晶粒增大,光吸收系数达到105 cm-1数量级;随着基底温度升高到250℃,制备的CIGS吸收层薄膜结晶性最好,晶粒尺寸达到1μm,电阻率3 200Ω·cm,光吸收系数达到0.98×105 cm-1,禁带宽度为1.41eV。
魏丽娟刘贵山刘洋王勇兵高文元郝洪顺
关键词:中频磁控溅射CIGS薄膜功率基底温度
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