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黄俊

作品数:20 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 6篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇氮化
  • 4篇氮化铝
  • 4篇气相外延
  • 4篇ALN
  • 4篇衬底
  • 3篇HVPE
  • 2篇单晶
  • 2篇氮化硼
  • 2篇有源
  • 2篇载气
  • 2篇入射
  • 2篇散热
  • 2篇散热问题
  • 2篇石英管
  • 2篇同时测量
  • 2篇气流
  • 2篇气相外延生长
  • 2篇料层
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米片

机构

  • 20篇中国科学院
  • 1篇苏州科技学院
  • 1篇上海大学
  • 1篇苏州纳维科技...

作者

  • 20篇黄俊
  • 16篇徐科
  • 8篇王建峰
  • 4篇张纪才
  • 3篇张锦平
  • 3篇周桃飞
  • 2篇曾雄辉
  • 2篇任国强
  • 2篇田飞飞
  • 2篇崔苗
  • 1篇张敏
  • 1篇杨辉
  • 1篇邱永鑫
  • 1篇黄凯
  • 1篇董晓鸣
  • 1篇刘建奇
  • 1篇牛牧童
  • 1篇王晓丹
  • 1篇刘雪华
  • 1篇阳明明

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇2010年全...
  • 1篇第12届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 5篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变被引量:3
2016年
以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域Ⅰ为自表面以下约30 nm深度;区域Ⅱ为区域I以下约50 nm深度;区域Ⅲ为区域Ⅱ以下的部分,其中区域Ⅱ为损伤最为严重的区域。在较低的温度(如1025℃时)退火后,区域Ⅰ消失;但1200℃退火后,又重新可以观察到区域Ⅰ。结合TEM、XRD和Raman测试结果,从损伤恢复和应力释放的角度对上述实验现象进行了理论解释:由于Er离子半径和基体原子半径的差异,在区域Ⅱ中引入较大的应力;在1025℃退火时,来自区域Ⅱ的应力作用于区域Ⅰ,导致区域I发生大的晶格扭曲,和区域II合并,用TEM观察不到;在1200℃退火时,应力在表面释放,区域I的晶格扭曲修复,从而用TEM可重新观察到。
阳明明莫亚娟王晓丹曾雄辉刘雪华黄俊张纪才王建峰徐科
关键词:离子注入
阴极荧光(CL)和电子束诱导感生电流(EBIC)在材料和半导体器件研究中的应用
@@阴极荧光(Cathodoluminescence.CL,如图l示)和电子束诱导感生电流(Electron beam inducedcurrent.EBIC)是通常安装在场发射扫描电镜上的两个附件。由于目前场发射扫描电...
曾雄辉黄俊黄凯邱永鑫张锦平王建峰徐科
关键词:半导体器件
文献传递
一种氮化铝纳米片阵列及其制作方法
本发明公开了一种氮化铝纳米片阵列的制作方法,该方法包括:在衬底上形成氮化铝单晶材料层;对氮化铝单晶材料层进行刻蚀,以形成由多个氮化铝片组成的氮化铝片阵列,其中,氮化铝片所在的平面垂直于衬底的表面;在电场环境中对氮化铝片阵...
黄俊徐科
文献传递
一种可区分不同类型位错的透射电镜成像方法
本发明公开了一种可区分不同类型位错的透射电镜成像方法,包括:在普通透射电镜模式下,倾转样品,使电子束沿第一晶带轴入射,拍摄衍射谱并标定;根据标定倾转样品,使样品处于第一衍射矢量的双束衍射状态;将电镜切换进入暗场成像模式,...
黄俊牛牧童苏旭军董晓鸣徐科
文献传递
一种半导体复合层及其制作方法
本发明公开了一种半导体复合层,包括第一半导体层,第一半导体层的第一表面上设有第一结构,第一结构包括在第一表面上周期性平行排列的多个第一凹槽,在第一结构上形成有第二半导体层,第一结构用于在第一半导体层与第二半导体层之间形成...
黄俊徐科
文献传递
同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法
一种同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法,包括如下步骤:提供一LED结构,所述LED结构包括衬底及其表面的器件层;提供一激发光,聚焦入射在衬底靠近器件层一侧的表面上,同时激发得到衬底和器件层的拉曼光谱特征峰;根据衬...
崔苗周桃飞徐科黄俊王建峰田飞飞张锦平
一种气相外延生长装置及其衬底承载台
本发明公开了一种用于气相外延生长装置的衬底承载台,衬底承载台包括用于保温衬底的腔体,该衬底置于腔体内,腔体包括相对设置的气流入口和气流出口。本发明还公开了一种气相外延生长装置,包括石英管和设于石英管内的上述的衬底承载台,...
黄俊徐科
GaN衬底上AlN的HVPE生长研
黄俊张纪才周桃飞邱永鑫王建峰徐科杨辉
氮化铝纳米颗粒及其制备方法
本发明公开了一种氮化铝纳米颗粒及其制备方法,本发明采用氮源气体、铝源气体作为反应物料,在特定压强和温度条件下进行反应,并通入载气,获得了粒径为5‑60nm,杂质质量含量低于10ppm的纳米尺寸、高纯氮化铝纳米颗粒,解决了...
黄俊徐科
文献传递
氮化铝-碳化硅复合膜及其制作方法
本发明公开了一种氮化铝‑碳化硅复合膜的制作方法,包括:对碳化硅衬底的碳面进行粗化,以形成粗化碳面;利用外延生长工艺在所述粗化碳面上形成具有孔结构的氮化铝薄膜。本发明公开了利用上述的制作方法来制作的氮化铝‑碳化硅复合膜。本...
黄俊徐科
文献传递
共2页<12>
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