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黄华

作品数:34 被引量:69H指数:3
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划海外青年学者合作研究基金更多>>
相关领域:机械工程金属学及工艺交通运输工程电子电信更多>>

文献类型

  • 20篇专利
  • 6篇学位论文
  • 5篇期刊文章
  • 3篇科技成果

领域

  • 3篇机械工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇碳纳米管
  • 19篇纳米
  • 19篇纳米管
  • 8篇复合材料
  • 8篇复合材
  • 6篇相变材料
  • 6篇分子
  • 6篇分子材料
  • 6篇分子复合材料
  • 6篇高分子
  • 6篇高分子材料
  • 6篇高分子复合
  • 6篇高分子复合材...
  • 5篇热阻
  • 4篇液相
  • 4篇固相
  • 4篇分子体系
  • 4篇高分子体系
  • 3篇导热
  • 3篇引线

机构

  • 34篇清华大学
  • 19篇鸿富锦精密工...
  • 1篇滑铁卢大学
  • 1篇华东电力试验...
  • 1篇中国电力工程...
  • 1篇国家电网公司...
  • 1篇上海久能机电...

作者

  • 34篇黄华
  • 5篇都东
  • 5篇常保华
  • 2篇岁波
  • 1篇孙立峰
  • 1篇苏磊
  • 1篇张伯明
  • 1篇张明晔
  • 1篇汤磊
  • 1篇刘映尚
  • 1篇王力
  • 1篇吴文传
  • 1篇姜威
  • 1篇杨士强
  • 1篇张弓
  • 1篇林金明
  • 1篇周运鸿
  • 1篇王彬
  • 1篇姚建国
  • 1篇孙宏斌

传媒

  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇焊接学报
  • 1篇焊接
  • 1篇汽车工程
  • 1篇清华大学学报...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2012
  • 4篇2010
  • 4篇2008
  • 6篇2007
  • 7篇2006
  • 6篇2005
  • 1篇2000
  • 1篇1991
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铜丝引线键合技术的发展被引量:14
2008年
铜丝引线键合有望取代金丝引线键合,在集成电路封装中获得大规模应用。论文从键合工艺、接头强度评估、键合机理以及最新的研究手段等方面简述了近年来铜丝引线键合技术的发展情况,讨论了现有研究的成果和不足,指出了未来铜丝引线键合技术的研究发展方向,对铜丝在集成电路封装中的大规模应用以及半导体集成电路工业在国内高水平和快速发展具有重要的意义。
黄华都东常保华Zhou Yunhong
关键词:集成电路封装
刑事被害人权益保护和救济
黄华
关键词:刑事被害人权益救济
铜引线键合中两级加载方式下硅基板应力被引量:1
2010年
铜引线键合在集成电路封装工业中得到了越来越多的应用。在铜引线键合中,采用压力两级加载的方式能够减少硅基板的损坏,但其机理目前还不清楚。该文建立了3D非线性有限元模型来模拟铜引线键合过程,比较了常规加载和两级加载方式中的硅基板受力状态。结果表明:超声功率相同且铜球变形相同时,两级加载方式中基板承受的压应力大于常规加载方式,拉应力两者相近,而剪应力则小于常规加载方式。不同加载方式下的基板受力分析为找出两级加载方式减少基板缺陷的作用机理提供了依据。
黄华常保华都东ZHOU Yunhong
关键词:引线键合基板有限元应力
炼铁厂烧结矿振动筛筛条表面喷熔强化研究
黄华
客制化生产模式下的短期人力需求预测研究
黄华
关键词:客制化
铜引线键合中功率超声作用的研究
黄华
关键词:应力分析
长三角交直流混联电网直流偏磁监测分析与治理体系关键技术及应用
苏磊杨凌辉黄华姜益民傅晨钊张波陆志浩李福兴顾承昱周行
该成果属于输配电工程技术领域直流输电系统在系统调试、检修或发生故障的情况下,会采用短时间单极大地回路的运行方式。单极大地回线运行时,会在直流接地极周围一定范围内的土壤中产生地中直流电流。此外,国内外研究表明,太阳磁暴和城...
关键词:
关键词:输配电工程互感器直流输电系统
热界面材料及其制作方法
本发明涉及一种热界面材料及其制作方法。该热界面材料包括一基体,其具有一第一表面及与其相对的一第二表面;及分布在基体中的多个纤维;其中,该多个纤维在基体中均匀分布并沿该第一表面向第二表面延伸。该热界面材料中,多个纤维定向排...
黄华刘长洪范守善
文献传递
热界面材料及其制造方法
本发明提供一种热界面材料,其包括一基体以及分散在基体中的多个碳纳米管,所述基体包括一第一表面和相对于第一表面的第二表面,所述多个碳纳米管分别从基体的第一表面延伸至第二表面,且多个碳纳米管从至少一表面伸出,所述碳纳米管伸出...
黄华刘长洪范守善
文献传递
引线键合中材料参数对硅基板应力状态的影响被引量:3
2012年
利用"热—力—超声"增量耦合有限元模型,对采用不同引线(金,铜)以及采用铜引线在不同银镀层厚度(48,1,6μm)条件下的键合过程进行了模拟.结果表明,在其它条件不变的情况下,金引线键合过程对硅基板内应力状态的影响远小于铜引线,且应力集中的位置更接近键合中心;随着镀层厚度的增加,基板所受到的压应力逐渐减小,但基板所受到的最大压应力在硅的抗压力范围之内;同时基板所受到的剪应力也逐渐减小,由于剪应力是硅基板损坏的决定性因素,因此采用厚度为16μm的镀层对减小基板损坏更有利.
姜威常保华都东黄华周运鸿
关键词:引线键合应力状态有限元法
共4页<1234>
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