黄竹
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：桂林电子科技大学更多>>
- 发文基金：广西教育厅科研项目广西信息材料重点实验室主任基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信环境科学与工程一般工业技术更多>>
- Mg_xZn_(1-x)O:Al靶材制备工艺和Mg掺杂对微观结构的影响研究
- 2009年
- 以纳米级的ZnO、MgO和Al2O3粉体为原料,经过湿式球磨得到了混合粉体,采用常压固相烧结的方法制备了高致密度MgxZn1-xO:Al陶瓷靶材,研究了预烧粉体、Mg掺杂量和烧结温度对靶材微观结构和性能的影响。研究表明,预烧粉体可以减少第二相的生成;随着Mg掺杂量的增加,MgO立方相逐渐增多,在x=0.3时产生了相分离;在1100～1300℃内,随着烧结温度的升高,靶材的晶粒大小和密度逐渐增大,增大趋势在1300℃后变缓,1300℃烧结4h可以制得结构均匀、高致密度的MgxZn1-xO:Al靶材。
- 黄竹王华许积文杨玲任明放
- 关键词：预烧微观结构
- 溅射功率对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
- 2013年
- 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺室温条件下在石英玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究溅射功率对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。测试结果表明:溅射功率不会明显影响薄膜中的成分及其浓度,并与靶材基本吻合;不同溅射功率下Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜均具有非常好的c轴择优取向生长特性,透光区域均扩展到紫外区域,而且随溅射功率从100W增大到200W,薄膜的晶粒有所增大,结晶程度明显提高,电阻率从50Ω·cm降低到不足1Ω·cm,透光率无明显差别,约为89%,带隙宽度略有减小,光吸收边略向长波方向移动,但溅射功率达到250W以后,薄膜质量有所下降,粗糙度增大,电阻率略有回升,透光率有所降低。
- 王华燕红黄竹许积文杨玲
- 关键词：溅射功率光电性能
- Mg掺杂量和退火温度对Mg_xZn_(1-x)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响被引量：2
- 2010年
- 以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO∶Al薄膜为立方结构。当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域。退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移。
- 王华黄竹许积文杨玲
- 关键词：光电性能
- ZnO基紫外光透明导电薄膜的研究进展被引量：1
- 2009年
- ZnO是一种宽禁带半导体材料,通过阳离子Al3+掺杂可以改善其导电性,而且通过掺杂MgO进行"能带剪裁"可以实现从紫外到可见光范围内的完全透明。因此,ZnO基紫外光透明导电薄膜近年来逐渐成为半导体光电材料与器件的研究热点之一。本文介绍了紫外光透明导电薄膜MgxZn1-xO∶Al的基本特性、制备方法及研究进展。
- 黄竹许积文
- 关键词：宽禁带
- 基于ZnO的紫外透明导电薄膜的制备及其结构、性能研究
- 近年来,随着短波长光电器件的逐渐广泛应用,直接宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。Zn0基薄膜在光电器件、高温电子器件、透明电子器件等方面具有重要的应用,被认为是继Ⅱ、O薄膜之后最有发展潜力的透明导电薄膜材料。 ...
- 黄竹
- 关键词：氧化锌射频磁控溅射结构特性光电特性
- 文献传递
