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丁发柱: 作品数：169 被引量：29H指数：3; 供职机构：中国科学院电工研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>; 相关领域：一般工业技术电气工程金属学及工艺理学更多>>

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一种第二代高温超导带材闭合线圈的制备方法及闭合磁体: 本发明公开一种第二代高温超导带材闭合线圈的制备方法及闭合磁体，属于高温超导应用技术领域。制备方法包括：将超导带材绕制成超导线圈，并预留出其两端作为两个待连接接头；去除接头的保护层，使超导层裸露出来；在超导层上涂覆前驱液；...; 丁发柱古宏伟黄大兴董浩王锴

一种Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜及其制备方法: 本发明提供了一种Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜及其制备方法，涉及热电薄膜制备技术领域。所述Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜的制备方法包括以...; 邹琪丁发柱古宏伟商红静黄大兴谢波玮张琳董浩王锴

n型掺杂单壁碳纳米管及其制备和应用、n型掺杂单壁碳纳米管热电薄膜及其制备方法: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及n型掺杂单壁碳纳米管及其制备和应用、n型掺杂单壁碳纳米管热电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种n型掺杂单壁碳纳米管，包括聚乙烯吡咯烷酮共价接枝修饰的单壁碳纳米管。本发明以具有优良生理惰...; 张琳丁发柱古宏伟商红静邹琪

一种闭环超导磁体的绕制方法及闭环超导磁体: 本发明涉及一种闭环超导磁体的绕制方法及闭环超导磁体。所述方法包括：将主带盘中的超导带材缠绕在过渡带盘上；将过渡带盘上的超导带材缠绕在第1个双饼线圈骨架的一侧形成第1个双饼线圈中的第1个单饼；将主带盘上的超导带缠绕在第n个...; 黄大兴丁发柱古宏伟董浩王锴

YBa2Cu3O7-x纳米复合薄膜磁通钉扎特性的研究进展: 2018年; 自1986年发现高温超导体以来，YBa2Cu3O7-x（YBCO）超导体以其高临界温度、高不可逆场、强载流能力等优势受到了各国学者的广泛关注和研究。随着薄膜制备技术的发展，晶界弱连接问题已经不再是提升YBCO超导性能的主要障碍，限制YBCO涂层导体临界电流的主要因素是其磁通钉扎能力。为此，世界众多的科研机构开展了在YBCO薄膜中引入不同缺陷提高磁通钉扎的研究。总的来说，最常采用的钉扎策略是在YBCO母体中加入第二相纳米颗粒，形成人工钉扎中心，从而起到磁通钉扎的作用。磁通钉扎机制在以脉冲激光沉积法、化学气相沉积法等为主的原位法和以化学溶液法为主的非原位法中存在明显的差异。本文对近年来原位法和非原位法制备的复合薄膜中人工钉扎中心的影响机制以及磁通钉扎特征进行了系统的总结和阐述。; 许文娟丁发柱董泽斌张慧亮商红静古宏伟; 关键词：YBCO 原位法磁通钉扎

一种YBCO超导复合薄膜的制备方法: 一种YBCO超导复合薄膜的制备方法，所述的制备方法在含有三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和乙酸铜的前驱液中添加掺杂元素的有机盐，掺杂元素为锰、镧、钼、钨中的一种，通过控制金属离子及三氟乙酸的浓度，调整热处理时的温度和气氛，制备含有...; 董泽斌丁发柱古宏伟屈飞张贺张慧亮商红静; 文献传递

化学溶液法在LaAlO_3单晶基体上制备YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的研究被引量：1: 2008年; 采用三氟乙酸盐-金属有机沉积(TFA-MOD)法在LaAlO3单晶基体上成功地制备了YBa2Cu3O7-x超导薄膜(简称YBCO薄膜),并比较系统地研究了烧结温度对YBCO薄膜的影响。在烧结温度为820℃时,所制备的YBCO薄膜完全呈c-轴取向,无a-轴取向的晶粒和杂质相存在,YBCO薄膜的表面无裂纹存在,表面平整,超导转变温度Tc≈90K,转变宽度ΔTc=1K,临界电流密度(Jc)可达1.2MA.cm-2(77K,0T)。; 丁发柱古宏伟李弢; 关键词：TFA-MOD YBCO 高温超导薄膜

一种第二代高温超导线的连接方法及一种连接超导线: 本发明提供了一种第二代高温超导线的连接方法及一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后裸露的超导层一面可用于超导层的直接连接形成超导接头...; 黄大兴丁发柱古宏伟商红静谢波玮李太广邹琪; 文献传递

沉积温度对化学水浴法CdS薄膜物理性质的影响: 2014年; 研究了化学水浴法制备的CdS薄膜微观结构与其带隙宽度的关系。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和能谱仪(EDS)等对不同沉积温度下制备的CdS薄膜的生长速率、晶体结构、光学性质、表面形貌和薄膜组分及其相互间关系进行了研究。随着沉积温度升高,薄膜沉积速率变快,H(002)晶面间距相应增加,带隙宽度逐渐下降。同时CdS薄膜的表面变得更为光滑。结合能谱分析发现,随着沉积温度上升,CdS薄膜的中硫的含量相应增加,薄膜中Cd/S原子比例更加接近于1∶1。CdS薄膜晶格常数的增加造成了带隙宽度的下降。而晶格常数的变化则归因于沉积温度的变化对薄膜中硫的含量的影响。沉积温度上升会促进OH-离子与硫脲的反应,加速S2-离子的释放,从而导致溶液中S2-离子浓度上升。在CdS薄膜的生长过程中会有更多硫进入到薄膜中,使得薄膜中的硫空位减少。而硫空位的减少会使薄膜晶体结构更加完整,导致晶格常数上升,更加接近于体材料的晶格常数。; 彭星煜古宏伟丁发柱张腾屈飞王洪艳; 关键词：CDS 沉积温度