丛春晓
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- MgZnO合金薄膜材料的制备、结构及性能研究
- 本论文利用射频磁控溅射方法,以MgZnO为靶材,高纯Ar/N为溅射气体,在石英衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。通过改变氮分压和衬底温度,控制MgxZn1-xO合金薄膜的结构、带隙和Mg含量。当氮分压在0-50%时,Mg...
- 丛春晓
- 关键词：半导体薄膜射频磁控溅射P型掺杂
- 一种口腔皮瓣患者术后需求指示板
- 本发明公开了一种口腔皮瓣患者术后需求指示板，包括外壳、面板、第一指针、第二指针、第一驱动装置和第二驱动装置，面板设置在外壳上，面板均匀设置有数个文字格，文字格呈内外两层环形分布，文字格上设置有标识患者需求的文字，第一指针...
- 金丽鸥姚冬月李佳及昕徐丹丛春晓王薇蔡贺石晓旭
- 一种口腔皮瓣患者术后需求指示板
- 本实用新型公开了一种口腔皮瓣患者术后需求指示板，包括外壳、面板、第一指针、第二指针、第一驱动装置和第二驱动装置，面板设置在外壳上，面板均匀设置有数个文字格，文字格呈内外两层环形分布，文字格上设置有标识患者需求的文字，第一...
- 金丽鸥李佳及昕徐丹丛春晓王薇蔡贺石晓旭
- 文献传递
- 一种口腔皮瓣患者术后需求指示板
- 本发明公开了一种口腔皮瓣患者术后需求指示板，包括外壳、面板、第一指针、第二指针、第一驱动装置和第二驱动装置，面板设置在外壳上，面板均匀设置有数个文字格，文字格呈内外两层环形分布，文字格上设置有标识患者需求的文字，第一指针...
- 金丽鸥姚冬月李佳及昕徐丹丛春晓王薇蔡贺石晓旭
- p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究被引量：1
- 2006年
- 以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体．利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜．薄膜沿（002）择优取向生长，厚约为1．2μm．呈现电绝缘特性．将溅射的ZnO薄膜在10^-3Pa·510～1000K的温度范围等温退火1h，室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘-n型-p型-n型半导体的变化．XPS测试表明ZnO薄膜的Zn／O离子比随退火温度的升高而降低．但一直是富锌ZnO．说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成P型导电．P型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于Vzn。受主浓度可以克服Vo和Zn本征施主的补偿效应．
- 杨通崔海峰邢国忠关丽秀丛春晓谢玉鹏姚斌
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射导电性能
- Li掺杂ZnO纳米棒的导电和发光特性(英文)被引量：1
- 2010年
- 利用气相输运方法,在(111)面硅衬底上制备了名义上原子数分数为2%的Li掺杂的ZnO纳米棒(样品A)。作为比较,我们在相同的生长条件下制备了没有任何掺杂的ZnO纳米棒(样品B)。XRD分析测试表明:样品A和样品B中的ZnO纳米棒具有纤锌矿六边形结构,没有其他氧化物,例如Li2O。Hall效应测量表明:样品A导电类型为p型,空穴载流子浓度为6.72×1016cm-3,空穴载流子迁移率为2.46 cm2.V-1.s-1。样品B为n型,电子载流子浓度为7.16×1018cm-3,电子载流子迁移率为4.73 cm2.V-1.s-1。低温光致发光光谱测试表明,样品A和样品B发光峰明显的区别是位于3.351 eV(样品B)和3.364 eV(样品A)处。根据文献报道,在没有掺杂的ZnO中,3.364 eV发光峰源于施主束缚激子发光。通过变温光致发光光谱的测试,证明了在样品A中,位于3.351 eV的发光峰源于受主束缚激子发光,其光学受主能级位于价带顶142meV处。
- 王相虎李荣斌丛春晓
- 关键词：氧化锌纳米棒PL
- 氮掺杂p型Mg_xZn_(1-x)O薄膜的制备及其表征被引量：1
- 2008年
- 采用不同氮分压(RN2)的氩气和氮气混和气体溅射Mg0.18Zn0.82O合金靶材,在石英衬底上生长了MgxZn1-xO(MgZnO)合金薄膜,研究了氮分压对薄膜组分、结构和光学、电学性质.结果表明:薄膜中的Mg含量(x)随着RN2的增加呈线性增加,导致其结构和光学带隙(Eg)随氮分压变化.Mg含量随氮分压的变化归因于:当氮分压增加时,与N反应形成NO2的O原子数目增加,导致与Mg、Zn反应的O原子数目减少.而Mg比Zn优先与剩下的O原子结合形成MgO,导致只有部分Zn能够跟O结合形成ZnO.未反应的Zn将以原子的形式沉积到衬底上继而因高的衬底温度发生二次蒸发离开衬底,导致薄膜中Zn含量减小,即Mg含量增大.当对由氮分压不为零制备的高阻MgZnO薄膜进行真空退火后,薄膜呈p型导电,说明这种p型导电与氮掺杂有关.本文讨论了Vegard定理用于估算MgZnO中Mg含量的正确表达式.
- 姚斌崔海峰丛春晓
- 关键词：半导体薄膜P型掺杂氮分压
