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代学芳

作品数:48 被引量:68H指数:6
供职机构:河北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:理学金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 24篇专利
  • 15篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇理学
  • 10篇金属学及工艺
  • 9篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 22篇合金
  • 16篇形状记忆
  • 14篇形状记忆合金
  • 14篇马氏体
  • 14篇记忆合金
  • 14篇磁性
  • 13篇相变
  • 10篇单晶
  • 10篇马氏体相
  • 10篇马氏体相变
  • 8篇HEUSLE...
  • 7篇提拉法
  • 7篇铁磁
  • 7篇铁磁形状记忆...
  • 7篇磁形状记忆合...
  • 6篇半金属
  • 6篇GA
  • 6篇磁性材料
  • 6篇磁致伸缩
  • 5篇磁性形状记忆...

机构

  • 32篇河北工业大学
  • 24篇中国科学院
  • 2篇吉林大学
  • 2篇重庆大学
  • 2篇重庆师范大学

作者

  • 48篇代学芳
  • 40篇刘国栋
  • 24篇吴光恒
  • 19篇陈京兰
  • 13篇柳祝红
  • 13篇刘何燕
  • 10篇张小明
  • 7篇李养贤
  • 6篇曲静萍
  • 6篇朱志永
  • 6篇罗鸿志
  • 6篇于淑云
  • 5篇孟凡斌
  • 5篇王立英
  • 5篇李英
  • 5篇贾红英
  • 4篇王啸天
  • 4篇张铭
  • 4篇崔玉亭
  • 3篇王文洪

传媒

  • 14篇物理学报
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 7篇2006
  • 6篇2005
  • 2篇2004
48 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CuHg_2Ti型Ti_2Cr基合金的电子结构、能隙起源和磁性研究
2014年
利用第一性原理计算方法,研究了CuHg2Ti结构下Ti2CrK(K=Sb,Ge,Sn,Sb,Bi)系列合金的电子结构、能隙起源和磁性.研究发现:Ti2CrK(K=Si,Ge)合金是普通半导体材料;Ti2CrK(K=Si,Bi)合金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb和Bi原子s态的直接影响;Ti2CrSn合金是完全补偿的亚铁磁性半导体.基于Ti2CrSn合金两个自旋方向上的能隙起源不同,通过Si和Ge替换掺杂同族Sn元素调制能隙的宽度,获得了完全补偿亚铁磁性自旋无能隙材料;通过Fe和Mn替换掺杂过渡族Cr元素获得了一系列半金属材料.Ti2Cr1-xFexSn和Ti2Cr1-xMnxSn合金都具有亚铁磁性.所研究的这些半金属性合金的分子磁矩Mtotal与总的价电子数Zt服从Mtotal=Zt-18规则.
贾红英代学芳王立英刘然王啸天李朋朋崔玉亭王文洪吴光恒刘国栋
关键词:HEUSLER合金
铁磁形状记忆合金Co_(50)Ni_(20)Ga_(30-x)Si_x的结构及物性研究
2009年
用Si元素替代CoNiGa合金中的Ga元素后,研究了材料的结构、马氏体相变及其磁性的变化.结果发现,当Si原子的含量在0—10%范围内,材料能够形成体心立方结构,并且具有很好的热弹性马氏体相变行为.进一步研究指出,简单的从掺杂元素的原子半径大小来判断其对奥氏体稳定性的影响是不够的,必须从考虑掺杂原子与基本元素原子半径之间的比例来考虑这一问题.同时还发现Curie温度和饱和磁化强度随着Si含量的上升而有所降低,但是其马氏体的各向异性随着Si含量的增加而增强,这一点对于在合金中获得大磁感生应变具有指导意义.
代学芳孙晨光曲静萍李养贤朱伟陈京兰吴光恒
关键词:铁磁形状记忆合金马氏体相变
一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法
本发明公开了一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法。本发明的主要目的是降低硅片的表面反射率,增加太阳能电池的光能利用率,其主要工艺流程如下:(1)清洗;(2)第一次酸腐蚀;(3)碱腐蚀;(4)第二次酸腐蚀;(5)碱洗;(6...
常雪岩陈贵锋张辉代学芳王永王海涛
文献传递
一种Ni-Mn-Ge系磁性形状记忆合金及其制备方法
本发明为一种Ni-Mn-Ge系磁性形状记忆合金,其化学式为:Ni<Sub>x</Sub>Mn<Sub>y</Sub>Ge<Sub>z</Sub>M<Sub>a</Sub>,M为主族元素或过渡族元素;其中,51&lt;x&...
罗鸿志刘国栋孟凡斌刘何燕代学芳
一种具有调控马氏体相变行为的复合材料的制备方法
本发明为一种具有调控马氏体相变行为的复合材料的制备方法。该方法通过放电等离子烧结将不同体积比铁磁形状记忆合金Ni<Sub>52</Sub>Mn<Sub>34.5</Sub>Ga<Sub>23.5</Sub>粉体和巨磁致伸...
刘国栋王伟刘何燕张小明代学芳
文献传递
一种具有磁场调控马氏体相变的复合材料的制备方法
本发明为一种具有磁场调控马氏体相变的复合材料的制备方法。该方法采用Tb<Sub>0.27</Sub>Dy<Sub>0.73</Sub>Fe<Sub>1.9</Sub>和Mn<Sub>48</Sub>Co<Sub>4</S...
刘国栋赵嘉欣代学芳张小明刘何燕宇霄
文献传递
具有磁场可控的双向形状记忆效应的磁性单晶及制备方法
本发明涉及一种具有磁诱导高应变形状记忆效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Co<Sub>x</Sub>Ni<Sub>y</Sub>Ga<Sub>z</Sub>化学式,其中:40<x<60;10<y<30;10<z<...
陈京兰张铭柳祝红刘国栋代学芳吴光恒
文献传递
单晶Ni_(52)Mn_(24)Ga_(24)中马氏体变体择优取向的物理表征被引量:9
2004年
利用各种实验手段对Ni52 Mn2 4 Ga2 4 单晶中马氏体变体的择优取向进行了表征 .针对金相观察、磁场干预的相变应变、磁感生应变等实验结果 ,分析了马氏体相变过程变体自发择优取向和磁诱导择优取向的机理 .根据不同方向磁场干预相变应变的结果 ,计算了Ni52 Mn2 4 Ga2 4 单晶中等效取向内应力的大小约为 2 .4 5MPa .从变体择优取向造成的有效弹性和磁畴分布两个方面 ,对单晶样品在 [0 0 1]和 [0 10 ]两个等价的晶体学方向上磁感生应变特性的差别 ,包括最大应变值、饱和场、滞后效应和起始磁场数值的参数 ,进行了分析和讨论 .
崔玉亭胡海宁刘国栋代学芳柳祝红张铭陈京兰吴光恒孟凡斌阎丽琴曲静萍李养贤
关键词:马氏体相变内应力磁感生应变铁磁形状记忆合金
Co元素对Heusler合金Mn2NiAl交换偏置的影响
利用甩带快淬方法,合成了具有B2结构的Mn2-xNiAlCox(x=0~0.6)和Mn2Ni1-xAlCox(x=0~0.3)系列合金.研究了Co元素对材料交换偏置效应的影响.在Mn1.9NiAlCo0.1合金中,我们发...
王峻峰刘国栋代学芳
关键词:交换偏置掺杂
半Heusler型Na_(1-x)Cs_xAlGe(0≤x≤1)合金能带反转结构的研究被引量:2
2014年
采用第一性原理的计算方法,研究了全部由轻元素构成的半Heusler型NaAlGe合金中,掺杂元素对合金拓扑能带结构的影响.发现利用同族的Cs元素掺杂替换Na元素,能够诱导Na1-x Csx AlGe合金的能带结构由原本正常带序(0 x<0.125)转换为反转带序(0.125 x 1).基于对这一现象的深入讨论,我们提出在几乎没有自旋-轨道耦合作用的材料中,掺杂元素(Cs)是通过其离子半径的不同,进而影响晶格参数变化导致另外两种近邻原子间杂化作用发生变化,来诱导拓扑反带结构形成的.
王啸天代学芳贾红英王立英张小明崔玉亭王文洪吴光恒刘国栋
关键词:第一性原理计算拓扑绝缘体
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