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任勇斌

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇原位掺杂
  • 2篇纳米
  • 2篇径向生长
  • 2篇绝缘衬底
  • 2篇开关比
  • 2篇互溶性
  • 2篇合成制备
  • 2篇感光
  • 2篇半导体
  • 2篇P-N结
  • 2篇ZNSE
  • 2篇IIB
  • 2篇掺杂
  • 2篇衬底

机构

  • 4篇合肥工业大学

作者

  • 4篇卢敏
  • 4篇王莉
  • 4篇任勇斌
  • 4篇于永强
  • 4篇揭建胜
  • 4篇吴春艳
  • 2篇郭慧尔
  • 2篇谢超
  • 2篇彭强

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
ZnSe纳米光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种ZnSe纳米光电探测器及其制备方法，探测器的结构层自下而上依次为绝缘衬底、感光层和电极，其特征是感光层为n-型掺杂的ZnSe纳米线。本发明采用化学气相沉积法合成制备n型掺杂ZnSe纳米线，在合成过程中通过...
王莉揭建胜吴春艳于永强卢敏谢超郭慧尔任勇斌
文献传递
一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法
一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法，是在水平管式炉中进行化学气相沉积方法，在1000-1100℃蒸发IIB-VIB族材料，在保温过程中引入硅烷，或同时引入III族或V族气态掺杂元素，由于硅与II...
揭建胜王莉于永强吴春艳彭强卢敏任勇斌
文献传递
ZnSe纳米光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种ZnSe纳米光电探测器及其制备方法，探测器的结构层自下而上依次为绝缘衬底、感光层和电极，其特征是感光层为n-型掺杂的ZnSe纳米线。本发明采用化学气相沉积法合成制备n型掺杂ZnSe纳米线，在合成过程中通过...
王莉揭建胜吴春艳于永强卢敏谢超郭慧尔任勇斌
一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法
一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法，是在水平管式炉中进行化学气相沉积方法，在1000-1100℃蒸发IIB-VIB族材料，在保温过程中引入硅烷，或同时引入III族或V族气态掺杂元素，由于硅与II...
揭建胜王莉于永强吴春艳彭强卢敏任勇斌
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